Influence of the Pt top electrode annealing procedure on the ferroelectric property of MOCVD Pb (Zr0.2Ti0.8)O3 thin films

Electrochemical and Solid-State Letters

Volumn 9, Issue 7, 2006, Pages

  Zhao, Jin Shi ^a   Lee, Hyun Ju ^a   Lee, Keun ^a   Sim, Joon Seop ^a   Hwang, Cheol Seong ^a  

^a Seoul National University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; ELECTRODES; ELECTRON BEAMS; FERROELECTRICITY; LEAD COMPOUNDS; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; PLATINUM;

FERROELECTRIC CAPACITORS; INTERFACIAL REACTIONS; OFMETALORGANIC CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION; ROOM TEMPERATURE;

THIN FILMS;

EID: 33646895215     PISSN: 10990062     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2203351     Document Type: Article

References (12)

1. Y. Horri, Y. Hikosaka, A. Itoh, K. Matsuura, M. Kurasawa, G. I. Komuro, K. Maruyama, T. Eshita, and S. Kashiwagi, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 0163-1918, 539 (2002). J. M. Koo, B. S. Seo, S. P. Kim, S. M. Shin, J. H. Lee, H. S. Baik, J. H. Lee, J. H. Lee, B. J. Bae, J. E. Lim, D. C. Yoo, S. O. Park, H. S. Kim, H. Han, S. G. Baik, J. Y. Choi, Y. J. Park, and Y. S. Park, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 539 (2005).
2. Y. Horri, Y. Hikosaka, A. Itoh, K. Matsuura, M. Kurasawa, G. I. Komuro, K. Maruyama, T. Eshita, and S. Kashiwagi, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 0163-1918, 539 (2002). J. M. Koo, B. S. Seo, S. P. Kim, S. M. Shin, J. H. Lee, H. S. Baik, J. H. Lee, J. H. Lee, B. J. Bae, J. E. Lim, D. C. Yoo, S. O. Park, H. S. Kim, H. Han, S. G. Baik, J. Y. Choi, Y. J. Park, and Y. S. Park, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 539 (2005).
3. J. S. Zhao, J. S. Sim, H. J. Lee, D.-Y. Park, K. W. Hwang, K. Lee, and C. S. Hwang, J. Electrochem. Soc., 153, F81 (2006).
4. G. Asano, T. Oikawa, H. Funakubo, and K. Saito, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, 42, L1083 (2003).
5. K. G. Brooks, I. M. Reaney, R. Klissurska, Y. Huang, L. Bursill, and N. Setter, J. Mater. Res., 9, 2540 (1994).
6. Z. Huang, Q. Zhang, and R. W. Whatmore, J. Appl. Phys., 85, 7355 (1999).
7. M. Kurasawa and P. C. McIntyre, J. Appl. Phys., 97, 104110 (2005).
8. H. R. Kim, S. J. Jeong, C. B. Jeon, O. S. Kwon, and C. S. Hwang, J. Mater. Res., 16, 3583 (2001).
9. J. S. Zhao, H. J. Lee, J. S. Sim, K. Lee, and C. S. Hwang, Appl. Phys. Lett., 88, 172904 (2006).
10. S. Y. Chen and I. W. Chen, J. Am. Ceram. Soc. 0002-7820 10.1111/j.1151-2916.1994.tb04602.x, 77, 2332 (1994); S. Y. Chen and I. W. Chen, J. Am. Ceram. Soc., 77, 2337 (1994).
11. S. Y. Chen and I. W. Chen, J. Am. Ceram. Soc. 0002-7820 10.1111/j.1151-2916.1994.tb04602.x, 77, 2332 (1994); S. Y. Chen and I. W. Chen, J. Am. Ceram. Soc., 77, 2337 (1994).
12. W. L. Warren, D. Dimos, B. A. Tuttle, R. D. Nasby, and G. E. Pike, Appl. Phys. Lett., 65, 1018 (1994).