Improvement of retention loss in Pb (Zr,Ti) O3 capacitors using IrSrRu O3 top electrodes

Applied Physics Letters

Volumn 87, Issue 21, 2005, Pages 1-3

  Kim, Sukpil ^a   Koo, Junemo ^a   Shin, Sangmin ^a   Park, Youngsoo ^a  

^a Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CAPACITORS; ELECTRODES; INTERFACES (MATERIALS); IRIDIUM COMPOUNDS; POLARIZATION;

DEFECT GENERATION; ELECTRODE STRUCTURE; RETENTION ENHANCEMENT; RETENTION LOSS;

LEAD;

EID: 27844484010     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2135898     Document Type: Article

References (15)

1. A. K. Charma, Semiconductor Memories, New York, 387 (1997).
2. S. Aggarwal, I. G. Jenkins, B. Nagaraj, C. J. Kerr, C. Canedy, R. Ramesh, G. Velasquez, L. Boyer, and J. T. Evans, Jr., Appl. Phys. Lett. 75, 1787 (1999).
3. S. Shin, C. R. Cho, J. M. Koo, S. P. Kim, Y. J. Cho, S. H. Park, J. H. Lee, Y. Park, J. K. Lee, J. Y. Cho, D. J. Kim, T. W. Noh, J. G. Yoon, and B. S. Kang, Integr. Ferroelectr. 64, 169 (2004).
4. S. Shin, M. Hofmann, Y. K. Lee, C. R. Cho, J. K. Lee, Y. Park, K. M. Lee, and Y. J. Song, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 748, 25 (2002).
5. B. S. Kang, D. J. Kim, J. Y. Jo, T. W. Noh, J. G. Yoon, T. K. Song, Y. K. Lee, J. K. Lee, and Y. S. Park, Appl. Phys. Lett. 84, 3127 (2004).
6. A. Gruverman and M. Tanaka, J. Appl. Phys. 89, 1836 (2001).
7. K. M. Lee, H. G. An, J. K. Lee, Y. T. Lee, S. W. Lee, S. H. Joo, S. D. Nam, K. S. Park, M. S. Lee, S. O. Park, H. K. Kang, and J. T. Moon, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 40, 4979 (2001).
8. T. Morimoto, O. Hidaka, K. Yamakawa, O. Arisumi, H. Kanaya, T. Iwamoto, Y. Kumura, I. Kunishima, and S. Tanaka, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 39, 2110 (2000).
9. C. B. Eom, R. B. Van Dover, J. M. Phillips, D. J. Werder, J. H. Marshall, C. H. Chen, R. J. Cava, R. M. Fleming, and D. K. Fork, Appl. Phys. Lett. 63, 2570 (1993).
10. I. Stolichnov, A. Tagantsev, N. Setter, J. S. Cross, and M. Tsukada, Appl. Phys. Lett. 75, 1790 (1999).
11. I. Stolichnov, A. Tagantsev, N. Setter, J. S. Cross, and M. Tsukada, Appl. Phys. Lett. 74, 3552 (1999).
12. J. S. Cross, M. Tomotani, and Y. Kotaka, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 40, L346 (2001).
13. B. R. Chalamala, Y. Wei, R. H. Reuss, S. Aggarwal, B. E. Gnade, R. Ramesh, J. M. Bernhard, E. D. Sosa, and D. E. Golden, Appl. Phys. Lett. 74, 1394 (1999).
14. R. G. Wilson, J. Appl. Phys. 37, 3170 (1966).
15. C. Yoshida, A. Yoshida, and H. Tamura, Appl. Phys. Lett. 75, 1449 (1999).