Fe-catalytic growth of ZnSe nanowires on a ZnSe(001) surface at low temperatures by molecular-beam epitaxy

Applied Physics Letters

Volumn 87, Issue 4, 2005, Pages

  Ohno, Yutaka ^a   Shirahama, Takeo ^a   Takeda, Seiji ^a   Ishizumi, Atsushi ^b   Kanemitsu, Yoshihiko ^b,c  

^a OSAKA UNIVERSITY   (Japan)

^b NARA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY   (Japan)

^c KYOTO UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BAND GAP; BULK CRYSTALS; EPILAYERS; NANOWIRES;

CATALYSIS; CRYSTALS; DENSITY (OPTICAL); LIGHT EMITTING DIODES; LOW TEMPERATURE EFFECTS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; OPTOELECTRONIC DEVICES; PHOTOLUMINESCENCE; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; ZINC COMPOUNDS;

NANOSTRUCTURED MATERIALS;

EID: 23744486064     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1997275     Document Type: Article

References (29)

1. J. Wang, M. S. Gudiksen, X. Duan, Y. Cui, and C. M. Lieber, Science 293, 1455 (2001).
2. X. Duan, Y. Huang, Y. Cui, J. Wang, and C. M. Lieber, Nature (London) 409, 66 (2001).
3. Y. Cui and C. M. Lieber, Science 291, 851 (2001).
4. R. S. Wagner and W. C. Ellis, Appl. Phys. Lett. 4, 89 (1964).
5. M. T. Biork, B. J. Ohlsson, T. Sass, A. I. Persson, C. Thelander, M. H. Magnusson, K. Deppert, L. R. Wallenberg, and L. Samuelson, Nano Lett. 2, 87 (2002).
6. J. Hu, M. Ouyang, P. Yang, and C. M. Lieber, Nature (London) 399, 48 (1999).
7. H. Kohno and S. Takeda, Appl. Phys. Lett. 73, 3144 (1998).
8. S. Takeda, K. Ueda, N. Ozaki, and Y. Ohno, Appl. Phys. Lett. 82, 979 (2003).
9. B. J. Ohlsson, M. T. Bjork, M. H. Magnusson, K. Deppert, L. Samuelson, and L. R. Wallenberg, Appl. Phys. Lett. 79, 3335 (2001).
10. K. Katayama, H. Yao, F. Nakanishi, H. Doi, A. Saegusa, and T. Shirakawa, Appl. Phys. Lett. 73, 102 (1998).
11. H. Ishikura, T. Abe, N. Fukuda, H. Kasada, and K. Ando, Appl. Phys. Lett. 76, 1069 (2000).
12. T. Shirakawa, Mater. Sci. Eng., B 91-92, 470 (2002).
13. N. Kouklin, L. Menon, A. Z. Wong, D. W. Thompson, J. A. Woollam, P. F. Williams, and S. Bandyopadhyay, Appl. Phys. Lett. 79, 4423 (2001).
14. S. Rudin and T. L. Reinecke, Phys. Status Solidi A 190, 677 (2002).
15. H. P. Wagner, H.-P. Tranitz, R. Schuuster, G. Bacher, and A. Forchel, Phys. Rev. B 63, 155311 (2001).
16. Y. Jiang, X.-M. Meng, W.-C. Yiu, J. Liu, J.-X. Ding, C.-S. Lee, and S.-T. Lee, J. Phys. Chem. B 108, 2784 (2004).
17. Y. F. Chan, X. F. Duan, S. K. Chan, I. K. Sou, X. X. Zhang, and N. Wang, Appl. Phys. Lett. 83, 2665 (2003).
18. B. Xiang, H. Z. Zhang, G. H. Li, F. H. Yang, F. H. Su, R. M. Wang, J. Xu, G. W. Lu, X. C. Sun, Q. Zhao, and D. P. Yu, Appl. Phys. Lett. 82, 3330 (2003).
19. R. Solanki, J. Huo, J. L. Freeout, and B. Miner, Appl. Phys. Lett. 81, 3864 (2002).
20. X. T. Zhang, Z. Liu, Y. P. Leung, Q. Li, and S. K. Hark, Appl. Phys. Lett. 83, 5533 (2002).
21. Y. Ohno, N. Adachi, and S. Takeda, Appl. Phys. Lett. 83, 54 (2003).
22. T. I. Kamins, R. S. Williams, D. P. Basile, T. Hasjedal, and S. Harris, J. Appl. Phys. 89, 1008 (2001).
23. D. H. Mosca, M. Abbate, W. H. Schreiner, V. H. Etgens, and M. Eddrief, J. Appl. Phys. 90, 5973 (2004).
24. K.-W. Chang and J.-J. Wu, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 77, 769 (2003).
25. L. Schubert, P. Werner, N. D. Zakharov, G. Gerth, F. M. Kolb, L. Long, U. Gosele, and T. Y. Tan, Appl. Phys. Lett. 84, 4968 (2004).
26. T. S. Jeong, P. Y. Yu, Y. J. Shin, C. J. Youn, H. K. Shin, T. S. Kim, H. Lee, T. S. Lee, and K. J. Hong, J. Cryst. Growth 172, 89 (1997).
27. Y. Kanemitsu, T. Nagai, Y. Yamada, and T. Taguchi, Appl. Phys. Lett. 82, 388 (2003).
28. L. Malikova, W. Krystek, F. H. Pollak, N. Dai, A. Cavus, and M. C. Tamargo, Phys. Rev. B 54, 1819 (1996).
29. M. Marangolo, F. Gustavsson, M. Eddrief, Ph. Sainctavit, V. Cros, F. Petroff, J. M. George, P. Bencok, and N. B. Brookes, Phys. Rev. Lett. 88, 217202 (2002).