Reactive ion beam etching of GaAs and related compounds in an inductively coupled plasma of Cl2-Ar mixture

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 17, Issue 2, 1999, Pages 366-371

  Hahn, Y B ^a  

^a University of Florida   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 22644451740     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (27)

1. T. Saitoh and H. Kanbe, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 35, L60 (1996).
2. S. Tachi, K. Tsujimoto, S. Arai, and T. Kure, J. Vac. Sci. Technol. B 9, 796 (1991).
3. J. A. Gregus, M. F. Vernon, R. A. Gottscho, G. R. Scheller, W. S. Hobson, R. L. Opila, and E. Yoon, Plasma Chem. Plasma Process. 13, 521 (1993).
4. S. J. Pearton, W. S. Hobson, C. R. Abernathy, F. Ren, T. R. Fullowan, A. Katz, and A. P. Perley, Plasma Chem. Plasma Process. 13, 311 (1993).
5. S. J. Pearton, C. R. Abernathy, R. F. Kopf, and F. Ren, J. Electrochem. Soc. 141, 2250 (1994).
6. T. Saitoh, T. Sogawa, and H. Kanbe, Jpn. J. Appl. Phys., Part l 36, 7650 (1997).
7. R. J. Shul, M. L. Lovejoy, J. C. Word, A. J. Howard, D. J. Rieger, and S. H. Kravitz, J. Vac. Sci. Technol. B 15, 657 (1997).
8. S. C. McNevin and G. E. Becker, J. Appl. Phys. 58, 4670 (1985).
9. M. S. Ameen and T. M. Mayer, J. Appl. Phys. 63, 1152 (1988).
10. C. Su, M. Xi, Z. G. Dai, M. F. Vernon, and B. E. Bent, Surf. Sci. 282, 357 (1993).
11. H. Hou, Z. Zhang, S. Chen, C. Su, W. Yan, and M. Vernon, Appl. Phys. Lett. 55, 801 (1989).
12. G. Allen Vawter, Larry Coldren, James L. Merz, and Evelyn L. Hu, Appl. Phys. Lett. 51, 719 (1987).
13. J. R. Wendt, G. A. Vawter, R. E. Smith, and M. E. Warren, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 2705 (1995).
14. K. Asakawa and S. Sugata, J. Vac. Sci. Technol. B 3, 402 (1985).
15. G. A. Vawter and C. I. H. Ashby, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 3374 (1994).
16. G. A. Vawter and J. R. Wendt, Appl. Phys. Lett. 58, 289 (1991).
17. C. I. H. Ashby, Appl. Phys. Lett. 45, 892 (1984).
18. W. C. O'Brien, C. M. Paulsen-Boaz, T. N. Rhodin, and L. C. Rathbun, J. Appl. Phys. 64, 6523 (1988).
19. Q. Z. Qin, Y. L. Li, K. Jin, Z. I. Zhang, Y. Y. Yang, W. J. Jia, and Q. K. Zheng, Surf. Sci. 207, 142 (1988).
20. J. A. Skidmore, C. A. Coldren, E. L. Hu, J. L. Merz, and K. Asakawa, J. Vac. Sci. Technol. B 6, 1885 (1988).
21. S. C. McNevin, J. Vac. Sci. Technol. B 4, 1216 (1986).
22. V. M. Donnelly, D. L. Flamm, C. W. Tu, and D. E. Ibbotson, J. Electrochem. Soc. 129, 2533 (1982).
23. S. Sugata and K. Asakawa, J. Vac. Sci. Technol. B 5, 894 (1987).
24. T. Tadokoro, F. Koyama, and K. Iga, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 27, 389 (1988).
25. K. Asakawa and S. Sugata, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 22, L653 (1983).
26. C. R. Eddy, O. J. Glembocki, D. Leonhardt, V. A. Shamamian, R. T. Holm, B. D. Thoms, J. E. Butler, and S. W. Pang, J. Electron. Mater. 26, 1320 (1997).
27. T. E. Kazior, B. I. Patel, and B. J. Guerin, Proceedings of the 13th State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors (Electrochemical Society, Pennington, NJ, 1991), Vol. 91-1, p. 299.