Fabrication and electrical characteristics of carbon nanotube-based microcathodes for use in a parallel electron-beam lithography system

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 21, Issue 2, 2003, Pages 693-697

  Teo, K B K ^a   Chhowalla, M ^a   Amaratunga, G A J ^a   Milne, W I ^a   Legagneux, P ^b   Pirio, G ^b   Gangloff, L ^b   Pribat, D ^b   Semet, V ^c   Binh, Vu Thien ^c   Bruenger, W H ^e   Eichholz, J ^e   Hanssen, H ^e   Friedrich, D ^e   Lee, S B ^d   Hasko, D G ^d   Ahmed, H ^d  

^a UNIVERSITY OF CAMBRIDGE   (United Kingdom)

^b THALES RESEARCH AND TECHNOLOGY   (France)

^c UNIVERSITÉ LYON 1   (France)

^d UNIVERSITY OF CAMBRIDGE   (United Kingdom)

^e NONE

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CATHODES; CMOS INTEGRATED CIRCUITS; ELECTRIC CURRENTS; ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY; MASKS;

MICROCATHODES;

CARBON NANOTUBES;

EID: 0037274160     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.1545755     Document Type: Review

References (14)

1. T. H. P. Chang, D. P. Kern, and L. P. Muray, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 2743 (1992).
2. L.P. Muray, J. P. Spallas, C. Stebler, K. Lee, M. Mankos, Y. Hsu, M. Gmur, and T. H. P. Chang, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 3099 (2000).
3. V. T. Binh, V. Semet, D. Guillot, P. Legagueux, and D. Pribat, Appl. Phys. Lett. 73, 2048 (1998); A. Zlatkin and N. Garcia, ibid. 75, 1807 (1999).
4. V. T. Binh, V. Semet, D. Guillot, P. Legagueux, and D. Pribat, Appl. Phys. Lett. 73, 2048 (1998); A. Zlatkin and N. Garcia, ibid. 75, 1807 (1999).
5. Z. F. Ren, Z. P. Huang, J. W. Xu, J. H. Wang, P. Bush, M. P. Siegal, and P. N. Provencio, Science 282, 1105 (1998); Z. F. Ren, Z. P. Huang, D. Z. Wang, J. G. Wen, J. W. Xu, J. H. Wang, L. E. Calvet, J. Chen, J. F. Klemic, and M. A. Reed, Appl. Phys. Lett. 75, 1086 (1999).
6. Z. F. Ren, Z. P. Huang, J. W. Xu, J. H. Wang, P. Bush, M. P. Siegal, and P. N. Provencio, Science 282, 1105 (1998); Z. F. Ren, Z. P. Huang, D. Z. Wang, J. G. Wen, J. W. Xu, J. H. Wang, L. E. Calvet, J. Chen, J. F. Klemic, and M. A. Reed, Appl. Phys. Lett. 75, 1086 (1999).
7. V. I. Merkulov, D. H. Lowndes, Y. Y. Wei, G. Eres, and E. Voelkl, Appl. Phys. Lett. 76, 3555 (2000).
8. K. B. K. Teo, M. Chhowalla, G. A. J. Amaratunga, W. I. Milne, D. G. Hasko, G. Pirio, P. Legagneux, F. Wyczisk, and D. Pribat, Appl. Phys. Lett. 79, 1534 (2001).
9. M. Chhowalla, K. B. K. Teo, C. Ducati, N. L. Rupesinghe, G. A. J. Amaratunga, A. C. Ferrari, D. Roy, J. Robertson, and W. I. Milne, J. Appl. Phys. 90, 5308 (2001).
10. K. B. K. Teo et al., Nanotechnology 14, 204 (2003).
11. L. R. Baylor, V. I. Merkulov, E. D. Ellis, M. A. Guillorn, D. H. Lowndes, A. V. Melechko, M. L. Simpson, and J. H. Whealton, J. Appl. Phys. 91, 7 (2002).
12. V. Semet, V. T. Binh, P. Vincent, D. Guillot, K. B. K. Teo, M. Chhowalla, G. A. J. Amaratunga, W. I. Milne, P. Legagneux, and D. Pribat, Appl. Phys. Lett. 81, 343 (2002).
13. M. A. Guillorn, A. V. Melechko, V. I. Merkulov, E. D. Ellis, C. L. Britton, M. L. Simpson, and D. H. Lowndes, Appl. Phys. Lett. 79, 3506 (2001).
14. G. Pirio, P. Legagneux, D. Pribat, K. B. K. Teo, M. Chhowalla, G. A. J. Amaratunga, and W. I. Milne, Nanotechnology 13, 1 (2002).