Zn0.85Cd0.15Se active layers on graded-composition InxGa1-xAs buffer layers

Journal of Applied Physics

Volumn 85, Issue 12, 1999, Pages 8160-8169

  Muller B H ^a   Lantier, R ^a   Sorba, L ^a,c   Heun, S ^a   Rubini, S ^a   Lazzarino, M ^a   Franciosi, A ^a,d,e   Napolitani, E ^b   Romanato, F ^b   Drigo, A V ^b   Lazzarini, L ^c   Salviati, G ^c  

^a LABORATORIO TASC   (Italy)

^b UNIVERSITY OF PADOVA   (Italy)

^c CNR   (Italy)

^d University of Minnesota   (United States)

^e UNIVERSITY OF TRIESTE   (Italy)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DISLOCATIONS (CRYSTALS); MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY; PHOTOLUMINESCENCE; RUTHERFORD BACKSCATTERING SPECTROSCOPY; SEMICONDUCTING FILMS; SEMICONDUCTING INDIUM GALLIUM ARSENIDE; SEMICONDUCTING ZINC COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR GROWTH; STRESS RELAXATION; SURFACE ROUGHNESS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

LATTICE MATCHING; ZINC CADMIUM SELENIDE;

HETEROJUNCTIONS;

EID: 0043162576     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.370655     Document Type: Article

References (61)

1. See, for example, R. L. Gunshor and A. V. Nurmikko, Proc. SPIE 2346, 1 (1994).
2. M. A. Haase, J. Qiu, J. M. DePuydt, and H. Cheng, Appl. Phys. Lett. 59, 1272 (1991).
3. H. Jeon, J. Ding, W. Patterson, A. V. Nurmikko, W. Xie, D. C. Grillo, M. Kobayashi, and R. L. Gunshor, Appl. Phys. Lett. 59, 3619 (1991).
4. S. Tanigushi, T. Hino, S. Itoh, K. Nakano, N. Nakayama, A. Ishibashi, and M. Ikeda, Electron. Lett. 32, 552 (1996).
5. S. Itoh, S. Taniguchi, T. Hino, R. Imoto, K. Nakano, N. Nakayama, M. Ikeda, and A. Ishibashi, Mater. Sci. Eng., B 43, 55 (1997).
6. D. Hervé, R. Accomo, E. Molva, L. Vanzetti, J. J. Paggel, L. Sorba, and A. Franciosi, Appl. Phys. Lett. 67, 2144 (1995).
7. D. Hervé, J. M. Bonard, L. Vanzetti, J. J. Paggel, L. Sorba, J. D. Ganière, E. Molva, and A. Franciosi, J. Cryst. Growth 159, 600 (1996).
8. R. Nicolini, L. Vanzetti, G. Mula, G. Bratina, L. Sorba, A. Franciosi, M. Peressi, S. Baroni, R. Resta, A. Baldereschi, J. E. Angelo, and W. W. Gerberich, Phys. Rev. Lett. 72, 294 (1994); A. Bonanni, L. Vanzetti, L. Sorba, A. Franciosi, M. Lomascolo, P. Prete, and R. Cingolani, Appl. Phys. Lett. 66, 1092 (1995).
9. R. Nicolini, L. Vanzetti, G. Mula, G. Bratina, L. Sorba, A. Franciosi, M. Peressi, S. Baroni, R. Resta, A. Baldereschi, J. E. Angelo, and W. W. Gerberich, Phys. Rev. Lett. 72, 294 (1994); A. Bonanni, L. Vanzetti, L. Sorba, A. Franciosi, M. Lomascolo, P. Prete, and R. Cingolani, Appl. Phys. Lett. 66, 1092 (1995).
10. Y. Gao, J. Appl. Phys. 64, 3760 (1988).
11. J. Wollschläger, J. Falta, and M. Henzler, Appl. Phys. A: Solids Surf. 50, 57 (1990); C. Orme, M. D. Johnson, J. Sudijono, K. T. Leung, and B. G. Orr, Appl. Phys. Lett. 64, 860 (1994).
12. J. Wollschläger, J. Falta, and M. Henzler, Appl. Phys. A: Solids Surf. 50, 57 (1990); C. Orme, M. D. Johnson, J. Sudijono, K. T. Leung, and B. G. Orr, Appl. Phys. Lett. 64, 860 (1994).
13. W. K. Chu, J. M. Mayer, and M. A. Nicolet, Backscattering Spectrometry (Academic, New York, 1977); L. C. Feldman and J. W. Mayer, Fundamentals of Surface Thin Film Analysis (Elsevier, New York, 1986).
14. W. K. Chu, J. M. Mayer, and M. A. Nicolet, Backscattering Spectrometry (Academic, New York, 1977); L. C. Feldman and J. W. Mayer, Fundamentals of Surface Thin Film Analysis (Elsevier, New York, 1986).
15. A. V. Drigo, A. Aydinli, A. Carnera, F. Genova, C. Rigo, C. Ferrari, P. Franzosi, and G. Salviati, J. Appl. Phys. 66, 1975 (1989).
16. A. V. Drigo, Mikrochim. Acta 114-115, 89 (1994).
17. A. Armigliato, M. Servidori, F. Cembali, R. Fabbri, R. Rosa, F. Corticelli, D. Govoni, A. V. Drigo, M. Mazzer, F. Romanato, S. Frabboni, R. Balboni, S. S. Iyer, and A. Guerrieri, Microsc. Microanal. Microstruct. 3, 363 (1992).
18. A. Camera and A. V. Drigo, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 44, 357 (1990).
19. S. Adachi, J. Appl. Phys. 58, R1 (1985).
20. R. M. Martin, Phys. Rev. B 6, 4546 (1972).
21. The lattice parameter of all ZnCdSe tenaries has been obtained from a linear interpolation between the lattice parameters of ZnSe (5.6689 Å) [J. Petruzzello, B. L. Greenberg, D. A. Cammack, and R. Dalby, J. Appl. Phys. 63, 2299 (1988)] and CdSe (6.077 Å) [N. Samarth, H. Luo, J. K. Furdyna, S. B. Qudri, Y. R. Lee, A. V. Ramdas, and N. Otsuka, Appl. Phys. Lett. 54, 2680 (1989)].
22. The lattice parameter of all ZnCdSe tenaries has been obtained from a linear interpolation between the lattice parameters of ZnSe (5.6689 Å) [J. Petruzzello, B. L. Greenberg, D. A. Cammack, and R. Dalby, J. Appl. Phys. 63, 2299 (1988)] and CdSe (6.077 Å) [N. Samarth, H. Luo, J. K. Furdyna, S. B. Qudri, Y. R. Lee, A. V. Ramdas, and N. Otsuka, Appl. Phys. Lett. 54, 2680 (1989)].
23. R. K. Willardson and A. C. Beer, Semiconductors and Semimetals (Academic, New York, 1966).
24. E. A. Fitzgerald, Y. H. Xie, M. L. Green, D. Brasen, A. R. Kortan, J. Michel, Y. J. Mii, and B. E. Weir, Appl. Phys. Lett. 59, 811 (1991).
25. G. Salviati, C. Ferrari, L. Lazzarini, S. Franchi, A. Bosacchi, F. Taiariol, M. Mazzer, C. Zanotti-Fregonara, F. Romanato, and A. V. Drigo, Inst. Phys. Conf. Ser. 146, 337 (1995).
26. J. Tersoff, Appl. Phys. Lett. 62, 693 (1993).
27. 0(GaAs) turns out to be equal to 0.071x if one assumes the validity of Vegard's law.
28. A. Bosacchi, A. C. De Riccardis, P. Frigeri, S. Franchi, C. Ferrari, S. Gennari, L. Nasi, G. Salviati, A. V. Drigo, and F. Romanato, J. Cryst. Growth 175/176, 1009 (1997).
29. L. Lazzarini, C. Ferrari, S. Gennari, A. Bosacchi, S. Franchi, F. Romanato, M. Berti, A. V. Drigo, and G. Salviati, Inst. Phys. Conf. Ser. 157, 149 (1997).
30. J. Zou, D. J. H. Cockayne, and B. F. Usher, J. Appl. Phys. 73, 619 (1993).
31. R. Beanland, M. Aindow, T. B. Joyce, P. Kidd, M. Lourenço, and P. J. Goodhew, J. Cryst. Growth 149, 1 (1995); S. Pal and D. P. Landau, Phys. Rev. B 49, 10597 (1994).
32. R. Beanland, M. Aindow, T. B. Joyce, P. Kidd, M. Lourenço, and P. J. Goodhew, J. Cryst. Growth 149, 1 (1995); S. Pal and D. P. Landau, Phys. Rev. B 49, 10597 (1994).
33. K. H. Chang, R. Gibala, D. J. Srolovitz, P. K. Bhattacharya, and J. F. Mansfield, J. Appl. Phys. 67, 4093 (1990).
34. S. F. Yoon, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 562 (1993).
35. S. Heun, J. J. Paggel, L. Sorba, S. Rubini, A. Bonanni, R. Lantier, M. Lazzarino, B. Bonanni, A. Franciosi, J.-M. Bonard, J.-D. Ganière, Y. Zhuang, and G. Bauer, J. Appl. Phys. 83, 2504 (1998).
36. S. Y. Shiryaev, F. Jensen, and J. W. Petersen, Appl. Phys. Lett. 64, 3305 (1994).
37. G. Springholz, G. Bauer, and V. Holy, Surf. Sci. 365, 453 (1996).
38. J. M. Kang, C. S. Son, M.-S. Kim, Y. Kim, S.-K. Kim, and C. S. Kim, Appl. Phys. Lett. 67, 641 (1995).
39. F. Riesz, J. Cryst. Growth 140, 213 (1994).
40. J. W. Matthews, J. Vac. Sci. Technol. 12, 126 (1975).
41. J. W. Matthews, A. E. Blakeslee, and S. Mader, Thin Solid Films 33, 253 (1976).
42. W. Hagen and H. Strunk, Appl. Phys. 17, 85 (1978).
43. E. A. Fitzgerald, G. P. Watson, R. E. Proano, D. G. Ast, P. D. Kirchner, G. D. Pettit, and J. M. Woodall, J. Appl. Phys. 65, 2220 (1989).
44. T. Reisinger, M. J. Kastner, K. Wolf, E. Steinkirchner, W. Hackl, H. Stanzl, and W. Gebhardt, Mater. Sci. Forum 182-184, 147 (1995).
45. S. Guha, H. Munekata, and L. L. Chang, J. Appl. Phys. 73, 2294 (1993).
46. S. Heun, J. J. Paggel, L. Sorba, S. Rubini, A. Franciosi, J.-M. Bonard, and J.-D. Ganière, Appl. Phys. Lett. 70, 237 (1997); J.-M. Bonard, J.-D. Ganière, S. Heun, J. J. Paggel, S. Rubini, L. Sorba, and A. Franciosi, Philos. Mag. Lett. 75, 219 (1997).
47. S. Heun, J. J. Paggel, L. Sorba, S. Rubini, A. Franciosi, J.-M. Bonard, and J.-D. Ganière, Appl. Phys. Lett. 70, 237 (1997); J.-M. Bonard, J.-D. Ganière, S. Heun, J. J. Paggel, S. Rubini, L. Sorba, and A. Franciosi, Philos. Mag. Lett. 75, 219 (1997).
48. B. J. Wu, G. M. Haugen, J. M. DePuydt, L. H. Kuo, and L. Salamanca-Riba, Appl. Phys. Lett. 68, 2828 (1996).
49. N. Shibata, A. Ohki, S. Zembutsu, and A. Katsui, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 27, L441 (1988); K. Shahzad, D. J. Olego, and D. A. Cammack, Phys. Rev. B 39, 13016 (1989); J. Saraie, N. Matsumura, M. Tsubokura, K. Miyagawa, and N. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 28, L108 (1989).
50. N. Shibata, A. Ohki, S. Zembutsu, and A. Katsui, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 27, L441 (1988); K. Shahzad, D. J. Olego, and D. A. Cammack, Phys. Rev. B 39, 13016 (1989); J. Saraie, N. Matsumura, M. Tsubokura, K. Miyagawa, and N. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 28, L108 (1989).
51. N. Shibata, A. Ohki, S. Zembutsu, and A. Katsui, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 27, L441 (1988); K. Shahzad, D. J. Olego, and D. A. Cammack, Phys. Rev. B 39, 13016 (1989); J. Saraie, N. Matsumura, M. Tsubokura, K. Miyagawa, and N. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 28, L108 (1989).
52. K. Shahzad, J. Petruzzello, D. J. Olego, D. A. Cammack, and J. M. Gaines, Appl. Phys. Lett. 57, 2452 (1990).
53. J. Saraie, N. Matsumura, M. Tsubokura, K. Miyagawa, and N. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 28, L108 (1989).
54. J. P. Faurie, P. Brunet, C. Mohain, C. Ongaretto, and E. Tournie, Phys. Status Solidi B 187, 457 (1995).
55. J. Gutowski, N. Presser, and G. Kudlek, Phys. Status Solidi A 120, 11 (1990).
56. M. Yamaguchi, A. Yamamoto, and M. Kondo, J. Appl. Phys. 48, 5237 (1977); A. Yoshikawa, K. Tanaka, S. Yamaga, and H. Kosai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 23, L424 (1984); M. Sekoguchi, T. Taguchi, and A. Hiraki, ibid. 27, L699 (1988).
57. M. Yamaguchi, A. Yamamoto, and M. Kondo, J. Appl. Phys. 48, 5237 (1977); A. Yoshikawa, K. Tanaka, S. Yamaga, and H. Kosai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 23, L424 (1984); M. Sekoguchi, T. Taguchi, and A. Hiraki, ibid. 27, L699 (1988).
58. M. Yamaguchi, A. Yamamoto, and M. Kondo, J. Appl. Phys. 48, 5237 (1977); A. Yoshikawa, K. Tanaka, S. Yamaga, and H. Kosai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 23, L424 (1984); M. Sekoguchi, T. Taguchi, and A. Hiraki, ibid. 27, L699 (1988).
59. A. Raisanen, L. J. Brillson, L. Vanzetti, L. Sorba, and A. Franciosi, Appl. Phys. Lett. 66, 3301 (1995); J. Vac. Sci. Technol. A 13, 690 (1995); J. Vac. Sci. Technol. B 13, 1705 (1995).
60. A. Raisanen, L. J. Brillson, L. Vanzetti, L. Sorba, and A. Franciosi, Appl. Phys. Lett. 66, 3301 (1995); J. Vac. Sci. Technol. A 13, 690 (1995); J. Vac. Sci. Technol. B 13, 1705 (1995).
61. A. Raisanen, L. J. Brillson, L. Vanzetti, L. Sorba, and A. Franciosi, Appl. Phys. Lett. 66, 3301 (1995); J. Vac. Sci. Technol. A 13, 690 (1995); J. Vac. Sci. Technol. B 13, 1705 (1995).