Influence of la doping in multiferroic properties of BiFe O3 thin films

Applied Physics Letters

Volumn 88, Issue 4, 2006, Pages 1-3

  Lee, Yi Hsien ^a   Wu, Jenn Ming ^a   Lai, Chih Huang ^a  

^a NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BISMUTH COMPOUNDS; CRYSTAL STRUCTURE; DOPING (ADDITIVES); MAGNETIZATION; MAGNETRON SPUTTERING; PERMITTIVITY; PEROVSKITE; POLARIZATION; THIN FILMS;

FATIGUE BEHAVIOR; MULTIFERROIC PROPERTIES;

LANTHANUM;

EID: 31544473506     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2167793     Document Type: Article

References (28)

1. N. A. Hill, J. Phys. Chem. B 104, 6694 (2000).
2. J. Wang, J. B. Neaton, H. Zheng, V. Nagarajan, S. B. Ogale, B. Liu, D. Viehland, V. Vaithyanathan, D. G. Schlom, U. V. Waghmare, N. A. Spaldin, K. M. Rabe, M. Wuttig, and R. Ramesh, Science 299, 1719 (2003).
3. S. Y. Yang, F. Zavaliche, L. Mohaddes-Ardabili, V. Vaithyanathan, D. G. Schlom, Y. J. Lee, Y. H. Chu, M. P. Cruz, Q. Zhan, T. Zhao, and R. Ramesh, Appl. Phys. Lett. 87, 102903 (2005).
4. M. Fiebig, T. Lottermoser, D. Frohlich, A. V. Golsev, and R. V. Pisarev, Nature (London) 419, 819 (2002).
5. X. Qi, J. Dho, R. Tomov, M. G. Blamire, and J. L. MacManus-Driscoll, Appl. Phys. Lett. 86, 062903 (2005).
6. J. Wang, H. Zheng, Z. Ma, S. Prasertchoung, M. Wuttig, R. Droopad, J. Yu, K. Eisenbeiser, and R. Ramesh, Appl. Phys. Lett. 85, 2574 (2004).
7. Y. H. Lee, J. M. Wu, Y. C. Chen, Y. H. Lu, and H. N. Lin, Electrochem. Solid-State Lett. 8, F43 (2005).
8. Y. H. Lee, C. S. Liang, and J. M. Wu, Electrochem. Solid-State Lett. 8, F55 (2005).
9. Y. H. Lee, J. M. Wu, Y. L. Chueh, and L. J. Chou, Appl. Phys. Lett. 87, 172901 (2005).
10. D. Lee, M. G. Kim, S. Ryu, H. M. Jang, and S. G. Lee, Appl. Phys. Lett. 86, 222903 (2005).
11. C. Ederer and N. A. Spaldin, Phys. Rev. B 71, 060401 (2005).
12. F. Bai, J. Wang, M. Wuttig, J. Li, N. Wang, A. P. Pyatakov, A. K. Zvezdin, L. E. Cross, and D. Viehland, Appl. Phys. Lett. 86, 032511 (2005).
13. H. S. Nalwa, Ferroelectric and Dielectric Thin Films (Academic, New York, 2002), p. 566.
14. C. Y. Yau, R. Palan, K. Tran, and R. C. Buchanan, Appl. Phys. Lett. 86, 032907 (2005).
15. T. Kojima, T. Sakai, T. Watanabe, and H. Funakubo, Appl. Phys. Lett. 80, 2746 (2002).
16. J. K. Lee, C. H. Kim, H. S. Suh, and K. S. Hong, Appl. Phys. Lett. 80, 3593 (2002).
17. Y. Y. Yao, C. H. Song, P. Bao, D. Su, X. M. Liu, J. S. Zhu, and Y. N. Wang, J. Appl. Phys. 95, 3126 (2004).
18. Y. Zhong, G. Hu, and T. A. Tang, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 42, 7424 (2003).
19. I. Sosnowska, W. Schafer, W. Kockelmann, K. H. Andersen, and I. O. Troyanchuk, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 74, S1040 (2002).
20. K. Y. Yun, M. Noda, and M. Okuyama, Appl. Phys. Lett. 83, 3981 (2003).
21. K. Y. Yun, M. Noda, M. Okuyama, H. Saeki, H. Tabata, and K. Saito, J. Appl. Phys. 96, 3399 (2004).
22. K. Y. Yun, M. Noda, and M. Okuyama, J. Korean Phys. Soc. 42, S1153 (2003).
23. H. Uchida, R. Ueno, H. Nakaki, H. Funakubo, and S. Koda, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 44, L561 (2005).
24. Y. R. Luo and J. M. Wu, Appl. Phys. Lett. 79, 3669 (2001).
25. C. S. Liang, J. M. Wu, and M. C. Chang, Appl. Phys. Lett. 81, 3624 (2002).
26. W. Eerenstein, F. D. Morrison, J. Dho, M. G. Blamire, J. F. Scott, and N. D. Mathur, Science 307, 1203a (2005).
27. C. Ederer and N. A. Spaldin, Phys. Rev. B 71, 224103 (2005).
28. J. Wang, A. Scholl, H. Zheng, S. B. Ogale, D. Viehland, D. G. Schlom, N. A. Spaldin, K. M. Rabe, M. Wuttig, L. Mohaddes, J. Neaton, U. Waghmare, T. Zhao, and R. Ramesh, Science 307, 1203b (2005).