Surface diffusion model accounting for the temperature dependence of tungsten etching characteristics in a SF6 magnetoplasma

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 16, Issue 3, 1998, Pages 1068-1076

  Bounasri, F ^a   Pelletier, J ^a,b   Moisan, M ^a   Chaker, M ^a,c  

^a UNIVERSITÉ DE MONTRÉAL   (Canada)

^b CNRS   (France)

^c INRS EMT   (Canada)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001600898     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (46)

1. J N Randall and J. C. Wolfe, Appl. Phys. Lett. 39, 742 (1981).
2. C. C. Tang and D. W. Hess, J. Electrochem. Soc. 131, 115 (1984).
3. M. L. Schattenburg, I. Plotnik, and H. I. Smith, J. Vac. Sci. Technol. B 3, 272 (1985).
4. W. S. Pan and A. Steckl, J. Vac. Sci. Technol. B 6, 1073 (1988).
5. F. Fracassi and J. W. Coburn, J. Appl. Phys. 63, 1758 (1988).
6. A. Picard, G. Turban, and B. Grolleau, J. Phys. D 19, 991 (1986).
7. A. Durandet, Y. Arnal, J. Pelletier, and C. Pomot, J. Appl. Phys. 67, 2298 (1990)
8. T. Fujino, K Sasaki, K. Marumoto, H. Yabe, N. Yoshioka, and Y. Watanabe, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 31, 4086 (1992).
9. W. Chu, K. W. Foster, L. M. Shirly, K. W. Rhee, J. Kosakowski, I. P. Isaaesoon, D. McCarthy, C. R. Eddy, E. A. Dobisz, C. R. K. Marrian, and M C. Peckerar, Appl. Phys. Lett. 64, 2172 (1994).
10. R. Petri, D. Henry, J. M. Francou, N. Sadeghi, and M. Vayer-Besançon, J. Appl. Phys. 75, 1171 (1994).
11. F. Bounasri, M. Moisan, L. St-Onge, J. Margot, M. Chaker, J. Pelletier, M. A. El Khakani, and E. Gat, J. Appl. Phys. 77, 4030 (1995).
12. F. Bounasri, E. Gat, M. Chaker, M. Moisan, J. Margot, and M. F. Ravet, J. Appl. Phys. 78, 6780 (1995).
13. H. F. Winters, J. Vac. Sci. Technol. B 3, 9 (1985).
14. H. F. Winters, J. Vac. Sci. Technol. A 3, 700 (1985).
15. F. R. McFeely, J. Vac. Sci. Technol. A 3, 879 (1985).
16. A. Bensaoula, A. Ignatiev, J. Strozier, and J. C. Wolfe, Appl. Phys. Lett. 49, 1663 (1986).
17. A. Bensaoula, J. A. Strozier, A. Ignatiev, J. Yu, and J. C. Wolfe, J. Vac. Sci. Technol. A 5, 1921 (1987).
18. A. Bensaoula, E. Grossman, and A. Ignatiev, J. Appl. Phys. 62, 4587 (1987).
19. Ion bombardment induces the desorption of reaction products on the bottom of the feature and, as a result of surface diffusion processes, it also depletes surface coverage on the sidewalls (see also Ref. 7).
20. T. J. Dalton, J. C. Arnold, H. H. Sawin, S. Swan, and D. Corliss, J. Electrochem. Soc. 140, 2395 (1993).
21. A. C. Westerheim, A. H. Labun, J. H. Dubash, J. C. Arnold, H. H. Sawin, and V. Yu-Wang, J. Vac. Sci. Technol. A 13, 853 (1995).
22. A. D. Bailey, M. C. M. van de Danden, J. A. Gregus, and R. A. Gottscho, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 92 (1995).
23. V. K. Singh, E. S. G. Shaqfeh, and J. P. McVittie, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1091 (1992).
24. V. K. Singh, E. S. G. Shaqfeh, and J. P. McVittie, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 2952 (1994).
25. G. S. Hwang, C. M. Anderson, M. J. Gordon, T. A. Moore, T. K. Minton, and K. P. Giapis, Phys. Rev. Lett. 77, 3049 (1996).
26. A. F. Gérodolle and J. Pelletier, IEEE Trans. Electron Devices 38, 2025 (1991).
27. J. W. Coburn and M. Chen, J. Appl. Phys. 51, 3134 (1980).
28. R. d'Agostino, F. Cramarosa, S. de Benedictis, and G. Ferraro, J. Appl. Phys. 52, 1259 (1981).
29. R. E. Walkup, K. L. Saenger, and G. S. Selwyn, J. Chem. Phys. 84, 2668 (1986).
30. M. F. Ravet, K. F. Badawi, N. Durand, M. Lafontaine, V. Barnole, and A. M. Maghins-Gosnet, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 306, 259 (1993).
31. Y. Chen, R. K. Kupka, F. Rousseaux, F. Carcenac, D. Decanini, M. F. Ravet, and H. Launois, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 3959 (1994).
32. 6 from fluorine atoms with tungsten ΔH= - 2195 kJ/mol. From Thermodata, Thermodynamical Data Bank, BP 66, 38402 St-Martin d'Hères Cedex, France.
33. A. Durandet, O. Joubert, J. Pelletier, and M. Pichot, J. Appl. Phys. 67, 3862 (1990).
34. J. C. Martz, D. W. Hess, and E. E. Petersen, J. Appl. Phys. 72, 3289 (1992).
35. S. Tachi, K. Tsujimoto, and S. Okudaira, Appl. Phys. Lett. 52, 616 (1988).
36. S. Tachi, K. Tsujimoto, S. Arai, and T. Kure, J. Vac. Sci. Technol. A 9, 796 (1991).
37. K. Ninomiya, K. Susuki, S. Nismimatsu, and O. Okada, J. Appl. Phys. 58, 1177 (1985).
38. B. Mahi, Y. Arnal, and C. Pomot, J. Vac. Sci. Technol. B 5, 657 (1987).
39. C. Pomot, B. Mahi, B. Petit, Y. Arnal, and J. Pelletier, J. Vac. Sci. Technol. B 4, 1 (1988).
40. J. Pelletier, Y. Arnal, and A. Durandet, Europhys. Lett. 4, 1049 (1987).
41. A. J. Perry and R. W. Boswell, Appl. Phys. Lett. 55, 148 (1989).
42. B. Petit and J. Pelletier, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 26, 825 (1987).
43. P. Brault, P. Ranson, H. Estrade-Szwarckopf, and B. Rousseau, Appl. Phys. Lett. 57, 2649 (1990).
44. P. Brault, P. Ranson, H. Estrade-Szwarckopf, and B. Rousseau, J. Appl. Phys. 68, 1702 (1990).
45. B. Petit and J. Pelletier, Rev. Phys. Appl. 21, 377 (1986).
46. J. Pelletier, J. Phys. D 20, 858 (1987).