Uniform quantum wire and quantum dot arrays by atomic hydrogen assisted MBE on patterned high-index substrates: Role of atomic hydrogen in natural self-faceting

Journal of Crystal Growth

Volumn 201, Issue , 1999, Pages 814-818

  Nötzel, Richard ^a   Schönherr, Hans Peter ^a   Niu, Zhichuan ^a   Däweritz, Lutz ^a   Ploog, Klaus H ^a  

^a PAUL DRUDE INSTITUT FÜR FESTKÖRPERELEKTRONIK   (Germany)

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ELECTRONIC PROPERTIES; HYDROGEN; MORPHOLOGY; SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE; SEMICONDUCTOR GROWTH; SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS; SEMICONDUCTOR QUANTUM WIRES; SURFACE TREATMENT;

ATOMIC HYDROGEN ASSISTED MOLECULAR BEAM EPITAXY; STEP BUNCHING;

MOLECULAR BEAM EPITAXY;

EID: 0343855436     PISSN: 00220248     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/S0022-0248(98)01482-1     Document Type: Article

References (21)

1. Nötzel R., Menniger J., Ramsteiner M., Ruiz A., Schönherr H.P., Ploog K.H. Appl. Phys. Lett. 68:1996;1132.
2. Nötzel R., Ramsteiner M., Menniger J., Trampert A., Schönherr H.P., Däweritz L., Ploog K.H. J. Appl. Phys. 80:1996;4108.
3. Richter A., Behme G., Süptitz M., Lienau Ch., Elsaesser T., Ramsteiner M., Nötzel R., Ploog K.H. Phys. Rev. Lett. 79:1997;2145.
4. Niu Z.C., Nötzel R., Jahn U., Ramsteiner M., Schönherr H.P., Fricke J., Xiao Z.B., Däweritz L., Ploog K.H. Appl. Phys. A. 67:1998;135.
5. Nötzel R., Jahn U., Niu Z.C., Trampert A., Fricke J., Schönherr H.P., Kurth T., Heitmann D., Däweritz L., Ploog K.H. Appl. Phys. Lett. 72:1998;2002.
6. Schönherr H.P., Fricke J., Niu Z.C., Friedland K.J., Nötzel R., Ploog K.H. Appl. Phys. Lett. 72:1998;566.
7. Nötzel R., Niu Z.C., Ramsteiner M., Schönherr H.P., Trampert A., Däweritz L., Ploog K.H. Nature. 392:1998;56.
8. Nötzel R., Däweritz L., Ploog K.H. Phys. Rev. B. 46:1992;4736.
9. Nötzel R., Eissler D., Hohenstein M., Ploog K. J. Appl. Phys. 74:1993;431.
10. Heremans J.J., Santos M.B., Hirakawa K., Shayegan M. J. Appl. Phys. 76:1994;1980.
11. Asahi H., Hisaka T., Kim S.G., Kaneko T., Yu S.J., Okuno Y., Gonda S. Appl. Phys. Lett. 61:1992;1054.
12. Okada Y., Sugaya T., Ohta S., Fujita T., Kawabe M. Japan J. Appl. Phys. 34:1995;238.
13. Morishita Y., Nomura Y., Goto S., Katayama Y. Appl. Phys. Lett. 67:1995;2500.
14. LaPierre R.R., Robinson B.J., Thompson D.A. J. Crystal Growth. 191:1998;319.
15. Gossmann H.J., Sinden F.W., Feldman L.C. J. Appl. Phys. 67:1990;745.
16. Schwoebel R.L. J. Appl. Phys. 40:1969;614.
17. Miyamoto Y., Nonoyama S. Phys. Rev. B. 46:1992;6915.
18. Johnson M.D., Orme C., Hunt A.W., Graff D., Sudijono J., Sander L.M., Orr B.G. Phys. Rev. Lett. 72:1994;116.
19. Thürmer K., Koch R., Weber M., Rieder K.H. Phys. Rev. Lett. 75:1995;1767.
20. Fukui T., Ishizaki J., Hara S., Motohisa J., Hasegawa H. J. Crystal Growth. 146:1995;183.
21. Nötzel R., Temmyo J., Tamamura T. Appl. Phys. Lett. 64:1994;3557.