Manganese doping and optical properties of ZnS nanoribbons by postannealing

Applied Physics Letters

Volumn 88, Issue 1, 2006, Pages

  Li, Y Q ^a   Zapien, J A ^a   Shan, Y Y ^a   Liu, Y K ^a   Lee, S T ^a  

^a CITY UNIVERSITY OF HONG KONG   (Hong Kong)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; CRYSTALS; DOPING (ADDITIVES); MANGANESE; MORPHOLOGY; NANOSTRUCTURED MATERIALS; OPTICAL PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE;

EXCITATION POWER; NANORIBBONS; POSTANNEALING TREATMENT; THERMAL ANNEALING; WURTZITE;

ZINC SULFIDE;

EID: 33645503273     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2161073     Document Type: Article

References (20)

1. H. C. Ong and R. P. H. Chang, Appl. Phys. Lett. 79, 3612 (2001).
2. T. K. Tran, W. Park, W. Tong, M. M. Kyi, B. K. Wagner, and C. J. Summers, J. Appl. Phys. 81, 2803 (1977).
3. W. S. Shi, H. Y. Peng, N. Wang, C. P. Li, L. Xu, C. S. Lee, and S. T. Lee, J. Am. Chem. Soc. 123, 11095 (2001).
4. Z. W. Pan, Z. R. Dai, and Z. L. Wang, Science 291, 1947 (2001).
5. Y. Jiang, X. M. Meng, J. Liu, Z. Y. Xie, C. S. Lee, and S. T. Lee, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 15, 323 (2003).
6. M. H. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Yan, Y. Wu, H. Kind, E. Webber, R. Russo, and P. Yang, Science 292, 1897 (2001).
7. Y. Cui and C. M. Lieber, Science 291, 851 (2001).
8. J. A. Zapien, Y. Jiang, X. M. Meng, W. Chen, F. C. K. Au, Y. Lifshitz, and S. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 84, 1189 (2004).
9. W. Chen, R. Sammynaiken, Y. Huang, J. O. Malm, R. Wallenberg, J. O. Bovin, V. Zwiller, and N. A. Kotov, J. Appl. Phys. 89, 1120 (2001).
10. A. D. Dinsmore, D. S. Hsu, S. B. Qadri, J. O. Cross, T. A. Kennedy, H. F. Gray, and B. R. Ratna, J. Appl. Phys. 88, 4985 (2000).
11. H. Yang, P. H. Holloway, and B. B. Ratna, J. Appl. Phys. 93, 586 (2003).
12. J. Zhan, Y. Bando, J. Hu, T. Sekiguchi, and D. Golberg, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 17, 225 (2005).
13. B. Y. Geng, L. D. Zhang, G. Z. Wang, T. Xie, Y. G. Zhang, and G. W. Meng, Appl. Phys. Lett. 84, 2157 (2004).
14. W. Lee, M. C. Jeong, and J. M. Myoung, Appl. Phys. Lett. 85, 6167 (2004).
15. C. Ronning, P. X. Gao, Y. Ding, Z. L. Wang, and D. Schwen, Appl. Phys. Lett. 84, 783 (2004).
16. R. S. Wagner and W. C. Ellis, Appl. Phys. Lett. 4, 89 (1964).
17. Y. K. Liu, J. A. Zapien, C. Y. Geng, Y. Y. Shan, C. S. Lee, Y. Lifshitz, and S. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 85, 3241 (2004).
18. Q. Xiong, G. Chen, J. D. Acord, X. Liu, J. J. Zengel, H. R. Gutierrez, J. M. Redwing, L. C. Lew Yan Voon, B. Lassen, and P. C. Eklund, Nano Lett. 4, 1663 (2004).
19. R. N. Bhargava, D. Gallagher, X. Hong, and A. Nurmikko, Phys. Rev. Lett. 72, 416 (1994).
20. R. Rossetti, R. Hull, J. M. Gibson, and L. E. Brus, J. Chem. Phys. 82, 552 (1985).