Thermal Annealing Effects on the Photoluminescence of InGaN/GaN Quantum Wells

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 39, Issue 1, 2001, Pages 136-140

  Lee, W H ^a   Kim, K S ^a   Yang, G M ^a   Hong, C H ^a   Lim, K Y ^a   Suh, E K ^a   Lee, H J ^a   Cho, H K ^b   Lee, J Y ^b  

^a Chonbuk National University   (South Korea)

^b Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST)   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0035596391     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (23)

1. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa and S. Nagahama, Jpn. J. Appl. Phys. 34, L797 (1995).
2. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoko and Y. Sugimoto, Jpn. J. Appl. Phys. 35, L74 (1996).
3. I-hsiu Ho and G. B. Stringfellow, Appl. Phys. Lett. 69, 2701 (1996).
4. G. B. Stringfellow, J. Cryst. Growth 58, 194 (1982).
5. J. L. Martins and A. Zunger, Phys. Rev. B 30, 6217 (1984).
6. R. Singh, D. Doppalapudi and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 70, 1089 (1997).
7. C. A. Tran, R. F. Karlicek, Jr., M. Schurman, A. Osinsky, V. Merai, Y. Li, I. Eliashevich, M. G. Brown, J. Ferguson and R. Stall, J. Crystal Growth 195, 397 (1998).
8. M. D. McCluskey, L. T. Romano, B. S. Krusor, D. Hofstetter, D. P. Bour, C. M. Kneissl, N. M. Johnson, T. Suski and J. Jun, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4SI, G3, 42 (1999).
9. L. T. Romano, M. D. McCluskey, B. S. Krusor, D. P. Bour, C. Chua, S. Brennan and K. M. Yu, J. Crystal Growth 189/190, 33 (1998).
10. M. D. McCluskey, L. T. Romano, B. S. Krusor, D. P. Bour, N. M. Johnson and S. Brennan, Appl. Phys. Lett. 72, 1730 (1998).
11. M. D. McCluskey, L. T. Romano, B. S. Krusor, N. M. Johnson and T. Suski, Appl. Phys. Lett. 73, 1281 (1998).
12. M. C. Chan, K.-O. Tsang, E. H. Li and S. P. DenBaars, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G6, 25 (1999).
13. K. Osamura, S. Naka and Y. Murakami, J. Appl. Phys. 46, 3432 (1975).
14. M. Smith, J. Y. Lin, H. X. Jiang, A. Khan, Q. Chen, A. Salvador, A. Botchkarev, W. Kim and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 70, 2882 (1997).
15. D. Doppalapudi, S. N. Basu, K. F. Ludwig and T. D. Moustakas, J. Appl. Phys. 84, 1389 (1998).
16. H. P. Xin, K. L. Kavanagh, M. Kondow and C. W. Tu, J. Cryst. Growth 201/202, 419 (1999).
17. T. Sugahara, M. Hao, T. Wang, D. Nakagawa, Y. Naoi, K. Nishino and S. Sakai, Jpn. J. Appl. Phys. 37, L1195 (1998).
18. T. Miyazawa, H. Iwamura, O. Mikami and M. Naganuma, Jpn. J. Appl. Phys. 28, L1039 (1989).
19. K. S. Kim, C.-H. Hong, C. S. Oh, W.-H. Lee, K. J. Lee, O. H. Cha, C. S. Kim, G. M. Yang, E.-K. Suh, K. Y. Lim and H. J. Lee, 99 fall Material Research Society Symposium, Nov. 29 - Dec. 3, Boston, USA (1999).
20. K. S. Kim, G. M. Yang and H. J. Lee, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 2663 (1998).
21. M. Leszczynski, J. F. Walker, et al., Appl. Phys. Lett. 62, 1484 (1993).
22. C. N. Ivanov et al., Fiz. Tverd. Tela 39, 93 (1997).
23. X. C. Wang, S. J. Xu, S. J. Chua, K. Li, Z. H. Zhang, X. Zhang and K. B. Chung, 2nd Intern. Symp. On Blue Laser and Light Emitting Diodes, Chiba, Japan, Sept. 29 - Oct. 2, p. 304 (1998).