Negative Bias Dependence of Sulfur and Fluorine Incorporation in Diamond Films Etched by an SF6 Plasma

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 148, Issue 2, 2001, Pages

  Teii, K ^a   Hori, M ^a   Goto, T ^a  

^a NAGOYA UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0346406784     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.1339868     Document Type: Article

References (15)

1. T. J. Whetten. A. A. Angela, and A. L. Ruoff. J. Vac. Sci. Technol. A. 2. 477 (1984).
2. V. G. Ral'chenko, K. G. Korotushenko, A. A. Smolia, and E. N. Loubnin. Dia-Mond Relat. Mater.. 4.893 (1995).
3. Vivensang, L. Fetazzo-Manin, M. F. Ravel. G. Turban. K Rousseaux, and A. Giequel. Diamond Relat. Mater., 5. 840 (1996).
4. H. Buchkremer-Hcrmanns. C. Long, and H. Weiss. Diamond Relat. Mater., 5. 845 (1996).
5. Gopi. M. R. Sirineni. H. A. Naseem, A. P. Malshe. and W. D. Brown, Diamond Relat. Mater., 6.952(1997).
6. C. Vivensang. G. Turban, E. Anger, and A. Gieque, Diamond Relat Mater.. 3,645 (1994).
7. M. S. So, S.-G. Lim. and T. N. Jackson, J. Vai: Sci. Technol. B, 17. 2055 (1999).
8. P. Chabert, N. Proust, J. Perrin. and R. W. Boswell. Appl. Phys. Lett.. 76. 2310 (2000).
9. F. Bounasri, J. Pelletier, M. Moisan. and M. Chakcr. J. Vac. Sci. Technol. B. 16, 1068 (1998).
10. K Teii, M. Hori, and T. Goto, J. Vac Sci. Technol. A 18. 277 (2000).
11. I. Sakagrchi, M.N. -Gamo, Y. Kikuchi. E. Yasu, H. Haneda. T. Suzuki. and T. Ando. Phys. Rev. B. 60. R2139 (1999).
12. R. Kalish. A. Reznik, C. Uzan-Saguy, and C.Cylermann. Appl. Phys. Lett. 76. 757 (2000).
13. K. M. Eisele. J. Electrochem. Soc. 128. 123 (1981).
14. T. Miyazawa. S. Mosawa. S. Yoshida, and S. Gonda, J. Appt. Phys.. 55, 188 (1984).
15. D. R. McKezie. D. Muller, and B. A. Pailthorpe. Phys. Rev. Lett., 67.773 (1991).