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Volumn 72, Issue 8, 2005, Pages

Localized high-energy emissions from the vicinity of defects in high-efficiency Gax In1-x N GaN quantum wells

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EID: 33644955494     PISSN: 10980121     EISSN: 1550235X     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevB.72.081309     Document Type: Article
Times cited : (39)

References (13)
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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.