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Physica B: Condensed Matter

Volumn 340-342, Issue , 2003, Pages 874-877

Electronic structure and origin of ferromagnetism in Ga 1-xMnxAs semiconductors

(4) Da Silva, Antônio J R a Fazzio, A a Dos Santos, Raimundo R b Oliveira, Luiz E c

a UNIVERSITY OF SÃO PAULO (Brazil)

b FEDERAL UNIVERSITY OF RIO DE JANEIRO (Brazil)

c UNIVERSITY OF CAMPINAS (Brazil)

Author keywords

(Ga,Mn)As; Diluted magnetic semiconductors; First principles calculations

Indexed keywords

ANNEALING; ANTIFERROMAGNETISM; ARSENIC; DEGREES OF FREEDOM (MECHANICS); ELECTRONIC STRUCTURE; FERROMAGNETISM; MAGNETIC SEMICONDUCTORS; MAGNETIZATION; MOLECULAR BEAM EPITAXY; POLARIZATION; PROBABILITY DENSITY FUNCTION; SAMPLING;

CRITICAL TEMPERATURE; FIRST-PRINCIPLES CALCULATIONS; GENERALIZED-GRADIENT APPROXIMATION (GGA);

SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS;

EID: 0347946856 PISSN: 09214526 EISSN: None Source Type: Journal
DOI: 10.1016/j.physb.2003.09.210 Document Type: Conference Paper

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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.