Photoluminescence study of InAs quantum dots with a bimodal size distribution

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 42, Issue 5, 2003, Pages 686-690

  Lee, S J ^a   Lee, J I ^a   Kim, M D ^a   Noh, S K ^a   Kang, S K ^b   Choe, J W ^b  

^a Korea Research Institute of Standards and Science   (South Korea)

^b Kyung Hee University   (South Korea)

Author keywords

Bimodal size; Indium arsenide; Photoluminescence; Quantum dot; Self assembling

Indexed keywords

EID: 0038069188     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (22)

1. Y. Arakawa and H. Sakaki, Appl. Phys. Lett. 40, 939 (1982).
2. K. Tamamura, Y. Sugiyama, Y. Nakata, S. Muto and N. Yokoyama, Jpn. J. Appl. Phys. 34, L1445 (1995).
3. A. D. Stiff-Roberts, S. Chakrabarti, S. Pradhan, B. Kochman and Bhattacharya, Appl. Phys. Lett. 80, 3265 (2002).
4. S. K. Rang, S. J. Lee, J. T. Lee, M. D. Kim, S. K. Noh, Y. H. Kang, U. H. Lee, S. G. Hong, H. S. Kim and C. G. Park, J. Korean Phys. Soc. 42, 418 (2003).
5. U. H. Lee, J. S. Yim, D. Lee, H. G. Lee, S. K. Noh, J. Y. Leem and H. J. Lee, J. Korean Phys. Soc. 37, 593 (2000).
6. S. K. Kang, S. J. Lee, M. D. Kim, S. K. Noh and J. W. Choe, J. Korean Phys. Soc. 42, 153 (2003).
7. J. S. Kim, P. W. Yu, J. Y. Leem, J. I. Lee, S. K. Noh, J. S. Kim, S. M. Kim, J. S. Son, U. H. Lee, J. S. Yim and D. Lee, Appl. Phys. Lett. 78, 3247 (2001).
8. M. D. Kim, S. K. Noh, S. G. Hong and T. W. Kim, Appl. Phys. Lett. 82, 553 (2003); Virtual J. Nanoscale Sci. Technol. 7(3) (2003).
9. M. D. Kim, S. K. Noh, S. G. Hong and T. W. Kim, Appl. Phys. Lett. 82, 553 (2003); Virtual J. Nanoscale Sci. Technol. 7(3) (2003).
10. M. Grundmann, O. Stier and D. Bimberg, Phys. Rev. B 52, 11969 (1995).
11. L. Chu, A. Zrenner, M. Bichler, G. Boeham and G. Abstreiter, Appl. Phys. Lett. 77, 3944 (2000).
12. S.-K. Eah, W. Jhe and Y. Arakawa, Appl. Phys. Lett. 80, 2779 (2002).
13. S. Sauvage, P. Boucaud, F. H. Julien, J.-M. Gerard and J.-Y. Marzin, J. Appl. Phys. 82, 3396 (1997).
14. J. Ibanez, R. Leon, D. T. Vu, S. Chaparro, S. R. Johnson, C. Navarro and Y. H. Zhang, Appl. Phys. Lett. 79, 2013 (2001).
15. L. Brusaferri, S. Sanguinetti, E. Grilli, M. Guzzi, A. Bignazzi, P. Bogani, L. Carraresi, M. Colocci, A. Bosacchi, P. Frigeri and S. Franchi, Appl. Phys. Lett. 69, 3354 (1996).
16. H. Lee, R. Lowe-Webb, T. J. Johnson, W. Yang and P. C. Sercel, Appl. Phys. Lett. 73, 3556 (1998).
17. H. Kissel, U. Mueller, C. Walther, W. T. Masselink, Yu. I. Mazur, G. G. Tarasov and M. P. Lisitsa, Phys. Rev. B 62, 7213 (2000).
18. H. L. Wang, D. Ning and S. L. Feng, J. Cryst. Growth 209, 630 (2000).
19. W. H. Jiang, X. L. Ye, B. Xu, H. Z. Xu, D. Ding, J. B. Liang and Z. G. Wang, J. Appl. Phys. 88, 2529 (2000).
20. Y. C. Zhang, C. J. Huang, F. Q. Liu, B. Xu, D. Ding, W. H. Jiang, Y. F. Li, X. L. Ye, J. Wu, Y. H. Chen and Z. G. Wang, J. Cryst. Growth 219, 199 (2000).
21. Y. C. Zhang, C. J. Huang, F. Q. Liu, B. Xu, Y. H. Chen, D. Ding, W. H. Jiang, X. L. Ye and Z. G. Wang, J. Appl. Phys. 90, 1973 (2001).
22. R.-M. Lin, S.-C. Lee, H.-H. Lin, Y.-T Dai and Y.-F. Chen, J. Cryst. Growth 227/228, 1034 (2001).