Charge carrier density dependence of the hole mobility in poly(p-phenylene vinylene)

Physica Status Solidi (A) Applied Research

Volumn 201, Issue 6, 2004, Pages 1236-1245

  Tanase, C ^a   Blom, P W M ^a   De Leeuw, D M ^b   Meijer, E J ^b  

^a UNIVERSITY OF GRONINGEN   (Netherlands)

^b PHILIPS RESEARCH LABORATORIES   (Netherlands)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANISOTROPY; CARRIER CONCENTRATION; CHARGE CARRIERS; FIELD EFFECT TRANSISTORS; HOLE MOBILITY; LIGHT EMITTING DIODES; MICROELECTRONICS; PHOTOLUMINESCENCE; THIN FILM TRANSISTORS;

DISTRIBUTED DOPANT IONS; GAUSSIAN DOS; POLY(P-PHENYLENE VINYLENE) (PPV); SINGLE CHARGE TRANSPORT MODEL;

VINYL RESINS;

EID: 2942511364     PISSN: 00318965     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssa.200404340     Document Type: Article

References (23)

1. J. H. Burroughes, D. D. C. Bradley, A. R. Brown, R. N. Marks, K. Mackay, R. H. Friend, P. L. Burn, and A. B. Holmes, Nature (London) 347, 539 (1990).
2. P. W. M. Blom, M. C. J. M. Vissenberg, J. N. Huiberts, H. C. F. Martens, and H. F. M. Schoo, Appl. Phys. Lett. 77, 2057 (2000).
3. H. Sirringhaus, N. Tessler, and R. H. Friend, Science 280, 1741 (1998).
4. H. E. A. Huitema, G. H. Gelinck, J. B. P. H. van der Putten, K. E. Kuijk, C. M. Hart, E. Cantatore, P. T. Herwig, A. J. J. M. van Breemen, and D. M. de Leeuw, Nature 414, 599 (2001).
5. H. Bässler, phys. status solidi (b) 175, 15 (1993).
6. S. V. Novikov, D. H. Dunlap, V. M. Kenkre, P. E. Parris, and A. V. Vannikov, Phys. Rev. Lett. 81, 4472 (1998).
7. H. Sirringhaus, P. J. Brown, R. H. Friend, M. M. Nielsen, K. Bechgaard, B. M. W. Langeveld-Voss, A. J. H. Spiering, R. A. J. Janssen, E. W. Meijer, P. T. Herwig, and D. M. de Leeuw, Nature (London) 401, 685 (1999).
8. S. F. Nelson, Y.-Y. Lin, D. J. Gundlach, and T. N. Jackson, Appl. Phys. Lett. 77, 1854 (1998).
9. R. H. Friend, Y.-Y. Lin, R. W. Gymer, A. B. Holmes, J. H. Burroughes, R. N. Marks, C. Taliani, D. D. C. Bradley, D. A. Dos Santos, J. L. Brédas, M. Lögdlung, and W. R. Salaneck, Nature (London) 397, 121 (1999).
10. C. D. Dimitrakopoulos and P. R. L. Malenfant, Adv. Mater. 14, 99 (2002).
11. G. H Gelinck, H. E. Huitema, E. van Veenendaal, E. Cantatore, L. Schrijnemakers, J. B. P. H. van der Putten, T. C. T. Geuns, M. Beenhakkers, J. B. Giesbers, B.-H. Huisman, E. J. Meijer, E. Mena Benito, F. J. Touwslager, A. W. Marsman, B. J. E. van Rens, and D. M. de Leeuw, Nature Mater. 3, 106 (2004).
12. M. C. J. M. Vissenberg and M. Matters, Phys. Rev. B 57, 12964 (1998).
13. C. Tanase, E. J. Meijer, P. W. M. Blom, and D. M. de Leeuw, Phys. Rev. Lett. 91, 216601 (2003).
14. Y. Roichman and N. Tessler, Appl. Phys. Lett. 80, 1948 (2002).
15. P. W. M. Blom and M. C. J. M. Vissenberg, Mater, Sci. Eng. 27, 53 (2000).
16. H. C. F. Martens, P. W. M. Blom, and H. F. M. Schoo, Phys. Rev. B 61, 7489 (2000).
17. M. Kemerink, J. K. J. van Duren, P. Jonkheijm, W. F. Pasveer, P. M. Koenraad, R. A. J. Janssen, H. W. M. Salemink, and J. H. Wolter, Nano Lett. 3, 1191 (2003).
18. A. R. Brown, C. P. Jarrett, D. M. de Leeuw, and M. Matters, Synt. Met. 88, 37 (1997).
19. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices (Wiley, New York, 1981).
20. C. Tanase, E. J. Meijer, P. W. M. Blom, and D. M. de Leeuw, Org. Electron. 4, 33 (2003).
21. C. M. Ramsdale and N. C. Greenham, Adv. Mater. 14, 212 (2002).
22. E. J. Meijer, M. Matters, P. T. Herwig, D. M. de Leeuw, and T. M. Klapwijk, Appl. Phys. Lett. 76, 3433 (2000).
23. V. I. Arkhipov, P. Heremans, E. V. Emelianova, G. J. Adriaensses, and H. Bässler, Appl. Phys. Lett. 82, 3245 (2003).