Oxide-assisted growth and optical characterization of gallium-arsenide nanowires

Applied Physics Letters

Volumn 78, Issue 21, 2001, Pages 3304-3306

  Shi, W S ^a   Zheng, Y F ^a   Wang, N ^a,b   Lee, C S ^a   Lee, S T ^a  

^a CITY UNIVERSITY OF HONG KONG   (Hong Kong)

^b HONG KONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY   (Hong Kong)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0035927071     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1371966     Document Type: Article

References (22)

1. K. Hiruma, M. Yazawa, T. Katsuyama, K. Ogawa, K. Haraguchi, M. Koguchi, and H. Kakibayashi, J. Appl. Phys. 77, 447 (1995).
2. M. Grayson, D. C. Tsui, M. Shayegan, K. Hirakawa, R. A. Ghanbari, and H. I. Smith, Appl. Phys. Lett. 67, 1564 (1995).
3. X. Duan, J. Wang, and C. M. Lieber, Appl. Phys. Lett. 76, 1116 (2000).
4. K. Haraguchi, K. Hiruma, K. Hosomi, M. Shirai, and T. Katsuyama, J. Vac. Sci. Technol. B 15, 1685 (1997).
5. K. Hiruma, T. Katsuyama, K. Ogawa, M. Koguchi, H. Kakibayashi, and G. P. Morgan, Appl. Phys. Lett. 59, 431 (1991).
6. T. Guenther, V. Emiliani, F. Intonti, C. Lienau, T. Elsaesser, R. Notzel, and K. H. Ploog, Appl. Phys. Lett. 75, 3500 (1999).
7. A. M. Morales and C. M. Lieber, Science 279, 208 (1998).
8. T. Shimada, K. Hiruma, M. Shirai, M. Yazawa, K. Haraguchi, T. Sato, M. Matsui, and T. Katsuyama, Superlattices Microstruct. 24, 453 (1998).
9. S. W. Da Silva, D. I. Lubyshev, P. Basmaji, Yu. A. Pusep, P. S. Pizani, J. C. Galzerani, R. S. Katiyar, and G. Morell, J. Appl. Phys. 82, 6247 (1997).
10. K. Haraguchi, K. Hiruma, K. Hosomi, M. Shirai, and T. Katsuyama, J. Vac. Sci. Technol. B 15, 1685 (1997).
11. S. T. Lee, N. Wang, Y. F. Zhang, and Y. H. Tang, MRS Bull. 24, 36 (1999).
12. N. Wang, Y. H. Tang, Y. F. Zhang, C. S. Lee, and S. T. Lee, Chem. Phys. Lett. 237, 299 (1999).
13. Y. F. Zhang, Y. H. Tang, N. Wang, C. S. Lee, I. Bello, and S. T. Lee, Phys. Rev. B 61, 4518 (2000).
14. N. Wang, Y. H. Tang, Y. F. Zhang, C. S. Lee, and S. T. Lee, Phys. Rev. B 58, R16024 (1998).
15. X. Duan, J. Wang, and C. M. Lieber, Appl. Phys. Lett. 76, 1116 (2000).
16. J. D. Holmes, K. P. Johnston, R. C. Doty, and B. A. Korgel, Science 287, 1471 (2000).
17. K. K. Tiong, P. M. Amirtharaj, F. H. Pollak, and D. E. Aspnes, Appl. Phys. Lett. 44, 122 (1984).
18. B. Li, D. Yu, and S.-L. Zhang, Phys. Rev. B 59, 1645 (1999).
19. R.-P. Wang, G-w. Zhou, Y-I. Liu, S-h. Pan, H-z. Zhang, D-p. Yu, and Z. Zhang, Phys. Rev. B 61, 16827 (2000).
20. W. S. Shi, H. Y. Peng, Y. F. Zheng, N. Wang, N. G. Shang, Z. W. Pan, C. W. Lee, and S. T. Lee, Adv. Mater. 12, 1343 (2000).
21. E. F. Schubert, Doping in III-V Semiconductors (Cambridge University, Cambridge, U.K., 1993), pp. 34-53.
22. K. Hiruma, T. Katsuyama, K. Ogawa, M. Koguchi, H. Kakibayashi, and G. P. Morgan, Appl. Phys. Lett. 59, 431 (1991).