Nanoscale layer etching by short-time exposure of substrates to gas discharges using moving patterned shutter

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 24, Issue 1, 2006, Pages 279-283

  Oehrlein, G S ^a,b   Hua, X ^b,c   Stolz, C ^a   Jiang, P ^d  

^a UNIVERSITY OF MARYLAND   (United States)

^b The Institute for Research in Electronics and Applied Physics   (United States)

^c Bldg 142   (United States)

^d TEXAS INSTRUMENTS   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRODE BIAS VOLTAGE; GAS DISCHARGES; NANOSCALE LAYER ETCHING;

ELECTRIC DISCHARGES; ELECTRODES; ETCHING; PLASMAS; SUBSTRATES;

NANOSTRUCTURED MATERIALS;

EID: 31544449746     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.2162570     Document Type: Article

References (11)

1. J. A. O'Neill and J. Singh, J. Appl. Phys. 77, 497 (1995).
2. M. Schaepkens, R. C. M. Bosch, T. Standaert, G. S. Oehrlein, and J. M. Cook, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 2099 (1998).
3. K. W. Guarini, C. T. Black, K. R. Milkove, and R. L. Sandstrom, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 2784 (2001).
4. K. W. Guarini, C. T. Black, Y. Zhang, H. Kim, E. M. Sikorski, and I. V. Babich, J. Vac. Sci. Technol. B 20, 2788 (2002).
5. T. Standaert, C. Hedlund, E. A. Joseph, G. S. Oehrlein, and T. J. Dalton, J. Vac. Sci. Technol. A 22, 53 (2004).
6. X. F. Hua, C. Stolz, G. S. Oehrlein, P. Lazzeri, N. Coghe, M. Anderle, C. K. Inoki, T. S. Kuan, and P. Jiang, J. Vac. Sci. Technol. A 23, 151 (2005).
7. X. Hua, S. Engelmann, G. S. Oehrlein, J. Ping, P. Lazzeri, E. Iacob, and M. Anderle, J. Vac. Sci. Technol. A (submitted).
8. N. R. Rueger, J. J. Beulens, M. Schaepkens, M. F. Doemling, J. M. Mirza, T. E. F. M. Standaert, and G. S. Oehrlein, J. Vac. Sci. Technol. A 0734-2101 10.1116/1.580655 15, 1881 (1997); T. E. F. M. Standaert, M. Schaepkens, N. R. Rueger, P. G. M. Sebel, G. S. Oehrlein, and J. M. Cook, J. Vac. Sci. Technol. A 0734-2101 10.1116/1.580978 16, 239 (1998); T. E. F. M. Standaert, C. Hedlund, E. A. Joseph, G. S. Oehrlein, and T. J. Dalton, J. Vac. Sci. Technol. A 22, 53 (2004).
9. N. R. Rueger, J. J. Beulens, M. Schaepkens, M. F. Doemling, J. M. Mirza, T. E. F. M. Standaert, and G. S. Oehrlein, J. Vac. Sci. Technol. A 0734-2101 10.1116/1.580655 15, 1881 (1997); T. E. F. M. Standaert, M. Schaepkens, N. R. Rueger, P. G. M. Sebel, G. S. Oehrlein, and J. M. Cook, J. Vac. Sci. Technol. A 0734-2101 10.1116/1.580978 16, 239 (1998); T. E. F. M. Standaert, C. Hedlund, E. A. Joseph, G. S. Oehrlein, and T. J. Dalton, J. Vac. Sci. Technol. A 22, 53 (2004).
10. N. R. Rueger, J. J. Beulens, M. Schaepkens, M. F. Doemling, J. M. Mirza, T. E. F. M. Standaert, and G. S. Oehrlein, J. Vac. Sci. Technol. A 0734-2101 10.1116/1.580655 15, 1881 (1997); T. E. F. M. Standaert, M. Schaepkens, N. R. Rueger, P. G. M. Sebel, G. S. Oehrlein, and J. M. Cook, J. Vac. Sci. Technol. A 0734-2101 10.1116/1.580978 16, 239 (1998); T. E. F. M. Standaert, C. Hedlund, E. A. Joseph, G. S. Oehrlein, and T. J. Dalton, J. Vac. Sci. Technol. A 22, 53 (2004).
11. R. L. Sandstrom, B. Pezeshki, F. Agahi, R. Martel, and J. G. Crockett, Appl. Phys. Lett. 69, 2163 (1996).