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Volumn 64, Issue 24, 2001, Pages 2452081-2452087

Ab initio and empirical-potential studies of defect properties in 3C-SiC

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CARBON; SILICON CARBIDE;

EID: 0035894324     PISSN: 01631829     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article
Times cited : (109)

References (35)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.