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Volumn 188, Issue 2, 2001, Pages 783-787

Growth of AlN on Etched 6H-SiC(0001) Substrates via MOCVD

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EID: 1842786673     PISSN: 00318965     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/1521-396X(200112)188:2<783::AID-PSSA783>3.0.CO;2-W     Document Type: Article
Times cited : (8)

References (10)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.