Thermal annealing effects on an InGaN film with an average indium mole fraction of 0.31

Applied Physics Letters

Volumn 83, Issue 19, 2003, Pages 3906-3908

  Feng, Shih Wei ^a   Lin, En Chiang ^a   Tang, Tsung Yi ^a   Cheng, Yung Chen ^a   Wang, Hsiang Chen ^a   Yang, C C ^a   Ma, Kung Jen ^b   Shen, Ching Hsing ^a   Chen, L C ^a   Kim, K H ^c   Lin, J Y ^c   Jiang, H X ^c  

^a NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY   (Taiwan)

^b CHUNG HUA UNIVERSITY   (Taiwan)

^c KANSAS STATE UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CLUSTER SIZE; MOLE FRACTION; SPECTRAL SHIFT;

ANNEALING; CATHODOLUMINESCENCE; CHEMICAL RELAXATION; FILM GROWTH; HIGH RESOLUTION ELECTRON MICROSCOPY; MICROSTRUCTURE; PHOTOLUMINESCENCE; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS; THIN FILMS; X RAY DIFFRACTION ANALYSIS;

SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS;

EID: 0344944967     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1625434     Document Type: Article

References (17)

1. F. B. Naranjo, M. A. Sánchez-García, F. Calle, E. Calleja, B. Jenichen, and K. H. Ploog, Appl. Phys. Lett. 80, 231 (2002).
2. J. Wu, W. Walukiewicz, K. M. Yu, J. W. Ager III, E. E. Haller, H. Lu, and W. J. Schaff, Appl. Phys. Lett. 80, 4741 (2002).
3. Y. S. Lin, K. J. Ma, C. Hsu, S. W. Feng, Y. C. Cheng, C. C. Liao, C. C. Yang, C. C. Chou, C. M. Lee, and J. I. Chyi, Appl. Phys. Lett. 77, 2988 (2000).
4. Y. Narukawa, Y. Kawakami, S. Fujita, S. Fujita, and S. Nakamura, Phys. Rev. B 55, R1938 (1997).
5. S. F. Chichibu, K. Wada, J. Müllhäuser, O. Brandt, K. H. Ploog, T. Mizutani, A. Setoguchi, R. Nakai, M. Sugiyama, H. Nakanishi, K. Korii, T. Deguchi, T. Sota, S. Nakamura, and Appl. Phys. Lett. 76, 1671 (2000).
6. Y. Narukawa, Y. Kawakami, S. Fujita, and S. Nakamura, Phys. Rev. B 59, 10283 (1999).
7. C. C. Liao, S. W. Feng, C. C. Yang, Y. S. Lin, K. J. Ma, C. C. Chuo, C. M. Lee, and J. I. Chyi, Appl. Phys. Lett. 76, 318 (2000).
8. Y. H. Cho, G. H. Gainer, A. J. Fischer, J. J. Song, S. Keller, U. K. Mishra, and S. P. DenBarrs, Appl. Phys. Lett. 73, 1370 (1998).
9. S. F. Chichibu, A. C. Abare, M. S. Minsky, S. Keller, S. B. Fleischer, J. E. Bowers, E. Hu, U. K. Mishra, L. A. Coldren, S. P. DenBaars, and T. Sota, Appl. Phys. Lett. 73, 2006 (1998).
10. E. Berkowicz, D. Gershoni, G. Bahir, E. Lakin, D. Shilo, E. Zolotoyabko, A. C. Abare, S. P. Denbaars, and L. A. Coldren, Phys. Rev. B 61, 10994 (2000).
11. Y. S. Lin, K. J. Ma, C. Hsu, Y. Y. Chung, C. W. Liu, S. W. Feng, Y. C. Cheng, M. H. Mao, C. C. Yang, H. W. Chuang, C.T. Kuo, J. S. Tsang, and T. E. Weirich, Appl. Phys. Lett. 80, 2571 (2002).
12. C. C. Chuo, M. N. Chang, F. M. Pan, C. M. Lee, and J. I. Chyi, Appl. Phys. Lett. 80, 1138 (2002).
13. C. C. Chen, K. L. Hsieh, G. C. Chi, C. C. Chuo, J. I. Chyi, and C. A. Chang, J. Appl. Phys. 89, 5465 (2001)
14. L. T. Romano, M. D. McCluskey, B. S. Krusor, D. P. Bour, C. Chua, S. Brennan, and K. M. Yu, J. Cryst. Growth 189/190, 33 (1998).
15. E. F. Schubert, I. D. Goepfert, and J. M. Redwing, Appl. Phys. Lett. 71, 3224 (1997).
16. D. González, G. Aragón, D. Araújo, M. J. de Castro, and R. García, Appl. Phys. Lett. 74, 2649 (1999).
17. T. Müller, K.-H. Heinig, and W. Müller, Appl. Phys. Lett. 81, 3049 (2002).