Electrical and optical properties of Si-doped InP grown by solid source molecular beam epitaxy using a valved phosphorus cracker cell

Journal of Applied Physics

Volumn 87, Issue 11, 2000, Pages 7988-7993

  Zheng, H Q ^a   Radahakrishnan, K ^a   Yoon, S F ^a   Ng, G I ^a  

^a NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 3042687663     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.373484     Document Type: Article

References (39)

1. M. A. DiForte-Poisso, C. Brylinski, and J. P. Duchemin, Appl. Phys. Lett. 46, 476 (1985).
2. M. Lambert, A. Perales, R. Vergnaud, and C. Starck, J. Cryst. Growth 105, 97 (1990).
3. H. Asonew, K. Rakennus, K. Tappura, M. Hovinen, and M. Pessa, J. Cryst. Growth 105, 101 (1990).
4. J. L. Benchimol, F. Alaoui, Y. Gao, G. Le Roux, E. V. K. Rao, and F. Alexandre, J. Cryst. Growth 105, 135 (1990).
5. H. Heinecke, B. Baur, R. Hoger, and A. Miklis, J. Cryst. Growth 105, 143 (1990).
6. H. Rothfritz, G. Trankle, R. Muller, and G. Weimann, J. Cryst. Growth 120, 130 (1992).
7. T. S. Rao, C. Lacelle, and A. P. Roth, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 840 (1993).
8. A. Sandhu and M. Missous, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 2108 (1996).
9. X. Yang and H. Hasegawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 32, 704 (1993).
10. S. F. Yoon, H. Q. Zheng, P. H. Zhang, and K. W. Mah, J. Cryst. Growth 186, 475 (1998).
11. J. N. Baillargeon, A. Y. Cho, and R. J. Fischer, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 1106 (1994).
12. J. C. Harmand, J. P. Praseuth, E. Idiart-Alhor, R. Palla, J. L. Pelouard, and M. Quillec, J. Cryst. Growth 150, 1292 (1995).
13. P. J. Skevington, D. A. Andrews, and G. J. Davies, J. Cryst. Growth 105, 371 (1990).
14. B. Marheineke, E. Veuhoff, and H. Heinecke, J. Cryst. Growth 188, 183 (1998).
15. S. Izumi, N. Hayafuji, K. Ito, K. Sato, and M. Otsubo, Appl. Phys. Lett. 68, 3102 (1996).
16. J. N. Baillargeon, A. Y. Cho, and R. J. Fischer, IPRM'94, 148 (1994).
17. J. Margrave, The Characterization of High Temperature Vapors (Wiley, New York, 1967).
18. S. L. Jackson, M. T. Fresina, J. E. Baker, and G. E. Stillman, Appl. Phys. Lett. 64, 2867 (1994).
19. W. Walukiewicz, J. Lagowski, L. Jastrzebski, P. Rava, M. Lichtensteiger, C. H. Gato, and H. C. Gatos, J. Appl. Phys. 51, 2659 (1980).
20. C. C. Hu, M. H. Lin, and M. K. Lee, Thin Solid Films 288, 147 (1996).
21. D. A. Anderson and N. Apsley, J. Appl. Phys. 58, 3059 (1985).
22. S. F. Yoon, K. W. Mah, and H. Q. Zheng, J. Appl. Phys. 85, 7374 (1999).
23. L. S. Sidhu, and S. Zukotynski, J. Appl. Phys. 77, 3378 (1995).
24. P. Zheng, M.-O. Ruault, M. F. Denanot, B. Descouts, and P. Krauz, J. Appl. Phys. 69, 197 (1991).
25. O. Ka, A. Yamada, H. Yoshinaga, and Y. Makita, J. Appl. Phys. 78, 5171 (1995).
26. C. Hilsum, Electron. Lett. 10, 259 (1974).
27. J. Oh, J. Shirakashi, F. Fukuchi, and M. Konagai, Appl. Phys. Lett. 66, 2891 (1995).
28. Y. Morishita, S. Maruno, M. Gotoda, Y. Nomura, and H. Ogata, J. Cryst. Growth 95, 176 (1989).
29. A. Gomyo, H. Hotta, I. Hino, S. Kawata, K. Kobayashi, and T. Suzuki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 28, L1330 (1989).
30. J. B. Lee, I. Kim, H. K. Kwon, and B. D. Choe, Appl. Phys. Lett. 62, 1620 (1987).
31. P. Y. Yu and M. Cardona, Fundamentals of Semiconductors Physics and Material Properties (Springer, New York, 1996), p. 342.
32. G. C. Jiang, J. Appl. Phys. 79, 2060 (1996).
33. V. Seaminathan and A. T. Macrander, Materials Aspects of GaAs and InP Based Structures, (Prentice Hall, Englewood Cliffs, NJ, 1991), p. 316.
34. R. M. Sieg and S. A. Ringel, J. Appl. Phys. 80, 448 (1996).
35. M. Bugajski and W. Lewandowski, J. Appl. Phys. 57, 521 (1985).
36. S. C. Jain, J. M. McGregor, and D. J. Roulston, J. Appl. Phys. 68, 3747 (1990).
37. Z. H. Lu, M. C. Hanna, and A. Majerfeld, Appl. Phys. Lett. 64, 88 (1994).
38. G. Borghs, K. Bhattacharyya, K. Deneffe, P. Van Mieghem, and R. Mertens, J. Appl. Phys. 66, 4381 (1989).
39. H. Yao and A. Compaan, Appl. Phys. Lett. 57, 147 (1990).