Reduction of the internal electric field in wurtzite a-plane GaN self-assembled quantum dots

Applied Physics Letters

Volumn 87, Issue 1, 2005, Pages

  Garro, N ^a   Cros, A ^a   Budagosky, J A ^a   Cantarero, A ^a   Vinattieri, A ^b   Gurioli, M ^b   Founta, S ^c   Mariette, H ^c   Daudin, B ^c  

^a UNIVERSITY OF VALENCIA   (Spain)

^b UNIVERSITY OF FLORENCE   (Italy)

^c CEA GRENOBLE   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DEPOLARIZATION; PIEZOELECTRIC POLARIZATION; STARK EFFECT;

ELECTRIC FIELDS; GALLIUM NITRIDE; PIEZOELECTRICITY; POLARIZATION; SELF ASSEMBLY; STRAIN;

SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS;

EID: 24144469829     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1977210     Document Type: Article

References (21)

1. F. Bernardini, V. Fiorentini, and D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 56, R10024 (1997).
2. F. Widmann, J. Simon, B. Daudin, G. Feuillet, J. L. Rouvìre, N. T. Pelekanos, and G. Fishman, Phys. Rev. B 58, R15989 (1998).
3. J. Simon, N. T. Pelekanos, C. Ademann, E. Martínez-Guerrero, R. Andŕ, B. Daudin, L. S. Dang, and H. Mariette, Phys. Rev. B 68, 035312 (2003).
4. J. E. Northrup and J. Neugebauer, Phys. Rev. B 53, R10477 (1996).
5. P. Waltereit, O. Brandt, A. Trampert, H. T. Grahn, J. Menniger, M. Ramsteiner, M. Reiche, and K. H. Ploog, Nature (London) 406, 685 (2000).
6. E. Kuokstis, C. Q. Chen, M. E. Gaevski, W. H. Sun, J. W. Yang, G. Simin, M. Asif Khan, H. P. Maruska, D. W. Hill, M. C. Chou, J. J. Gallagher, and B. Chai, Appl. Phys. Lett. 81, 4130 (2002).
7. W. H. Sun, J. W. Yang, C. Q. Chen, J. P. Zhang, E. Kuokstis, V. Adivarahan, H. M. Wang, Z. Gong, M. Su, and M. Asif Khan, Appl. Phys. Lett. 83, 2599 (2003).
8. T. Koida, S. Chichibu, T. Sota, M. D. Craven, B. A. Haskell, J. S. Speck, S. P. DenBaars, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 84, 3768 (2004).
9. Y. S. Sun, O. Brandt, M. Ramsteiner, H. T. Grahn, and K. H. Ploog, Appl. Phys. Lett. 82, 3850 (2003).
10. B. Rau, P. Waltereit, O. Brandt, M. Ramsteiner, K. H. Ploog, J. Puls, and F. Henneberger, Appl. Phys. Lett. 77, 3343 (2000).
11. M. D. Craven, F. Wu, A. Chakraborty, B. Imer, U. K. Mishra, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 84, 1281 (2004).
12. S. Founta, F. Rol, E. Bellet-Amalric, J. Bleuse, B. Daudin, B. Gayral, H. Mariette, and C. Moisson, Appl. Phys. Lett. 86, 171901 (2005).
13. S. Ghosh, P. Waltereit, O. Brandt, H. T. Grahn, and K. H. Ploog, Phys. Rev. B 65, 075202 (2002).
14. N. Gogneau, F. Fossard, E. Monroy, S. Monnoye, H. Mank, and B. Daudin, Appl. Phys. Lett. 84, 4224 (2004).
15. A. D. Andreev and E. P. O'Reilly, Phys. Rev. B 62, 15851 (2000).
16. H. Harima, J. Phys.: Condens. Matter 14, R967 (2002).
17. A. Anastassakis and M. Cardona, in High Pressure in Semiconductor Physics II, edited by, T. Suski, and, W. Paul, (Academic, San Diego, 1998).
18. V. Y. Davydov, N. S. Averkiev, D. K. Nelson, I. P. Nikitina, A. S. Polkovnikov, A. N. Smirnov, M. A. Jacobson, and O. K. Semchinova, J. Appl. Phys. 82, 5097 (1997).
19. J. Gleize, M. A. Renucci, J. Frandon, E. Bellet-Amalric, and B. Daudin, J. Appl. Phys. 93, 2065 (2003).
20. M. Leroux, N. Grandjean, J. Massies, B. Gil, P. Lefebvre, and P. Bigenwald, Phys. Rev. B 60, 1496 (1999);
21. S. H. Park and S. L. Chuang, Appl. Phys. Lett. 76, 1981 (2000).