Formation of c54 tisi2: Effects of niobium additions on the apparent activation energy

Journal of Applied Physics

Volumn 90, Issue 12, 2001, Pages 6409-6415

  D'Heurle F M ^a   Zhang, S L ^a   Lavoie, C ^a   Gas, P ^a   Cabral, C ^a   Harper, J M E ^a  

^a IBM T J WATSON RESEARCH CENTER   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0035894290     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1413952     Document Type: Article

References (41)

1. F. M. d'Heurle, P. Gas, I. Engström, S. Nygren, M. Östling, and C. S. Petersson, IBM Research Report RC 11151 (Yorktown Heights, NY, 1985).
2. R. Beyers and R. Sinclair, J. Appl. Phys. 57, 5240 (1985).
3. 2.
4. R. W. Mann, G. L. Miles, T. A. Knotts, D. W. Rakowski, L. A. Clevenger, J. M. E. Harper, F. M. d'Heurle, and C. Cabral, Jr., Appl. Phys. Lett. 67, 3729 (1995).
5. A. Mouroux, S.-L. Zhang, W. Kaplan, S. Nygren, M. Östling, and C. S. Petersson, Appl. Phys. Lett. 69, 975 (1996).
6. C. Cabral, Jr., L. A. Clevenger, J. M. E. Harper, F. M. d'Heurle, and K. L. Saenger, J. Mater. Res. 12, 304 (1997).
7. A. Mouroux, S.-L. Zhang, and C. S. Petersson, Phys. Rev. B 56, 10614 (1997).
8. A. Mouroux, B. Reynard, and S.-L. Zhang, in Advanced Metallization and Interconnect Systems for ULSI Applications in 1997, edited by R. Cheung, J. Klein, K. Tsubouchi, M. Murakami, and N. Kobayashi (Materials Research Society, Warrendale, Pennsylvania, 1998), pp. 605-609.
9. C. Cabral, Jr., L. A. Clevenger, J. M. E. Harper, F. M. d'Heurle, R. A. Roy, C. Lavoie, K. L. Saenger, G. L. Miles, R. W. Mann, and J. S. Nakos, Appl. Phys. Lett. 71, 3531 (1997).
10. H. J. van Houtun, I. J. M. Raaijmakers, and I. Radelaar, J. Appl. Phys. 61, 3116 (1987).
11. L. Kappius and R. T. Tung, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 611, C8.2.1 (2000).
12. J. M. E. Harper, C. Cabral, Jr., C. Lavoie, L. A. Clevenger, F. M. d'Heurle, L. Gignac, J. Jordan-Sweet, R. A. Roy, and K. L. Saenger, in Silicides: Fundamental and Applications edited by L. Miglio and F. M. d'Heurle (World Scientific, Singapore, 2000), p. 261.
13. Z. Ma and L. A. Allen, Phys. Rev. B 49, 13501 (1994).
14. R. D. Thompson, H. Takai, P. A. Psaras, and K. N. Tu, J. Appl. Phys. 61, 540 (1987).
15. R. W. Mann and L. A. Clevenger, J. Electrochem. Soc. 141, 1347 (1994).
16. J. A. Kittl, Q. A. Prinslow, P. P. Apte, and M. F. Pas, Appl. Phys. Lett. 67, 2308 (1995).
17. L. A. Clevenger, J. M. E. Harper, C. Cabral, Jr., C. Nobili, G. Ottaviani, and R. Mann, J. Appl. Phys. 72, 4978 (1992).
18. X. H. Li, J. R. A. Carlsson, S. F. Gong, and H. T. G. Hentzell, J. Appl. Phys. 72, 514 (1992).
19. S. Privitera, F. La Via, C. Spinella, S. Quilici, F. Meinardi, M. G. Grimaldi, and E. Rimini, J. Appl. Phys. 88, 7013 (2000).
20. H. E. Kissinger, Anal. Chem. 29, 1702 (1957).
21. see J. W. Christian, The Theory of Transformations in Metals and Alloys, 2nd ed. (Pergamon, Oxford 1975), Chap. 12.
22. S.-L. Zhang and F. M. d'Heurle, Thin Solid Films 279, 248 (1996).
23. S. Privitera, S. Spinella, F. La Via, M. G. Grimaldi, and E. Rimini, Appl. Phys. Lett. 78, 1514 (2001).
24. G. B. Stephenson, K. F. Ludwig, J. L. Jordan-Sweet, S. Brauer, J. Manville, Y. S. Yang, and M. Sutton, Rev. Sci. Instrum. 60, 1537 (1989).
25. H. J. Goldschmidt, Interstitial Alloys (Butterworths, London, 1967), pp. 296-348.
26. L. A. Clevenger, C. Cabral, Jr., R. A. Roy, C. Lavoie, J. Jordan-Sweet, S. Brauer, G. Morales, K. F. Ludwig, and G. B. Stephenson, Thin Solid Films 289, 220 (1996).
27. A. Mouroux, M. Roux, S.-L. Zhang, F. M. d'Heurle, C. Cabral, Jr., C. Lavoie, and J. M. E. Harper, J. Appl. Phys. 86, 2323 (1999).
28. R. Cocchi, D. Giubertoni, G. Ottaviani, T. Maragon, G. Matracchio, G. Queirolo, and A. Sabbadini, J. Appl. Phys. 89, 6079 (2001).
29. S.-L. Zhang, C. Lavoie, C. Cabral, Jr., J. M. E. Harper, F. M. d'Heurle, and J. Jordan-Sweet, J. Appl. Phys. 85, 2617 (1999).
30. S.-L. Zhang, F. M. d'Heurle, C. Lavoie, C. Cabral, Jr., and J. M. E. Harper, Appl. Phys. Lett. 73, 312 (1998).
31. S.-L. Zhang and F. M. d'Heurle, Thin Solid Films 256, 155 (1995).
32. F. Bonoli, M. Iannuzi, L. Miglio, and V. Meregalli, Appl. Phys. Lett. 73, 1964 (1998).
33. P. Gas and F. M. d'Heurle, in Landolt-Börnstein, New Series III/33, Diffusion in Semiconductors and Non-Metallic Solids, edited by D. I. Beke (Springer, Berlin, 1998).
34. F. M. d'Heurle, in VLSI Science and Technology, edited by C. Dell'Oca and W. M. Bullies (Electrochemical Society, Pennington, NJ, 1982), pp. 194-212.
35. M.-A. Nicolet and S. S. Lau, in VLSI Electronics, Microstructure Science, edited by N. G. Einspruch and G. B. Larrabee (Academic, New York, 1983), Vol. 6, pp. 440-ff.
36. M. Salamon, K. Ito, M. Yamaguchi, K. Freitag, D. Eversheim, and H. Mehrer, Defect Diffus. Forum 194-199, 523 (2001).
37. F. M. d'Heurle, P. Gas, and J. Philibert, Solid State Phenom. 41, 93 (1995).
38. S. Zirinsky, W. Hammer, F. M. d'Heurle, and J. Baglin, Appl. Phys. Lett. 33, 76 (1978).
39. F. Ross, IBM J. Res. Dev. 44, 489 (2000).
40. R. Vandermeer and P. Gordon, Recovery and Recrystallization of Metals (Interscience, New York, 1961), p. 211.
41. K. Lücke and H. P. Stüve, Recovery and Recrystallization of Metals (Interscience, New York, 1961), p. 131.