Capacitance pressure sensor based on GaN high-electron-mobility transistor-on-Si membrane

Applied Physics Letters

Volumn 86, Issue 25, 2005, Pages 1-3

  Kang, B S ^a   Kim, J ^a   Jang, S ^a   Ren, F ^a   Johnson, J W ^b   Therrien, R J ^b   Rajagopal, P ^b   Roberts, J C ^b   Piner, E L ^b   Linthicum, K J ^b   Chu, S N G ^c   Baik, K ^a   Gila, B P ^a   Abernathy, C R ^a   Pearton, S J ^a  

^a J Crayton Pruitt Family Department of Biomedical Engineering   (United States)

^b NITRONEX CORPORATION   (United States)

^c Multiplex Inc   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AMBIENT PRESSURE; COMPRESSIVE STRAIN; PRESSURE SENSORS; TRANSISTOR-ON-SI MEMBRANES;

CAPACITANCE; CHEMICAL SENSORS; COMPRESSIVE STRENGTH; ELECTRON MOBILITY; ETCHING; GALLIUM NITRIDE; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY; SENSORS;

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS;

EID: 24344445315     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1952568     Document Type: Article

References (21)

1. W. H. Ko and Q. Wang, Sens. Actuators, A 75, 242 (1999).
2. A. A. Ned, R. S. Okojie, and A. D. Kurtz, Proc. High Temp. Electronics Conf. (IEEE, Piscataway, NJ, 1998), Vol. 14-18, pp. 257-260.
3. C. H. Wu, S. Stefanescu, H. I. Kuo, C. A. Zorman, and M. Mehregany, Proc. Int. Conf. Solid-State Sensors and Actuators, Copenhagen, Denmark, July 1997, pp. 514-517.
4. D. J. Young, J. Du, C. A. Zorman, and W. H. Ko, IEEE Sens. J. 4, 464 (2004).
5. J. L. Davidson, D. R. Wur, W. P. Kang, D. Kinser, and D. V. Kerns, Proc. Symp. Microstructures and Microfabricated Systems (Electrochem. Soc., Pennington, NJ, 1994), Vol 94-14, pp. 30-37.
6. B. S. Kang, S. Kim, J. Kim, F. Ren, K. Baik, S. J. Pearton, B. Gila, C. R. Abernathy, C. Pan, G. Chen, J. I. Chyi, V. Chandrsekaran, M. Sheplak, T. Nishida, and S. N. G. Chu, Appl. Phys. Lett. 83, 4845 (2003).
7. B. S. Kang, S. Kim, F. Ren, J. W. Johnson, R. Therrien, P. Rajagopal, J. Roberts, E. Piner, K. J. Linthicum, S. N. G. Chu, K. Baik, B. P. Gila, C. R. Abernathy, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 85, 2962 (2004).
8. S. J. Pearton, B. S. Kang, S. Kim, F. Ren, B. P. Gila, C. R. Abernathy, J. Lin, and S. N. G. Chu, J. Phys.: Condens. Matter 16, R961 (2004).
9. A. Tarakji, X. Hu, A. Koudymov, G. Simin, J. Yang, M. A. Khan, M. S. Shur, and R. Gaska, Solid-State Electron. 46, 1211 (2002).
10. A. P. Zhang, L. B. Rowland, E. B. Kaminsky, V. Tilak, J. C. Grande, J. Teetsov, A. Vertiatchikh, and L. F. Eastman, J. Electron. Mater. 32, 388 (2003).
11. S. J. Pearton, J. C. Zolper, R. J. Shul, and F. Ren, J. Appl. Phys. 86, 1 (1999).
12. A. Koudymov, X. Hu, K. Simin, G. Simin, M. Ali, J. Yang, and M. A. Khan, IEEE Electron Device Lett. 23, 449 (2002).
13. A. P. Zhang, G. T. Dang, F. Ren, H. Cho, K. P. Lee, S. J. Pearton, J.-I. Chi, T. E. Nee, C. M. Lee, and C. C. Chuo, IEEE Trans. Electron Devices 48, 407 (2001).
14. M. S. Shur, Solid-State Electron. 42, 2131 (1998).
15. O. Ambacher, B. Foutz, J. Smart, J. R. Shealy, N. G. Weimann, K. Chu, M. Murphy, W. J. Schaff, L. Wittmer, L. E. Eastman, R. Dimitrov, A. Mitchell, and M. Stutzmann, J. Appl. Phys. 87, 334 (2000).
16. O. Ambacher, J. Smart, J. R. Shealy, N. G. Weimann, K. Chu, M. Murphy, W. J. Schaff, L. E. Eastman, R. Dimitrov, L. Wittmer, M. Stutzmann, W. Rieger, and J. Hilsenbeck, J. Appl. Phys. 85, 3222 (1999).
17. P. M. Asbeck, E. T. Yu, S. S. Lau, G. J. Sullivan, J. Van Hove, and J. M. Redwing, Electron. Lett. 33, 1230 (1997).
18. G. G. Stoney, Proc. R. Soc. London 82, 172 (1909).
19. S. N. G. Chu, J. Electrochem. Soc. 145, 3621 (1998).
20. S. N. N. Chu, F. Ren, S. J. Pearton, B. S. Kang, S. Kim, B. P. Gila, C. R. Abernathy, J.-I. Chyi, W. J. Johnson, and J. Lin, presented at TMS Annual Meeting, San Francisco, February 2005.
21. D. Selvanathan, F. M. Mohammed, A. Tesfayesus, and I. Adesida, J. Vac. Sci. Technol. B 22, 2409 (2004).