In-situ synthesis of the anhydrous La(hfac)3 precursor: A viable route to the MOCVD of LaF3

Chemical Vapor Deposition

Volumn 7, Issue 4, 2001, Pages 151-156

  Condorelli, Guglielmo G ^a   Gennaro, Salvatore ^a   Fragalà, Ignazio L ^a  

^a UNIVERSITY OF CATANIA   (Italy)

Author keywords

Hhfac; Infrared spectroscopy (IR); Lanthanum fluoride; Metal organic CVD; Rare earth ions

Indexed keywords

EID: 0040329862     PISSN: 09481907     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/1521-3862(200107)7:4<151::AID-CVDE151>3.0.CO;2-C     Document Type: Article

References (35)

1. S. T. Lees, P. P. Edwards, I. Gameson, M. O. Jones, M. Slaski, C. Rial, U. Amador, E. Morán, Adv. Mater. 1997, 9, 823.
2. W. W. Huang, B. T. Liu, F. Wu, S. L. Jia, B. Xu, B. R. Zhao, Supercond. Sci. Technol. 1999, 12, 529.
3. K. Kobayashi, J. Yoshida, Physica 1997, C275. 74.
4. K-H. Dahmen, M. W. Carris, Chem. Vap. Deposition 1997, 3, 27.
5. H. Müller-Buschbaum, Angew. Chem. Int. Ed. Engl. 1989, 28, 1472.
6. X. F. Meng, F. S. Pierce, K. M. Wong, R. S. Amos, C. H. Xu, B. S. Jr. Deaver, S. J. Poon, IEEE Trans. Magn. 1991, 27, 1638.
7. G. Malandrino, A. Frassica, I. L. Fragalà, Chem. Mater. 1997, 3, 306.
8. S. Fujihara, M. Tada, T. Kimura, J. Ceram. Soc. Jpn. 1998, 106, 124.
9. Z. Czigany, M. Adamik, N. Kaiser, Thin Solid Films 1998, 312, 176.
10. X. Zhang, F. Lahoz, C. Serrano, G. Lacoste, E. Daran, IEEE J. Quantum Electron. 2000, 36, 243.
11. J. Bulir, M. Jelinek, E. Masetti, R. Larciprete, Laser Physics 1998, 8, 352.
12. J. Ferre Borrul, A Duparre, E. Quesnel, Appl. Opt. 2000, 39, 5854.
13. S. Uda, K. Adachi, K. Inaba, T. Yao, A. Kasuya, T. Fukuda, Jpn. J. Appl. Phys. 1997, 36, L41.
14. M. Titta, L. Niinistö, Chem. Vap. Deposition 1997, 3, 167.
15. S. R. Drake, A. Lyons, D. J. Otway, A. M. Z. Slawin, D. J. Williams, J. Chem. Soc., Dalton Trans. 1993, 32, 4464.
16. G. Malandrino, C. Benelli, F. Castelli, I. L. Fragalà, Chem. Mater. 1998, 10, 3434.
17. G. G. Condorelli, S. Gennaro, I. L. Fragalà, Chem. Vap. Deposition 2000, 6, 185.
18. P. Soininen, E. Nykänen, M. Leskelä, Chem. Vap. Deposition 1996, 2, 96.
19. V. Saanila, J. Ihanus, M. Ritala, M. Leskelä, Chem. Vap. Deposition 1998, 4, 227.
20. M. F. Richardson, R. E. Sievers, Inorg. Chem. 1971, 10, 498.
21. M. F. Richardson, W. F. Wagner, D. E. Sands, J. Inorg. Nucl. Chem. 1968, 30, 1275.
22. C. K. Jørgensen, H. Berthou, Chem. Phys. Lett. 1972, 13, 186.
23. G. Malandrino, O. Incontro, F. Castelli, I. L. Fragalà, Chem. Mater. 1996, 8, 1292.
24. G. Malandrino, R. Licata, F. Castelli, I. L. Fragalà, C. Benelli, Inorg. Chem. 1995, 34, 6233.
25. G. Malandrino, I. L. Fragalà, S. Aime, W. Dastrù, R. Gobetto, C. Benelli, J. Chem. Soc., Dalton Trans. 1998, 1509.
26. J. F. Moulder, W. F. Stickle, P. E. Sobol, K. D. Bomben, in Handbook of X-ray Photoelectron Spectroscopy (Ed. J. Chastain), Perkin-Elmer Corporation Physical Electronic Division, Minnesota, MN 1992, p. 25.
27. 2) signal is hidden by the more intense La4d peak.
28. C. D. Wagner, L. E. Davis, M. V. Zeller, J. A. Taylor, R. H. Raymond, L. H. Gale, Surf. Interface Anal. 1981, 3, 211.
29. M. L Hitchman, K. F. Jensen, in Chemical Vapor Deposition (Eds. M. L Hitchman, K. F. Jensen), Academic Press, London 1993.
30. Si2s = 1.06, or neglected since the La4d sensitivity factor is eight times greater than that of Si2p.
31. M. P. Seah, in Practical Surface Analysis Vol. 1 (Eds: D. Briggs, M. P. Seah), John Wiley & Sons, Chichester 1995, 244.
32. M. P. Seah, W. A. Dench, Surf. Interface Anal. 1979, 1, 2.
33. G. F. Cerofolini, M. Camalleri, C. Galati, S. Lorenti, L. Renna, O. Viscuso, G. G. Condorelli, I. L. Fragalà, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 2001, 648, in press.
34. Y. A. Teterin, M. I. Sosulnikov, Physica 1993, C212, 306.
35. P. Swift, Surf. Interface Anal. 1982, 4, 47.