Impact of ultraviolet-laser heating on the photoluminescence of ensembles of GaN microcrystallites

Applied Physics Letters

Volumn 83, Issue 4, 2003, Pages 764-766

  Bergman, Leah ^a   Chen, Xiang Bai ^a   Feldmeier, Joel ^a   Purdy, Andrew P ^b  

^a UNIVERSITY OF IDAHO   (United States)

^b NAVAL RESEARCH LABORATORY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

GALLIUM NITRIDE; HEATING; LASER APPLICATIONS; PHOTOLUMINESCENCE; PROBABILITY; THIN FILMS;

ENSEMBLES;

CRYSTALLINE MATERIALS;

EID: 0043014725     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1597752     Document Type: Article

References (24)

1. Semiconductors and Semimetals Vol. 57, edited by J. I. Pankove and T. D. Moustakas (Academic, San Diego, 1999).
2. L. Bergman, M. Dutta, and R. J. Nemanich, in Raman Scattering in Materials Science, edited by R. Merlin and W. H. Weber (Springer, New York, 2000), p. 273.
3. A. P. Purdy, Chem. Mater. 11, 1648 (1999).
4. L. Bergman, X. B. Chen, J. Feldmeier, A. Purday, and T. Zheleva, MRS Proceedings Symposium Q, Spring Meeting 2003.
5. W.-Q. Han and A. Zettl, Appl. Phys. Lett. 81, 5051 (2002).
6. M. W. Lee, H. Z. Twu, C.-C. Chen, and C.-H. Chen, Appl. Phys. Lett. 79, 3693 (2001).
7. H.-M. Kim, D. S. Kim, D. Y. Kim, T. W. Kang, Y.-H. Cho, and K. S. Chung, Appl. Phys. Lett. 81, 2193 (2002).
8. H. D. Li, S. L. Zhang, H. B. Yang, G. T. Zou, Y. Y. Yang, K. T. Yue, X. H. Wu, and Y. Yan, J. Appl. Phys. 91, 4562 (2002).
9. Y. Yang, V. J. Leppert, S. H. Risbud, B. Twamly, P. P. Power, and H. W. H. Lee, Appl. Phys. Lett. 74, 2262 (1999).
10. J. Zhang, L. D. Zhang, X. F. Wang, C. H. Liang, X. S. Peng, and Y. W. Wang, J. Chem. Phys. 115, 5714 (2001).
11. X. Duan and C. M. Lieber, J. Am. Chem. Soc. 122, 188 (2000).
12. H. W. Seo, S. Y. Bae, J. Park, H. Yang, K. S. Park, and S. Kim, J. Chem. Phys. 116, 9492 (2002).
13. W. Han, P. Redlich, F. Ernst, and M. Ruhle, Appl. Phys. Lett. 76, 652 (2000).
14. M. He, I. Minus, P. Zhou, N. Mohammed, R. Jacobs, W. L. Sarney, L. S. Riba, and R. D. Vispute, Appl. Phys. Lett. 77, 3731 (2000).
15. L. Vina, S. Logothetidis, and M. Cardona, Phys. Rev. B 30, 1979 (1984).
16. B. Monemar, in Semiconductors and Semimetals Vol. 50, edited by J. I. Pankove and T. D. Moustakas (Academic, New York, 1998), p. 305.
17. F. Bernardini, V. Fiorentini, and D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 56, R10024 (1997).
18. R. Cingolani, A. Botchkarev, H. Tang, H. Morkoç, G. Traetta, G. Coli, M. Lomascolo, A. D. Carlo, F. D. Sala, and P. Lugli, Phys. Rev. B 61, 2711 (2000).
19. T. Takeuchi, C. Wetzel, S. Yamaguchi, H. Sakai, H. Amano, I. Akasaki, Y. Kaneko, S. Nakagawa, Y. Yamaoka, and N. Yamada, Appl. Phys. Lett. 73, 1691 (1998).
20. H. S. Kim, J. Y. Lin, H. X. Jiang, W. W. Chow, A. Botchkarev, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 73, 3426 (1998).
21. M. Cazzanelli, D. Cole, J. F. Donegan, J. G. Lunney, P. G. Middleton, K. P. O'Donnell, C. Vinegoni, and L. Pavesi, Appl. Phys. Lett. 73, 3390 (1998).
22. C. Wetzel, S. Fischer, J. Kruger, E. E. Haller, R. J. Molnar, T. D. Moustakas, E. N. Mokhov, and P. G. Baranov, Appl. Phys. Lett. 68, 2556 (1996).
23. K. W. Mah, J.-P. Mosnier, E. McGlynn, M. O. Henry, D. O'Mahony, and J. G. Lunney, Appl. Phys. Lett. 80, 3301 (2002).
24. L. Bergman, M. Dutta, M. A. Stroscio, S. M. Komirenko, R. J. Nemanich, C. J. Eiting, D. J. H. Lambert, H. K. Kwon, and R. D. Dupuis, Appl. Phys. Lett. 76, 1969 (2000).