Inhomogeneous incorporation of in and Al in molecular beam epitaxial AlInGaN films

Journal of Applied Physics

Volumn 90, Issue 9, 2001, Pages 4868-4870

  Cremades, A ^a   Navarro, V ^a   Piqueras, J ^a   Lima, A P ^b   Ambacher, O ^b   Stutzmann, M ^b  

^a UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID   (Spain)

^b WALTER SCHOTTKY INSTITUT   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0035502964     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1407849     Document Type: Article

References (10)

1. S. Nakamura, Mater. Sci. Eng., B 50, 277 (1997).
2. L. Eastman, K. Chu, W. Schaff, M. Murphy, N. G. Weimann, and T. Eustis, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 2, 17 (1997).
3. F. G. McIntosh, K. S. Boutros, J. C. Roberts, S. M. Bedair, E. L. Piner, and N. A. El-Masry, Appl. Phys. Lett. 68, 40 (1996).
4. M. A. Khan et al., Appl. Phys. Lett. 76, 1161 (2000).
5. J. Zhang, J. Yang, G. Simin, M. Shatalov, M. A. Khan, M. S. Shur, and R. Gaska, Appl. Phys. Lett. 77, 2668 (2000).
6. G. Tamulaitis et al., Appl. Phys. Lett. 77, 2136 (2000).
7. M. E. Aumer, S. F. LeBoeuf, F. G. McIntosh, and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. 75, 3315 (1999).
8. A. P. Lima, C. R. Miskys, U. Karrer, O. Ambacher, A. Wenzel, B. Rauschenbach, and M. Stutzmann, J. Cryst. Growth 220, 341 (2000).
9. A. Cremades, M. Albrecht, J. M. Ulloa, J. Piqueras, H. P. Strunk, D. Hanser, and R. F. Davis, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 588, 81 (2000).
10. B. Jahnen, M. Albrecht, W. Dorsch, S. Christiansen, H. P. Strunk, D. Hanser, and R. F. Davis, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3, 39 (1998).