Characterization of CdTe quantum dots grown on Si(1 1 1) by hot wall epitaxy

Journal of Applied Physics

Volumn 93, Issue 2, 2003, Pages 1195-1198

  Ferreira, S O ^a   Paiva, E C ^a   Fontes, G N ^b   Neves, B R A ^b,c  

^a FEDERAL UNIVERSITY OF VIÇOSA   (Brazil)

^b FEDERAL UNIVERSITY OF MINAS GERAIS   (Brazil)

^c Ave Jose Candido Da S   (Brazil)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMIC FORCE MICROSCOPY; EPITAXIAL GROWTH; NUCLEATION; SELF ASSEMBLY; SEMICONDUCTING CADMIUM TELLURIDE; SEMICONDUCTOR GROWTH; SUBSTRATES;

HOT WALL EPITAXY;

SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS;

EID: 0037439572     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1530364     Document Type: Article

References (29)

1. L. Goldstein, F. Glas, J. Y. Marzin, M. N. Charasse, and G. Le Roux, Appl. Phys. Lett. 47, 1099 (1985).
2. D. J. Eaglesham and M. Cerullo, Phys. Rev. Lett. 64, 1943 (1990).
3. M. Pinczolitz, G. Springholz, and G. Bauer, Appl. Phys. Lett. 73, 250 (1998).
4. F. Widmann, B. Daudin, G. Feuillet, Y. Samson, J. L. Rouvière, and N. Pelekanos, J. Appl. Phys. 83, 7618 (1998).
5. S. H. Xin, P. D. Wang, A. Yin, C. Kim, M. Dobrowolska, J. L. Merz, and J. K. Furdyna, Appl. Phys. Lett. 69, 3884 (1996).
6. Y. Terai, S. Kuroda, K. Takita, T. Okuno, and Y. Masumoto, Appl. Phys. Lett. 73, 3757 (1998).
7. S. Kuroda, Y. Terai, K. Takita, T. Okuno, and Y. Masumoto, J. Cryst. Growth 184/185, 274 (1998).
8. S. Fafard, K. Hinzer, S. Raymond, M. Dion, L. McCaffrey, Y. Feng, and S. Charbonneu, Science 274, 1350 (1996).
9. S. Guha, A. Madhukar, and K. C. Rajkumar, Appl. Phys. Lett. 57, 2110 (1990).
10. S. P. DenBaars, C. M. Reaves, V. Bressler-Hill, S. Varma, H. Weinberg, and P. M. Petroff, J. Cryst. Growth 145, 721 (1994).
11. H. Kuwabara, A. Unno, K. Kouga, T. Watanabe, W. Tomoda, Y. Nakanishi, and H. Tatsuoka, Appl. Surf. Sci. 175/176, 643 (2001).
12. R. Srinivasa, M. B. Panish, and H. Temkin, Appl. Phys. Lett. 50, 1441 (1987).
13. S. O. Ferreira, B. R. A. Neves, R. Magalhães-Paniago, A. Malachias, P. H. O. Rappl, A. Y. Ueta, E. Abramof, and M. S. Andrade, J. Cryst. Growth 231, 121 (2001).
14. L. Otero, Thin Solid Films 49, 3 (1978).
15. Y. Kawabata and S. Adachi, Appl. Surf. Sci. 152, 177 (1999).
16. S. Seto, S. Yamada, and K. Susuki, J. Cryst. Growth 214/215, 5 (2000).
17. B. R. A. Neves, M. S. Andrade, W. N. Rodrigues, G. A. M. Safar, M. V. B. Moreira, and A. G. de Oliveira, Appl. Phys. Lett. 72, 1712 (1998).
18. M. C. Bartelt and J. W. Evans, Phys. Rev. B 46, 12675 (1992).
19. J. G. Amar, F. Family, and P. M. Lam, Phys. Rev. B 50, 8781 (1994).
20. I. Doudevski, A. W. Hayes, and D. K. Schwartz, Phys. Rev. Lett. 81, 4927 (1998).
21. G. Medeiros-Ribeiro, A. M. Bratkovski, T. I. Kamins, D. A. A. Ohlberg, and R. Stanley Williams, Science 279, 353 (1998).
22. F. M. Ross, J. Tersoff, and R. M. Tromp, Phys. Rev. Lett. 80, 984 (1998).
23. P. Chen, Q. Xie, A. Madhukar, L. Chen, and A. Konkar, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 2568 (1994).
24. W. Seifert, N. Carlsson, M. Miller, M. E. Pistol, L. Samuelson, and L. R. Wallenberg, Prog. Cryst. Growth Charact. Mater. 33, 423 (1996).
25. G. Abstreiter, P. Shittenhelm, C. Engel, E. Silveira, and A. Zrenner, Semicond. Sci. Technol. 11, 1521 (1996).
26. M. Sopanen, H. Lipsanen, and J. Aholpeto, Appl. Phys. Lett. 67, 3768 (1995).
27. J. Johansson and W. Seifert, J. Cryst. Growth 234, 132 (2002); 234, 139 (2002).
28. J. Johansson and W. Seifert, J. Cryst. Growth 234, 132 (2002); 234, 139 (2002).
29. H. Kuwabara, A. Unno, K. Kouga, T. Watanabe, W. Tomoda, Y. Nakanishi, and H. Tatsuoka, Appl. Surf. Sci. 175-176, 643 (2001).