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Volumn 51, Issue 1, 2002, Pages 151-152

Analysis of self-heating effect on 4H-SiC RF power MESFETs

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4H SiC; DC I V characteristics; MESFET; Radio frequency; Self heating

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EID: 0347056897     PISSN: 10003290     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article
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References (8)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.