Nanobelts of the dielectric material Ge3N4

Applied Physics Letters

Volumn 79, Issue 27, 2001, Pages 4565-4567

  Gao, Y H ^a   Bando, Y ^a   Sato, T ^a  

^a NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0035981031     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1428634     Document Type: Article

References (31)

1. V. Craciun, I. N. Mihailescu, L. C. Nistor, V. S. Teodorescu, G. Leggieri, A. Luches, M. Martino, and A. V. Drigo, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 65, 115 (1992).
2. R. S. Johnsom, H. Niimi, and G. Lucovsky, J. Vac. Sci. Technol. A 18, 1230 (2000).
3. G. A. Johnson and V. J. Kapoor, J. Appl. Phys. 69, 3616 (1991).
4. K. P. Pande and C. C. Shen, Appl. Phys. A: Solids Surf. 28, 123 (1982).
5. K. P. Pande, M. L. Chen, M. Yousuf, and B. Lalevic, Solid-State Electron. 24, 1107 (1981).
6. K. P. Pande, Solid-State Electron. 25, 145 (1982).
7. S. Iijima, Nature (London) 354, 56 (1991).
8. N. G. Chopra, R. J. Luyken, K. Cherrey, V. H. Crespi, M. L. Cohen, S. G. Souie, and A. Zettl, Science 269, 966 (1995).
9. R. Tenne, L. Margulis, M. Genut, and G. Hodes, Nature (London) 360, 444 (1992).
10. Y. Feldman, E. Wasserman, D. J. Srolovitt, and R. Tenne, Science 267, 222 (1995).
11. Z. Weng-Sieh, K. Cherrey, N. G. Chopra, X. Blase, Y. Miyamoto, A. Rubio, M. L. Cohen, S. G. Louie, A. Zettle, and R. Gronsky, Phys. Rev. B 51, 11229 (1995).
12. Y. F. Zhang, Y. H. Tang, X. F. Duan, Y. Zhang, C. S. Lee, N. Wang, I. Bello, and S. T. Lee, Chem. Phys. Lett. 323, 180 (2000).
13. P. D. Yang and C. M. Lieber, Science 273, 1836 (1996).
14. N. Grobert, W. K. Hsu, Y. Q. Zhu, J. P. Hare, H. W. Kroto, M. Terrones, H. Terrones, P. Redlich, M. Rühle, R. Escudero, and M. Morales, Appl. Phys. Lett. 75, 3363 (1999).
15. H. J. Shin, R. Ryoo, Z. Liu, and O. Terasaki, J. Am. Chem. Soc. 123, 1246 (2001).
16. H. J. Dai, E. W. Wong, Y. Z. Lu, S. S. Fan, and C. M. Lieber, Nature (London) 375, 769 (1995).
17. Y. H. Gao, Y. Bando, K. Kurashima, and T. Sato, J. Electron Microsc. 49, 641 (2000).
18. W. Q. Han, S. S. Fan, Q. Q. Li, B. L. Gu, Z. B. Zhang, and D. P. Yu, Appl. Phys. Lett. 71, 2271 (1997).
19. T. Ono, H. Saitoh, and M. Esashi, Appl. Phys. Lett. 70, 1852 (1997).
20. Y. F. Zhang, Y. H. Tang, N. Wang, C. S. Lee, I. Bello, and S. T. Lee, Phys. Rev. B 61, 4518 (2000).
21. W. Q. Han, S. S. Fan, Q. Q. Li, and Y. D. Hu, Science 277, 1287 (1997).
22. W. S. Shi, Y. F. Zheng, N. Wang, C. S. Lee, and S. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 78, 3304 (2001).
23. H. G. Lee, H. C. Jeon, T. W. Kang, and T. W. Kim, Appl. Phys. Lett. 78, 3319 (2001).
24. Z. W. Pan, Z. R. Dai, and Z. L. Wang, Science 291, 1947 (2001).
25. S. N. Ruddlesden and P. Popper, Acta Cryst. 11, 465 (1958).
26. P. Hirsh, A. Howie, R. B. Nicholson, D. W. Pashley, and M. J. Whelan, Electron Microscopy of Thin Crystals (Butterworths, London, 1967), p. 98.
27. Y. L. Li, Y. Liang, and Z. Q. Hu, J. Mater. Sci. 31, 2677 (1996).
28. F. F. Xu, S. L. Wen, L.-O. Nordberg, and T. Ekstrom, J. Eur. Ceram. Soc. 17, 1631 (1997).
29. J. J. Dong, O. F. Sankey, S. K. Deb, G. Wolf, and P. F. McMillan, Phys. Rev. B 61, 11979 (2000).
30. I. Barin, F. Sauert, S. R. Ernst, and S. S. Wang, Thermochemical Data of Pure Substances (VCH, Weinheim, 1989), pp. 209, 271, 630, 640, 650, and 942.
31. B. R. Pamplin, Crystal Growth (Pergamon, Oxford, 1975), p. 35.