Diffusion of Si and Ge dimers on Ge (001) surfaces

Journal of Applied Physics

Volumn 93, Issue 3, 2003, Pages 1452-1456

  Afanasieva, T V ^a   Bulavenko, S Yu ^a   Koval, I F ^a   Zandvliet, H J W ^b  

^a TARAS SHEVCHENKO NATIONAL UNIVERSITY OF KYIV   (Ukraine)

^b UNIVERSITY OF TWENTE   (Netherlands)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANISOTROPY; DIFFUSION; EPITAXIAL GROWTH; FREE ENERGY; SCANNING TUNNELING MICROSCOPY; SEMICONDUCTING GERMANIUM; SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS;

SIMPLE HOP MECHANISM;

DIMERS;

EID: 0037323005     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1533107     Document Type: Article

References (28)

1. H. J. W. Zandvliet. Rev. Mod. Phys. 72, 593 (2000).
2. R. Schlier and H. Fansworth. J. Chem. Phys. 30, 917 (1959).
3. R. M. Tromp, R. J. Hamers. and J. E. Demuth. Phys. Rev. Lett. 55, 1303 (1985).
4. H. J. W. Zandvliet, B. S. Swartzentruber, W. Wulfhekel. B. J. Hattink, and B. Poelsema, Phys. Rev. B 57, 6803 (1998).
5. O. L. Alerhand, D. Vanderbilt, R. D. Meade, and J. D. Joannopoulos, Phys. Rev. Lett. 61, 1973 (1988).
6. G. Brocks, J. H. Snoeijer, P. J. Kelly, H. J. W. Zandvliet, and B. Poelsema (to be published).
7. G. Brocks, P. J. Kelly, and R. Car, Surf. Sci. 269-270, 860 (1992).
8. T. Yamasaki, T. Uda, and K. Terakura, Phys. Rev. Lett. 76, 2949 (1996).
9. J. van Wingerden, A. Van Dam, M. J. Haye, P. M. L. O. Scholte, and F. Tuinstra, Phys. Rev. B 55, 4723 (1997).
10. B. Borovsky, M. Krueger, and E. Ganz, Phys. Rev. Lett. 78, 4229 (1997).
11. H. J. W. Zandvliet, B. Poelsema, and B. S. Swartzentruber, Phys. Today 54, 40 (2001).
12. H. J. W. Zandvliet, T. M. Galea, E. Zoethout, and B. Poelsema, Phys. Rev. Lett. 84, 1523 (2000).
13. T. M. Galea, C. Ordas, E. Zoethout, H. J. W. Zandvliet, and B. Poelsema, Phys. Rev. B 62, 7206 (2000).
14. T. V. Afanasieva, I. F. Koval, N. G. Nakhodkin, M. Yu. Pyatnitsky, and H. J. W. Zandvliet, Surf. Sci. 482-485, 702 (2001).
15. Z. Zhang, F. Wu, H. J. W. Zandvliet, B. Poelsema, H. Metiu, and M. G. Lagally, Phys. Rev. Lett. 74, 3644 (1995).
16. W. Wulfhekel, B. J. Hattink, H. J. W. Zandvliet, G. Rosenfeld, and B. Poelsema, Phys. Rev. Lett. 79, 2494 (1997).
17. E. Zoethout, H. J. W. Zandvliet, W. Wulfhekel, G. Rosenfeld, and B. Poelsema, Phys. Rev. B 58, 16 167 (1998).
18. X. R. Qin and B. S. Swartzentruber, Phys. Rev. Lett. 84, 4645 (2000).
19. X. R. Qin and B. S. Swartzentruber, Phys. Rev. Lett. 85, 3660 (2000).
20. Z. Y. Lu, C. Z. Wang, X. R. Qin, B. S. Swartzentruber, M. G. Lagally, and K. M. Ho, Phys. Rev. Lett. 85, 5603 (2000).
21. S. V. Khare, R. V. Kulkarni, D. Stroud, and J. W. Wilkins, Phys. Rev. B 60, 4458 (1999).
22. E. Zoethout, H. J. W. Zandvliet, and B. Poelsema, J. Vac. Sci. Technol. A 19, 1868 (2001).
23. D. Dijkkamp, E. J. van Loenen, and H. B. Elswijk, in Ordering at Surfaces and Interfaces, edited by A. Yoshimori, T. Shinjo, and H. Watanabe (Springer-Verlag, Berlin, 1992), p. 85.
24. B. S. Swartzentruber, Phys. Rev. Lett. 76, 459 (1996).
25. B. Borovsky, M. Krueger, and E. Ganz, Phys. Rev. B 59, 1598 (1999).
26. M. W. Schmidt, K. K. Baldridge, J. A. Boatz, S. T. Elbert, M. S. Gordon, J. H. Jensen, S. Koseki, N. Matsunaga, K. A. Nguyen, S. Su, T. L. Windus, M. Dupuis, and J. A. Montgomery, Jr., J. Comput. Chem. 14, 1347 (1993).
27. W. J. Stevens, H. Basch, and M. Krauss, J. Chem. Phys. 81, 6026 (1984).
28. Z.-Y. Lu, C.-Z. Wang, and K.-M. Ho, Phys. Rev. B 62, 8104 (2000).