Low-voltage transistor employing a high-mobility spin-coated chalcogenide semiconductor

Advanced Materials

Volumn 17, Issue 10, 2005, Pages 1285-1289

  Mitzi, David B ^a   Copel, Matthew ^a   Chey, S Jay ^a  

^a IBM T J WATSON RESEARCH CENTER   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DEPOSITION; ELECTRIC CURRENTS; ELECTRIC POTENTIAL; GOLD; HYDRAZINE; INDIUM COMPOUNDS; SELENIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON COMPOUNDS; SPIN COATING; THIN FILMS; X RAY DIFFRACTION ANALYSIS;

LOW-VOLTAGE TRANSISTORS; POLYSELENIDES; PRECURSORS; SEMICONDUCTOR FILMS;

THIN FILM TRANSISTORS;

EID: 18844383407     PISSN: 09359648     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.200401443     Document Type: Article

References (31)

1. H. E. A. Huitema, G. H. Gelinck, J. B. P. H. van der Putten, K. E. Kuijk, K. M. Hart, E. Cantatore, D. M. de Leeuw, Adv. Mater. 2002, 14, 1201.
2. Z. Bao, J. A. Rogers, H. E. Katz, J. Mater. Chem. 1999, 9, 1895.
3. A. Afzali, C. D. Dimitrakopoulos, T. L. Breen, J. Am. Chem. Soc. 2002, 124, 8812.
4. C. R. Kagan, D. B. Mitzi, C. D. Dimitrakopoulos, Science 1999, 286, 945.
5. D. B. Mitzi, C. R. Kagan, in Thin-Film Transistors (Eds: C. R. Kagan, P. Andry), Marcel Dekker, New York 2003, p. 475.
6. D. B. Mitzi, L. L. Kosbar, C. E. Murray, M. Copel, A. Afzali, Nature 2004, 428, 299.
7. B. A. Ridley, B. Nivi, J. M. Jacobson, Science 1999, 286, 746.
8. D. B. Mitzi, J. Mater. Chem. 2004, 14, 2355.
9. M. G. Kanatzidis, Nature 2004, 428, 269.
10. See, for example, E. Sotaniemi, J. Hirvonen, H. Isomaki, J. Takkunen, J. Kaila, Ann. Clin. Res. 1971, 3, 30.
11. J. Herrero, J. Ortega, Sol. Energy Mater. 1987, 16, 477.
12. T. T. Nang, T. Matsushita, M. Okuda, A. Suzuki, Jpn. J. Appl. Phys. 1977, 16, 253.
13. J. Ye, T. Yoshida, Y. Nakamura, O. Nittono, Appl. Phys. Lett. 1995, 67, 3066.
14. C. Julien, E. Hatzikraniotis, A. Chevy, K. Kambas, Mater. Res. Bull. 1985, 20, 287.
15. A. Chaiken, K. Nauka, G. A. Gibson, H. Lee, C. C. Yang, J. Wu, J. W. Ager, K. M. Yu, W. Walukiewicz, J. Appl. Phys. 2003, 94, 2390.
16. T. Ohtsuka, K. Nakanishi, T. Okamoto, A. Yamada, M. Konagai, U. Jahn, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 2001, 40, 509.
17. S. Massaccesi, S. Sanchez, J. Vedel, J. Electroanal. Chem. 1996, 412, 95.
18. C. H. de Groot, J. S. Moodera, J. Appl. Phys. 2001, 89, 4336.
19. S. Dhingra, M. G. Kanatzidis, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1990, 180, 825.
20. D. B. Mitzi, unpublished.
21. L. J. Gordon, R. L. Scott, J. Am. Chem. Soc. 1952, 74, 4138.
22. D. C. da Silva, I. Ricken, M. A. D. R. Silva, V. G. Machado, J. Phys. Org. Chem. 2002, 15, 420.
23. See, for example, N. C. Santos, J. Figueira-Coelho, J. Martins-Silva, C. Saldanha, Biochem. Pharmacol. 2003, 65, 1035.
24. J. B. Knaak, H.-W. Leung, W. T. Stott, J. Busch, J. Bilsky, Rev. Environ. Contam. Toxicol. 1997, 149, 1.
25. P. G. Carey, P. M. Smith, S. D. Theiss, P. Wickboldt, J. Vac. Sci. Technol., A 1999, 17, 1946.
26. J. F. Van der Veen, Surf. Sci. Rep. 1985, 5, 199.
27. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, Wiley, New York 1981.
28. C. D. Dimitrakopoulos, S. Purushothaman, J. Kymissis, A. Callegari, J. M. Shaw, Science 1999, 283, 822.
29. C.-Y. Chen, J. Kanicki, IEEE Electron Device Lett. 1996, 17, 437.
30. Y. Kim, A. DiVenere, G. K. L. Wong, J. B. Ketterson, S. Cho, J. R. Meyer, J. Appl. Phys. 2002, 91, 715.
31. T. Kyratsi, K. Chrissafis, J. Wachter, K. M. Paraskevopoulos, M. G. Kanatzidis, Adv. Mater. 2003, 15, 1428.