Magnetron-type radio-frequency plasma control yielding vertically well-aligned carbon nanotube growth

Applied Physics Letters

Volumn 83, Issue 6, 2003, Pages 1119-1121

  Hirata, T ^a   Satake, N ^a   Jeong, G H ^a   Kato, T ^a   Hatakeyama, R ^a   Motomiya, K ^a   Tohji, K ^a  

^a TOHOKU UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRODES; ION BOMBARDMENT; MAGNETIC FIELD EFFECTS; MAGNETRONS; PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION;

MAGNETRON DISCHARGE;

CARBON NANOTUBES;

EID: 0041423530     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1601303     Document Type: Article

References (22)

1. S. Iijima, Nature (London) 354, 56 (1991).
2. A. G. Rinzler, J. H. Hafner, P. Nikolaev, L. Lou, S. G. Kim, D. Tománek, P. Nordlander, D. T. Colbert, and R. E. Smalley, Science 269, 1550 (1995).
3. J. E. Jung, J. H. Choi, Y. J. Park, H. W. Lee, Y. W. Jin, D. S. Chung, S. H. Park, S. Y. Hwang, T. Y. Ko, Y. S. Choi, S. H. Cho, C. G. Lee, J. H. You, N. S. Lee, J. B. Yoo, and J. M. Kim, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 375 (2003).
4. W. Z. Li, S. S. Xie, L. X. Qian, B. H. Chang, B. S. Zou, W. Y. Zhou, R. A. Zhao, and G. Wang, Science 274, 1701 (1996).
5. S. Fan, M. G. Chapline, N. R. Franklin, T. W. Tombler, A. M. Cassell, and H. Dai, Science 283, 512 (1999).
6. Z. F. Ren, Z. P. Huang, J. W. Xu, J. W. Wang, P. Bush, M. P. Siegel, and P. N. Provencio, Science 282, 1105 (1998).
7. Y. Hayashi, T. Negishi, and S. Nishino, J. Vac. Sci. Technol. A 19, 1796 (2001).
8. V. I. Merkulov, A. V. Melechko, M. A. Guillorm, D. H. Lowndes, and M. L. Simpson. Appl. Phys. Leu. 79, 2970 (2001).
9. K. B. K. Teo, M. Chhowalla, G. A. J. Amaratunga, W. I. Milne, G. Pirio, P. Legagneux, D. Pribat, and D. G. Hasko, Appl. Phys. Lett. 80, 2011 (2002).
10. H. Ishida, N. Satake, G.-H. Jeong, Y. Abe, T. Hirata, R. Hatakeyama, K. Tohji, and K. Motomiya, Thin Solid Films 407, 26 (2002).
11. L. Delzeit, I. McAninch, B. A. Cruden, D. Hash, B. Chen, J. Han, and M. Meyyappan, J. Appl. Phys. 91, 6027 (2002).
12. Y. Shiratori, H. Hiraoka, Y. Takeuchi, S. Itoh, and M. Yamamoto, Appl. Phys. Lett. 82, 2485 (2003).
13. O. M. Küttel, O. Groening, C. Emmenegger. and L. Schlapbach. Appl. Phys. Lett. 73, 2113 (1998).
14. H. Murakami, M. Hirakawa, C. Tanaka, and H. Yamakawa, Appl. Phys. Lett. 76, 1776 (2000).
15. N. Wang and D. Yao, Appl. Phys. Lett. 78, 4028 (2001).
16. C. Bower, W. Zhou, S. Jin, and O. Zhou, Appl. Phys. Lett. 77, 830 (2000).
17. M. Chhowalla, K. B. K. Teo, C. Ducati, N. L. Rupesinghe, G. A. J. Amaratunga, A. C. Ferrari, D. Roy, J. Robertson, and W. I. Milne, J. Appl. Phys. 90, 5308 (2001).
18. M. Meyyappan, L. Delzeit, A. Cassell, and D. Hash, Plasma Sources Sci. Technol. 12, 205 (2003).
19. N. Satake, G.-H. Jeong, T. Hirata, R. Hatakeyama, H. Ishida, K. Tohji, and K. Motomiya, Physica B 323, 290 (2002).
20. N. Hershikowits, M. H. Cho, C. H. Nam, and T. Intrator, Plasma Chem. Plasma Process. 8, 35 (1988).
21. J. L. Wilson, J. B. O. Caughman II, P. L. Nguyen, and D. N. Ruzic, J. Vac. Sci. Technol. A 7, 972 (1989).
22. M. A. Lieberman and A. J. Lichtenberg. Principles of Plasma Discharges and Materials Processing (Wiley, New York, 1994).