Room temperature rectifying characteristics of epitaxial Y 1Ba 2Cu 3-xZn xO 7-δ (x=0.0,0.2) and Nb:SrTiO 3 (Nb: 0.05%, 0.1%, 0.5%) heterojunctions

Journal of Applied Physics

Volumn 99, Issue 4, 2006, Pages

  Ramadan, W ^a   Ogale, S B ^a   Dhar, S ^a   Fu, L F ^b   Browning, N D ^b   Venkatesan, T ^a  

^a University of Maryland   (United States)

^b NONE

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRICAL CHARACTERIZATION; METAL-SEMICONDUCTOR JUNCTIONS; ROOM TEMPERATURE (RT);

CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; THERMIONIC EMISSION; ZINC;

YTTRIUM COMPOUNDS;

EID: 33644583794     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2172867     Document Type: Article

References (35)

1. K. Ueda, H. Tabata, and T. Kawai, Science 280, 1064 (1998).
2. A. Ohtomo, D. A. Muller, J. L. Grazul, and H. Y. Hwang, Nature (London) 419, 378 (2002).
3. A. Ohmoto and H. Y. Hwang, Nature (London) 427, 423 (2004).
4. R. Singh, S. K. Arora, R. Tyagi, S. K. Agarwal, and D. Kanjilal, Bull. Mater. Sci. 23, 471 (2000).
5. H. Tanaka, J. Zhang, and T. Kawai, Phys. Rev. Lett. 88, 027204 (2002).
6. F. X. Hu, J. Gao, J. R. Sun, and B. G. Shen, Appl. Phys. Lett. 83, 1869 (2003).
7. A. Tiwari, C. Jin, D. Kumar, and J. Narayan, Appl. Phys. Lett. 83, 1773 (2003).
8. J. R. Sun, C. M. Xiong, T. Y. Zhao, S. Y. Zhang, Y. F. Chen, and B. G. Shen, Appl. Phys. Lett. 84, 1528 (2004).
9. J. R. Sun, C. M. Xiong, B. G. Shen, P. Y. Wang, and Y. X. Weng, Appl. Phys. Lett. 84, 2611 (2004).
10. J. R. Sun, C. M. Xiong, Y. F. Chen, B. G. Shen, and L. Kang, Europhys. Lett. 66, 868 (2004).
11. J. R. Sun, C. H. Lai, and H. K. Wong, Appl. Phys. Lett. 85, 73 (2004).
12. T. Muramatsu, Y. Muraoka, and Z. Hiroi, Solid State Commun. 132, 351 (2004).
13. M. Ziese, U. Kohler, R. Hohne, A. Bollero, and P. Esquinazi, J. Magn. Magn. Mater. 290, 1116 (2005).
14. C. Ren, J. Trbovic, P. Xiong, and S. Von Molnar, Appl. Phys. Lett. 86, 012501 (2005).
15. H. Hasegawa, T. Fukazawa, and T. Aida, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 28, L2210 (1989).
16. J. H. Takemoto, C. M. Jackson, H. M. Manasevit, D. C. St. John, J. F. Burch, K. P. Daly, and R. W. Simon, Appl. Phys. Lett. 58, 1109 (1991).
17. A. Yoshida, H. Tamura, K. Gotoh, N. Fujimaki, S. Hasuo, D. K. Chin, and T. Van Duzer, Physica B 169, 459 (1991).
18. Y. Muraoka, T. Muramatsu, J. Yamaura, and Z. Hiroi, Appl. Phys. Lett. 85, 2950 (2004).
19. Z. Y. Chen, A. Biswas, I. Zutic, T. Wu, S. B. Ogale, R. L. Green, and T. Venkatesan, Phys. Rev. B 63, 212508 (2001).
20. E. Li, R. P. Sharma, S. B. Ogale, Y. G. Zhao, T. Venkatesan, J. J. Li, W. L. Cao, and C. H. Lee, Phys. Rev. B 65, 184519 (2002).
21. E. Li, S. B. Ogale, R. P. Sharma, T. Venkatesan, J. J. Li, W. L. Cao, and C. H. Lee, Phys. Rev. B 69, 134520 (2004).
22. S. B. Ogale, M. Rajeswari, R. P. Sharma, and T. Venkatesan, Appl. Phys. Lett. 68, 421 (1996).
23. R. Ramesh et al., Science 247, 57 (1990).
24. L.F. Fu et al., (unpublished).
25. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed. (Wiley Interscience, New York, 1981).
26. A. Yoshida, H. Tamura, K. Gotoh, H. Takauchi, and S. Hasuo, J. Appl. Phys. 70, 4976 (1991).
27. A. Baikalov, Y. Wang, B. Shen, B. Lorenz, S. Tsui, Y. Y. Sun, Y. Y. Xue, and C. W. Chu, Appl. Phys. Lett. 83, 957 (2003).
28. A. Sawa, T. Fujii, M. Kawasaki, and Y. Tokura, Appl. Phys. Lett. 85, 4073 (2004).
29. T. Fujii, M. Kawasaki, A. Sawa, H. Akoh, Y. Kawazoe, and Y. Tokura, Appl. Phys. Lett. 86, 012107 (2005).
30. B. W. Veal, H. You, A. P. Paulikas, H. Shi, Y. Fang, and J. W. Downey, Phys. Rev. B 42, 4770 (1990).
31. B. H. Moeckly, D. K. Lathrop, and R. A. Buhrman, Phys. Rev. B 47, 400 (1993).
32. N. Chandrasekhar, O. T. Valls, and A. M. Goldman, Phys. Rev. Lett. 71, 1079 (1993).
33. S. H. Huerth, M. P. Taylor, H. D. Hallen, and B. H. Moeckly, Appl. Phys. Lett. 77, 2127 (2000).
34. W. Ramadan et al., Phys. Rev. B (in press).
35. T. R. Chien, Z. Z. Wang, and N. P. Ong, Phys. Rev. Lett. 67, 2088 (1991).