LiNbO3 thick films grown on sapphire by using a multistep sputtering process

Journal of Applied Physics

Volumn 90, Issue 10, 2001, Pages 5274-5277

  Lansiaux, X ^a   Dogheche, E ^a   Remiens, D ^a   Guilloux Viry, M ^b   Perrin, A ^b   Ruterana, P ^c  

^a Inst Univ Technol de Valenciennes   (France)

^b UNIVERSITÉ DE RENNES 1   (France)

^c LERMAT Laboratoire d'Etude et de Recherche sur les Materiaux   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0035890399     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1378332     Document Type: Article

References (21)

1. K. S. Ho, J. Lin, J. Chen, and T. Rabson, Integr. Ferroelectr. 11, 201 (1995).
2. S. Tomabechi, K. Wada, S. Saigusa, H. Matsuhashi, H. Nakase, K. Masu, and K. Tsubouchi, IEEE Ultrasonics Symposium, 1999 (IEEE, New York, 1999), LL-1.
3. A. Yamada, H. Tamada, and M. Saitoh, J. Appl. Phys. 61, 2848 (1993).
4. S. Schwyn, H. W. Lehmann, and R. Widmer, J. Appl. Phys. 72, 1154 (1992).
5. N. Fujimura, M. Kakinoki, H. Tsuboi, and T. Ito, J. Appl. Phys. 75, 2169 (1994).
6. T. A. Rost, H. Lin, T. A. Rabson, R. C. Baumann, and D. L. Callahan, J. Appl. Phys. 72, 4336 (1992).
7. R. A. Bets and C. W. Pitt. Electron. Lett. 21, 960 (1985).
8. M. Marsh, S. D. Harkness, F. Quian, and R. K. Singh, Appl. Phys. Lett. 62, 952 (1993).
9. D. K. Fork and G. B. Anderson, Appl. Phys. Lett. 63, 1028 (1993).
10. Z. Lu, R. Hiskes, S. A. Di Carolis, R. K. Route, R. S. Feigelson, F. Leplingard, and J. E. Fouquet, J. Mater. Res. 9, 2258 (1994).
11. S. Y. Lee, R. K. Route, and R. S. Feigelson, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 392, 177 (1995).
12. K. Nashimoto, H. Moriyama, and E. Osakabe, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 4936 (1996).
13. Y. Yoneda, T. Okabe, K. Sakaue, H. Terauchi, H. Kasatani, and K. Deguchi, J. Appl. Phys. 83, 2458 (1998).
14. S. Wang, T. Rabson, Q. Su, and M. Robert, Integr. Ferroelectr. 25, 37 (1999).
15. A. M. Radojevic, M. Levy, R. M. Osgood, Jr., A. Kumar, H. Bakhru, C. Tian, and C. Evans, Appl. Phys. Lett. 74, 3197 (1999).
16. E. Dogheche, X. Lansiaux, and D. Rémiens, Integr. Ferroelectr. 25, 47 (1999).
17. R. Ulrich and R. Torge, Appl. Opt. 12, 2901 (1973).
18. D. K. Fork, F. Armani-Leplingard, and J. J. Kington, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 361, 155 (1994).
19. E. Dogheche, B. Belgacem, D. Rémiens, P. Ruterana, and F. Omnes, Appl. Phys. Lett. 75, 3324 (1999).
20. Y. Okamura, S. Yoshinaka, and S. Yamamoto, Appl. Opt. 22, 3892 (1983).
21. W. S. Hu, Z. G. Liu, Y. Q. Lu, S. N. Zhu, and D. Feng. Opt. Lett. 21, 946 (1996).