GaAs buffer layer morphology and lateral distributions of InGaAs quantum dots

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 23, Issue 3, 2005, Pages 1226-1231

  Roshko, A ^a   Harvey, T E ^a   Lehman, S Y ^a,b   Mirin, R P ^a   Bertness, K A ^a   Hyland, B L ^a  

^a NATIONAL INSTITUTE OF STANDARDS AND TECHNOLOGY   (United States)

^b 931 College Mall   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DENSITY DISTRIBUTIONS; GAAS BUFFER LAYERS;

MORPHOLOGY; SELF ASSEMBLY; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS;

SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS;

EID: 31144475879     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.1900729     Document Type: Conference Paper

References (22)

1. See, e.g., G. S. Solomon, J. A. Trezze, and J. S. Harris, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.113709 66, 3161 (1995); H. Li, Q. Zhuang, Z. Wang, and T. Daniels-Race, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.371842 87, 188 (2000); F. Patella, M. Fantoni, F. Arciprete, S. Nufris, E. Placidi, and A. Balzarotti, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1339850 78, 320 (2001); T. J. Krzyzewski, P. B. Joyce, G. R. Bell, and T. S. Jones, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.66.201302 66, 201302 (2002); O. Suekane, S. Hasegawa, M. Takata, T. Okui and H. Nakashima, Mater. Sci. Eng., B 88, 158 (2002).
2. See, e.g., G. S. Solomon, J. A. Trezze, and J. S. Harris, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.113709 66, 3161 (1995); H. Li, Q. Zhuang, Z. Wang, and T. Daniels-Race, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.371842 87, 188 (2000); F. Patella, M. Fantoni, F. Arciprete, S. Nufris, E. Placidi, and A. Balzarotti, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1339850 78, 320 (2001); T. J. Krzyzewski, P. B. Joyce, G. R. Bell, and T. S. Jones, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.66.201302 66, 201302 (2002); O. Suekane, S. Hasegawa, M. Takata, T. Okui and H. Nakashima, Mater. Sci. Eng., B 88, 158 (2002).
3. See, e.g., G. S. Solomon, J. A. Trezze, and J. S. Harris, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.113709 66, 3161 (1995); H. Li, Q. Zhuang, Z. Wang, and T. Daniels-Race, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.371842 87, 188 (2000); F. Patella, M. Fantoni, F. Arciprete, S. Nufris, E. Placidi, and A. Balzarotti, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1339850 78, 320 (2001); T. J. Krzyzewski, P. B. Joyce, G. R. Bell, and T. S. Jones, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.66.201302 66, 201302 (2002); O. Suekane, S. Hasegawa, M. Takata, T. Okui and H. Nakashima, Mater. Sci. Eng., B 88, 158 (2002).
4. See, e.g., G. S. Solomon, J. A. Trezze, and J. S. Harris, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.113709 66, 3161 (1995); H. Li, Q. Zhuang, Z. Wang, and T. Daniels-Race, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.371842 87, 188 (2000); F. Patella, M. Fantoni, F. Arciprete, S. Nufris, E. Placidi, and A. Balzarotti, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1339850 78, 320 (2001); T. J. Krzyzewski, P. B. Joyce, G. R. Bell, and T. S. Jones, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.66.201302 66, 201302 (2002); O. Suekane, S. Hasegawa, M. Takata, T. Okui and H. Nakashima, Mater. Sci. Eng., B 88, 158 (2002).
5. See, e.g., G. S. Solomon, J. A. Trezze, and J. S. Harris, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.113709 66, 3161 (1995); H. Li, Q. Zhuang, Z. Wang, and T. Daniels-Race, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.371842 87, 188 (2000); F. Patella, M. Fantoni, F. Arciprete, S. Nufris, E. Placidi, and A. Balzarotti, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1339850 78, 320 (2001); T. J. Krzyzewski, P. B. Joyce, G. R. Bell, and T. S. Jones, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.66.201302 66, 201302 (2002); O. Suekane, S. Hasegawa, M. Takata, T. Okui and H. Nakashima, Mater. Sci. Eng., B 88, 158 (2002).
6. D. A. Allwood, S. Cox, N. J. Mason, R. Palmer, R. Young, and P. J. Walker, Thin Solid Films 412, 76 (2002).
7. D. A. Allwood, N. J. Mason, A. Mowbray, and R. Palmer, J. Cryst. Growth 248, 108 (2003).
8. E. J. Heller and M. G. Legally, Appl. Phys. Lett. 60, 2675 (1992).
9. C. Orme, M. D. Johnson, J. L. Sudijono, K. T. Leung, and B. G. Orr, Appl. Phys. Lett. 64, 860 (1994).
10. M. D. Johnson, C. Orme, A. W. Hunt, D. Graff, J. Sudijono, L. M. Sander, and B. G. Orr, Phys. Rev. Lett. 72, 116 (1994).
11. G. Apostolopoulos, J. Herfort, L. Däweritz, and K. H. Ploog, Phys. Rev. Lett. 84, 3358 (2000).
12. A. Ballestad, B. J. Ruck, M. Adamcyk, T. Pinnington, and T. Tiedje, Phys. Rev. Lett. 86, 2377 (2001).
13. A. Ballestad, B. J. Ruck, J. H. Schmid, M. Adamcyk, E. Nodwell, C. Nicoll, and T. Tiedje, Phys. Rev. B 65, 205302 (2002).
14. T. E. Harvey, K. A. Bertness, R. K. Hickernell, C. M. Wang, and J. D. Splett, J. Cryst. Growth 251, 73 (2003).
15. S. Y. Lehman, A. Roshko, R. P. Mirin, K. A. Bertness, and K. Cobry (unpublished).
16. G. W. Smith, A. J. Pidduck, C. R. Whitehouse, J. L. Glasper, and J. Spowart, J. Cryst. Growth 127, 966 (1993).
17. R. L. Schwoebel and E. J. Shipsey, J. Appl. Phys. 37, 3682 (1966).
18. J. Villian, J. Phys. I 1, 19 (1991).
19. R. Kunkel, B. Poelsema, L. K. Verheij, and G. Comsa, Phys. Rev. Lett. 65, 733 (1990).
20. M. D. Johnson, K. T. Leung, A. Birch, and B. G. Orr, J. Cryst. Growth 174, 572 (1997).
21. S. Y. Lehman, A. Roshko, R. P. Mirin, and J. E. Bonevich, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 737, E13.40 (2003).
22. C. Pryor, Phys. Rev. B 60, 2869 (1999).