Do we know the fundamental energy gap of InN?

Journal of Crystal Growth

Volumn 246, Issue 3-4, 2002, Pages 315-319

  Bechstedt, F ^a   Furthmuller J ^a  

^a FRIEDRICH SCHILLER UNIVERSITY JENA   (Germany)

Author keywords

A1. Band structure; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds

Indexed keywords

CARRIER CONCENTRATION; ELECTRONIC STRUCTURE; ENERGY GAP; NITRIDES; PHOTOLUMINESCENCE;

KOHN-SHAM EQUATION;

SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS;

EID: 0037121634     PISSN: 00220248     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/S0022-0248(02)01756-6     Document Type: Conference Paper

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