Efficient inverse auger recombination at threshold in CdSe nanocrystals

Nano Letters

Volumn 4, Issue 3, 2004, Pages 525-531

  Califano, Marco ^a   Zunger, Alex ^a   Franceschetti, Alberto ^b  

^a NATIONAL RENEWABLE ENERGY LABORATORY   (United States)

^b OAK RIDGE NATIONAL LABORATORY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CADMIUM DERIVATIVE; SELENIUM DERIVATIVE;

ARTICLE; COOLING; CRYSTAL; ELECTRIC POTENTIAL; ELECTRON; ENERGY; IONIZATION; NANOPARTICLE; PHONON; SURFACE PROPERTY;

EID: 1642445401     PISSN: 15306984     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl049869w     Document Type: Article

References (48)

1. Shockley, W.; Queisser, H. J. J. Appl. Phys. 1961, 32, 510.
2. Nozik, A. J. Physica E 2002, 14, 115.
3. Kolodinski, S.; Werner, J. H.; Wittchen, T.; Queisser, H. J. Appl. Phys. Lett. 1993, 63, 2405. Kolodinski, S.; Werner, J. H.; Queisser, H. J. Sol. Energy Mater. Sol. Cells 1994, 33, 275. Werner, J. H.; Kolodinski, S.; Queisser, H. J. Phys. Rev. Lett. 1994, 72, 3851. Werner, J. H.; Brendel, R.; Queisser, H. J. Appl. Phys. Lett. 1995, 67, 1028. Brendel, R.; Werner, J. H.; Queisser, H. J. Sol. Energy Mater. Sol. Cells 1996, 41/42, 419.
4. Kolodinski, S.; Werner, J. H.; Wittchen, T.; Queisser, H. J. Appl. Phys. Lett. 1993, 63, 2405. Kolodinski, S.; Werner, J. H.; Queisser, H. J. Sol. Energy Mater. Sol. Cells 1994, 33, 275. Werner, J. H.; Kolodinski, S.; Queisser, H. J. Phys. Rev. Lett. 1994, 72, 3851. Werner, J. H.; Brendel, R.; Queisser, H. J. Appl. Phys. Lett. 1995, 67, 1028. Brendel, R.; Werner, J. H.; Queisser, H. J. Sol. Energy Mater. Sol. Cells 1996, 41/42, 419.
5. Kolodinski, S.; Werner, J. H.; Wittchen, T.; Queisser, H. J. Appl. Phys. Lett. 1993, 63, 2405. Kolodinski, S.; Werner, J. H.; Queisser, H. J. Sol. Energy Mater. Sol. Cells 1994, 33, 275. Werner, J. H.; Kolodinski, S.; Queisser, H. J. Phys. Rev. Lett. 1994, 72, 3851. Werner, J. H.; Brendel, R.; Queisser, H. J. Appl. Phys. Lett. 1995, 67, 1028. Brendel, R.; Werner, J. H.; Queisser, H. J. Sol. Energy Mater. Sol. Cells 1996, 41/42, 419.
6. Kolodinski, S.; Werner, J. H.; Wittchen, T.; Queisser, H. J. Appl. Phys. Lett. 1993, 63, 2405. Kolodinski, S.; Werner, J. H.; Queisser, H. J. Sol. Energy Mater. Sol. Cells 1994, 33, 275. Werner, J. H.; Kolodinski, S.; Queisser, H. J. Phys. Rev. Lett. 1994, 72, 3851. Werner, J. H.; Brendel, R.; Queisser, H. J. Appl. Phys. Lett. 1995, 67, 1028. Brendel, R.; Werner, J. H.; Queisser, H. J. Sol. Energy Mater. Sol. Cells 1996, 41/42, 419.
7. Kolodinski, S.; Werner, J. H.; Wittchen, T.; Queisser, H. J. Appl. Phys. Lett. 1993, 63, 2405. Kolodinski, S.; Werner, J. H.; Queisser, H. J. Sol. Energy Mater. Sol. Cells 1994, 33, 275. Werner, J. H.; Kolodinski, S.; Queisser, H. J. Phys. Rev. Lett. 1994, 72, 3851. Werner, J. H.; Brendel, R.; Queisser, H. J. Appl. Phys. Lett. 1995, 67, 1028. Brendel, R.; Werner, J. H.; Queisser, H. J. Sol. Energy Mater. Sol. Cells 1996, 41/42, 419.
8. Landsberg, P. T.; Nussbaumer, H.; Willeke, G. J. Appl. Phys. 1993, 74, 1451. Liakos, J. K.; Landsberg, P. T. Semicond. Sci. Technol. 1996, 11, 1895.
9. Landsberg, P. T.; Nussbaumer, H.; Willeke, G. J. Appl. Phys. 1993, 74, 1451. Liakos, J. K.; Landsberg, P. T. Semicond. Sci. Technol. 1996, 11, 1895.
10. Spirkl, W.; Ries, H. Phys. Rev. B 1995, 52, 11319.
11. De Vos, A.; Desoete, B. Sol. Energy Mater. Sol. Cells 1998, 51, 413.
12. Alig, R. C.; Bloom, S.; Struck, C. W. Phys. Rev. B 1980, 22, 5565.
13. Bude, J.; Hess, K. J. Appl. Phys. 1992, 72, 3554.
14. Jung, H. K.; Taniguchi, K.; Hamaguchi, C. J. Appl. Phys. 1996, 79, 2473.
15. Harrison, D.; Abram, R. A.; Brand, S. J. Appl. Phys. 1999, 85, 8178. Harrison, D.; Abram, R. A.; Brand, S. J. Appl. Phys. 1999, 85, 8186.
16. Harrison, D.; Abram, R. A.; Brand, S. J. Appl. Phys. 1999, 85, 8178. Harrison, D.; Abram, R. A.; Brand, S. J. Appl. Phys. 1999, 85, 8186.
17. Lappe, F. J. Phys. Chem. Solids 1961, 20, 173.
18. Klein, C. A. J. Appl. Phys. 1968, 39, 2029.
19. Alig, R. C.; Bloom, S. Phys. Rev. Lett. 1975, 35, 1522.
20. Wolf, M.; Brendel, R.; Werner, J. H.; Queisser, H. J. J. Appl. Phys. 1998, 83, 4213.
21. Kolodinski, S.; Werner, J. H.; Queisser, H. J. Appl. Phys. A 1995, 61, 535.
22. Efros, Al. L.; Kharchenko, V. A.; Rosen, M. Solid State Commun. 1995, 93, 281.
23. Wang, L.-W.; Califano, M.; Zunger, A.; Franceschetti, A. Phys. Rev. Lett. 2003, 91, 056404.
24. Chepic, D.; Efros, Al. L.; Ekimov, A.; Ivanov, M.; Kharchenko, V. A.; Kudriavtsev, I. J. Lumin. 1990, 43, 113.
25. Bockelmann, U.; Egeler, T. Phys. Rev. B 1992, 46, 15574.
26. Klimov, V. I.; Mikhailovsky, A. A.; McBranch, D. W.; Leatherdale, C. A.; Bawendi, M. G. Science 2000, 287, 1011.
27. Sercel, P. C.; Efros, A. L.; Rosen, M. Phys. Rev. Lett. 1999, 83, 2394.
28. Wang, L.-W. Phys. Rev. B 2000, 61, 7241. Wang, L. W.; Williamson, A. J.; Zunger, A.; Jiang, H.; Singh, J. Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 339.
29. Wang, L.-W. Phys. Rev. B 2000, 61, 7241. Wang, L. W.; Williamson, A. J.; Zunger, A.; Jiang, H.; Singh, J. Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 339.
30. Rodina, A. V.; Alekseev, A. Yu.; Efros, Al. L.; Rosen, M.; Meyer, B. K. Phys. Rev. B 2002, 65, 125302.
31. Wang, L.-W.; Zunger, A. J. Phys. Chem. B 1998, 102, 6449.
32. Wang, L.-W.; Zunger, A. Phys. Rev. B 1995, 51, 17398.
33. Murray, C. B.; Norris, D. J.; Bawendi, M. G. J. Am. Chem. Soc. 1993, 115, 8706.
34. Troparevsky, M. C.; Chelikowsky, J. R. J. Chem. Phys. 2001, 114, 943.
35. Wang, L.-W.; Zunger, A. Phys. Rev. B 1996, 53, 9579.
36. Franceschetti, A.; Fu, H.; Wang, L.-W.; Zunger, A. Phys. Rev. B 1999, 60, 1819.
37. Wang, L.-W.; Zunger, A. J. Chem. Phys. 1994, 100, 2394.
38. Landsberg, P. T. Recombination in Semiconductors; Cambridge University Press: Cambridge, England, 1991.
39. Pelouch, W. S.; Ellingson, R. J.; Powers, P. E.; Tang, C. L.; Szmyd, D. M.; Nozik, A. J., Phys. Rev. B 1992, 45, 1450. Pelouch, W. S.; Ellingson, R. J. ; Powers, P. E.; Tang, C. L.; Szmyd, D. M.; Nozik, A. J. Semicond. Sci. Technol. B 1992, 7, 337.
40. Pelouch, W. S.; Ellingson, R. J.; Powers, P. E.; Tang, C. L.; Szmyd, D. M.; Nozik, A. J., Phys. Rev. B 1992, 45, 1450. Pelouch, W. S.; Ellingson, R. J. ; Powers, P. E.; Tang, C. L.; Szmyd, D. M.; Nozik, A. J. Semicond. Sci. Technol. B 1992, 7, 337.
41. Resta, R. Phys. Rev. B 1977, 16, 2717.
42. Haken, H. Lett. Nuovo Cimento 1956, 10, 1230.
43. 0 of the DCM rate versus Δ curve are of the same order of magnitude and exhibit the same behaviour as their average.
44. Califano, M.; Bester, G.; Zunger, A. Nano Lett. 2003, 3, 1197.
45. Xu, S.; Mikhailovsky, A. A.; Hollingsworth, J. A.; Klimov, V. I. Phys. Rev. B 2002, 65, 045319.
46. 39
47. Norris, D. J.; Nirmal, M.; Murray, C. B.; Sacra, A.; Bawendi, M. G. Z. Phys. D 1993, 26, 355.
48. surf is negative and the volume contribution is small, the surface contribution is larger than the total DCM rate.