In As/GaAs quantum dot intermixing induced by proton implantation

Journal of Applied Physics

Volumn 93, Issue 2, 2003, Pages 1208-1211

  Ji, Yalin ^a   Lu, Wei ^a   Chen, Guibin ^a   Chen, Xiaoshuang ^a   Wang, Qing ^a  

^a SHANGHAI INSTITUTE OF TECHNICAL PHYSICS   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

INTERFACES (MATERIALS); ION IMPLANTATION; MULTILAYERS; PHOTOLUMINESCENCE; PROTONS; RAPID THERMAL ANNEALING; SELF ASSEMBLY; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS; SPECTRUM ANALYSIS;

PROTON IMPLANTATION;

SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS;

EID: 0037439341     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1530717     Document Type: Article

References (30)

1. R. Heitz, O. Stier, I. Mukhametzhanov, A. Madhukar, and D. Bimberg, Phys. Rev. B 62, 11 017 (2000).
2. Y. Arakawa and H. Sakaki, Appl. Phys. Lett. 40, 939 (1982).
3. S. Fafard, Z. R. Wasilewski, C. Ni. Allen, K. Hinzer, J. P. McCaffrey, and Y. Feng, Appl. Phys. Lett. 75, 986 (1999).
4. K. Mukai, Y. Nakata, K. Otsubo, M. Sugawara, N. Yokoyama, and H. Ishikawa, Appl. Phys. Lett. 76, 3349 (2000).
5. R. L. Sellin, Ch. Ribbat, M. Grundmann, N. N. Ledentsov, and D. Bimberg, Appl. Phys. Lett. 78, 1207 (2001).
6. S. Maimon, E. Finkman, G. Bahir, S. E. Schacham, J. M. Garcia, and P. M. Petroff, Appl. Phys. Lett. 73, 2003 (1998).
7. H. C. Liu, M. Gao, J. McCaffrey, Z. R. Wasilewaki, and S. Fafard, Appl. Phys. Lett. 78, 79 (2001).
8. S. Tang, S. Lin, and S. Lee, Appl. Phys. Lett. 78, 2428 (2001).
9. S. Muto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 34, L210 (1995).
10. T. Lundstrom, W. Schoenfeld, H. Lee, and P. M. Petroff, Science 286, 2312 (1999).
11. A. C. Bryce, F. Camacho, P. Cusumano, and J. H. Marsh, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 3, 855 (1997).
12. R. Leon, Y. Kim, C. Jagadish, M. Gal, J. Zou, and D. J. H. Cockayne, Appl. Phys. Lett. 69, 1888 (1996).
13. S. Fafard and C. Ni. Allen, Appl. Phys. Lett. 75, 2374 (1999).
14. J. J. Dnbowski, C. Ni. Allen, and S. Fafard, Appl. Phys. Lett. 77, 3583 (2000).
15. D. Bhattacharyya, A. Saher Helmy, A. C. Bryce, E. A. Avrutin, and J. H. Marsh, J. Appl. Phys. 88, 4619 (2000).
16. P. J. Wellmann, W. V. Schoenfeld, J. M. Garcia, and P. M. Petroff, J. Electron. Mater. 27, 1030 (1998).
17. T. Surkova, A. Patane, L. Eaves, P. C. Main, M. Henini, A. Polimeni, A. P. Knights, and C. Jeynes, J. Appl. Phys. 89, 6044 (2001).
18. G. F. Redinbo, H. G. Graaighead, and J. M. Hong, J. Appl. Phys. 74, 3099 (1993).
19. L. Fu, H. H. Tan, M. B. Johnston, M. Gai, and C. Jagadish, J. Appl. Phys.85, 6786 (1999).
20. G. S. Solomon, J. A. Trezza, A. F. Marshall, and J. S. Harris, Jr., Phys. Rev. Lett. 76, 952 (1996).
21. M. G. Alessi, M. Capizzi, A. Bhatti, A. Frova, F. Martinelli, P. Frigeri, A. Bosacchi, and S. Franchi, Phys. Rev. B 59, 7620 (1999).
22. Z. R. Wasilewski, S. Fafard, and J. P. McCaffery, J. Cryst. Growth 201, 1131 (1999).
23. I. Mukhametzhanov, Z. Wei, R. Heitz, and A. Madhukar, Appl. Phys. Lett. 75, 85 (1999).
24. A. Babiński, J. Jasiński, R. Boźek, A. Szepielow, and J. M. Baranowski, Appl. Phys. Lett. 79, 2576 (2001).
25. S. W. Ryu, I. Kim, B. D. Choe, and W. G. Jeong, Appl. Phys. Lett. 67, 1417 (1995).
26. S. Malik, C. Roberts, R. Murray, and M. Pate, Appl. Phys. Lett. 71, 1987 (1997).
27. N. Perret, D. Morris, L. Franchomme-Fosse, R. Cote, S. Fadard, V. Aimez, and J. Beauvais, Phys. Rev. B 62, 5092 (2000).
28. G. P. Kothiyal and P. Bhattacharya, J. Appl. Phys. 63, 2760 (1988).
29. M. Califano and P. Harrison, J. Appl. Phys. 91, 389 (2002).
30. M. Prol, A. Moredo-Araujo, F. Javier Fraíle-Pelaez, and R. Gomez-Alcala, Superlattices Microstruct. 30, 61 (2001).