Study of C4F8/N2 and C4F 8/Ar/N2 plasmas for highly selective organosilicate glass etching over Si3N4 and SiC

Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films

Volumn 21, Issue 5, 2003, Pages 1708-1716

  Hua, Xuefeng ^a,d   Wang, X ^b   Fuentevilla, D ^b   Oehrlein, G S ^b,d   Celii, F G ^c   Kirmse, K H R ^c  

^a Bldg 142   (United States)

^b UNIVERSITY OF MARYLAND   (United States)

^c TEXAS INSTRUMENTS   (United States)

^d The Institute for Research in Electronics and Applied Physics   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ETCHING; GLASS; NITROGEN; PLASMAS; SILICON CARBIDE;

ETCHANTS;

FLUOROCARBONS;

EID: 0142027009     PISSN: 07342101     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.1598973     Document Type: Conference Paper

References (13)

1. G. S. Oehrlein, K. Maex, Y.-C. Joo, S. Ogawa, and J. T. Wetzel, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 612 (2001).
2. G. S. Oehrlein, S. W. Robey, J. L. Lindstrom, K. K. Chan, M. A. Jaso, and G. J. Scilla, J. Electrochem. Soc. 136, 2501 (1989).
3. G. S. Oehrlein, Y. Zhang, D. Vender, and O. Joubert, J. Vac. Sci. Technol. A 12, 333 (1994).
4. N. R. Rueger, J. J. Beulens, M. Schaepkens, M. F. Doemling, J. M. Mirza, T. E. F. M. Standaert, and G. S. Oehrlein, J. Vac. Sci. Technol. A15, 1881 (1997).
5. M. Schaepkens, T. E. F. M. Standaert, N. R. Rueger, P. G. M. Sebel, G. S. Oehrlein, and J. M. Cook, J. Vac. Sci. Technol. A 17, 26 (1999).
6. T. E. F. M. Standaert, C. Hedlund, E. A. Joseph, G. S. Oehrlein, and T. J. Dalton, J. Vac. Sci. Technol. A (submitted).
7. T. E. F. M. Standaert, P. J. Matsuo, X. Li. G. S. Oehrlein, T.-M. Lu, R. Gutmann, C. T. Rosenmayer, J. W. Bartz, J. G. Langan, and W. R. Entley, J. Vac. Sci. Technol. A 19, 435 (2001).
8. T. E. F. M. Standaert, M. Schaepkens, N. R. Rueger, P. G. M. Sebel, G. S. Oehrlein, and J. M. Cook, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 239 (1998).
9. M. Matsui, F. Uchida, M. Kojima, T. Tokunaga, F. Yano, and M. Hasegawa, J. Vac. Sci. Technol. A 20, 117 (2002).
10. Y. Wang and J. K. Olthoff, J. Appl. Phys. 85, 6358 (1999).
11. Y. Wang, R. J. Van Brunt, and J. K. Olthoff, J. Appl. Phys. 83, 703 (1998).
12. X. Li, X. Hua, L. Ling, G. S. Oehrlein, M. Barela, and H. M. Anderson, J. Vac. Sci. Technol. A 20, 2052 (2002).
13. G. I. Font, W. L. Morgan, and G. Mennenga, J. Appl. Phys. 91, 3530 (2002).