Investigation of the emission mechanism in InGaN/GaN-based light-emitting diodes

Applied Physics Letters

Volumn 78, Issue 18, 2001, Pages 2617-2619

  Wang, T ^a   Bai, J ^a   Sakai, S ^a   Ho, J K ^b  

^a UNIVERSITY OF TOKUSHIMA   (Japan)

^b INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0035971712     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1368374     Document Type: Article

References (9)

1. P. A. Crowell, D. K. Yong, S. Keller, K. L. Hu, and D. D. Awschalom, Appl. Phys. Lett. 72, 927 (1998).
2. P. G. Eliseev, P. Perlin, J. Lee, and M. Osinski, Appl. Phys. Lett. 71, 569 (1997).
3. M. S. Minsky, S. B. Fleischer, A. C. Abare, J. E. Bowers, E. L. Hu, S. Keller, and S. P. Denbaars, Appl. Phys. Lett. 72, 1066 (1998).
4. K. L. Teo, J. S. Colton, P. Y. Yu, E. R. Weber, M. F. Li, W. Liu, K. Uchida, H. Tokunaga, N. Akutsu, and K. Matsumoto. Appl. Phys. Lett. 73, 1697 (1998).
5. P. Perlin, C. Kisielowski, V. Iota, B. A. Weinstein, L. Mattos, N. A. Shapiro, J. Kruger, E. R. Weber, and J. Yang. Appl. Phys. Lett. 73, 2778 (1998).
6. T. Wang, D. Nakagawa, M. Lachab, T. Sugahara, and S. Sakai, Appl. Phys. Lett. 74, 3128 (1999).
7. T. Wang, H. Saeki, J. Bai, M. Lachab, T. Shirahama, and S. Sakai, Appl. Phys. Lett. 76, 1737 (2000).
8. T. Takeuchi, C. Wetzel, S. Yamaguchi, H. Sakai, H. Amano, and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 73, 1691 (1998).
9. J. Bai, T. Wang, and S. Sakai, J. Appl. Phys. 88, 4729 (2000).