Controlling the site density of multiwall carbon nanotubes via growth conditions

Applied Physics Letters

Volumn 84, Issue 25, 2004, Pages 5156-5158

  Siegal, M P ^a   Overmyer, D L ^a   Kaatz, F H ^a  

^a SANDIA NATIONAL LABORATORIES   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CATALYST LAYERS; DIFFUSUION BARRIER LAYERS; FILM STRESSES; SITE DENSITY;

CATALYSTS; CHEMICAL BONDS; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; DEGRADATION; EVAPORATION; FILM GROWTH; HYDROCARBONS; RESIDUAL STRESSES; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY; SILICON WAFERS; TENSILE STRENGTH; THERMAL EXPANSION; THICK FILMS;

CARBON NANOTUBES;

EID: 3142710082     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1765741     Document Type: Article

References (21)

1. T. Kyotani, L-f. Tsai, and A. Tomita, Chem. Mater. 8, 2109 (1996).
2. Z. F. Ren, Z. P. Huang, J. W. Xu, J. H. Wang, P. Bush, M. P. Siegal, and P. P. Provencio, Science 282, 1105 (1998).
3. Z. P. Huang, J. W. Xu, Z. F. Ren, J. H. Wang, M. P. Siegal, and P. P. Provencio, Appl. Phys. Lett. 73, 3845 (1998).
4. J-M. Bonard, J-P. Salvetat, T. Stockli, W. A. de Heer, L. Forro, and A. Chatelain, Appl. Phys. Lett. 73, 918 (1998).
5. Q. H. Wang, A. A. Setlur, J. M. Latterhaas, J. Y. Dai, E. W. Seelig, and R. P. H. Chang, Appl. Phys. Lett. 72, 2912 (1998).
6. W. B. Choi, D. S. Chung, J. H. Kang, H. Y. Kim, Y. W. Jin, I. T. Han, Y. H. Lee, J. E. Jung, N. S. Lee, G. S. Park, and J. M. Kim, Appl. Phys. Lett. 75, 3129 (1999).
7. H. Dai, N. Franklin, and J. Han, Appl. Phys. Lett. 73, 1508 (1998).
8. K. B. K. Teo, M. Chhowalla, G. A. J. Amaratunga, W. I. Milne, P. Legagneux, G. Pirio, L. Gangloff, D. Pribat, V. Semet, V. T. Binh, W. H. Bruenger, J. Eichholz, H. Haussen, D. Friedrich, S. B. Lee, D. G. Hasko, and H. Ahmed, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 693 (2003).
9. H. Sugie, M. Tanemura, V. Filip, K. Iwata, K. Takahashi, and F. Okuyama, Appl. Phys. Lett. 78, 2578 (2001).
10. G. Z. Yue, Q. Qiu, B. Gao, Y. Cheng, J. Zhang, H. Shimoda, S. Chang, J. P. Lu, and O. Zhou, Appl. Phys. Lett. 81, 355 (2002).
11. E. Frackowiak, K. Metenier, V. Bertagna, and F. Beguin, Appl. Phys. Lett. 77, 2421 (2000).
12. J. H. Chen, W. Z. Li, D. Z. Wang, S. X. Yang, J. G. Wen, and Z. F. Ren, Carbon 40, 1193 (2002).
13. Y. Tu, Y. Lin, and Z. F. Ren, Nano Lett. 3, 107 (2003).
14. L. Nilsson, O. Groening, C. Emmenegger, O. Kuettel, E. Schaller, L. Schlapbach, H. Kind, J-M. Bonard, and K. Kern, Appl. Phys. Lett. 76, 2071 (2000).
15. J. Kind, J-M. Bonard, L. Forro, K. Kern, K. Hernadi, L-O. Nilsson, and L. Schlapbach, Langmuir 16, 6877 (2000).
16. Y. Tu, Z. P. Huang, D. Z. Wang, J. G. Wen, and Z. F. Ren, Appl. Phys. Lett. 80, 4018 (2002).
17. Z. F. Ren, Z. P. Huang, D. Z. Wang, J. G. Wen, J. W. Xu, J. H. Wang, L. E. Calvet, J. Chen, J. F. Klemic, and M. A. Reed, Appl. Phys. Lett. 75, 1086 (1999).
18. Z. P. Huang, D. L. Camahan, J. Rybczynski, M. Giersig, M. Sennett, D. Z. Wang, J. G. Wen, K. Kempa, and Z. F. Ren, Appl. Phys. Lett. 82, 460 (2003).
19. K. B. K. Teo, M. Chhowalla, G. A. J. Amaratunga, W. I. Milne, G. Pirio, P. Legagneux, F. Wyczisk, D. Pribat, and D. G. Hasko, Appl. Phys. Lett. 80, 2011 (2002).
20. M. P. Siegal, D. L. Overmyer, and P. P. Provencio, Appl. Phys. Lett. 80, 2171 (2002).
21. L. Valentini, J. M. Kenny, L. Lozzi, and S. Santucci, J. Appl. Phys. 92, 6188 (2002).