Growth and characterization of GaN thin films on β-SiC/Si substrate using rapid thermal chemical vapor deposition

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 34, Issue SUPPL. 3, 1999, Pages

  Mo, Y H ^a   Nahm, K S ^a   Yang, S H ^a   Kim, K C ^a   Lee, W H ^a   Suh, E K ^a   Lim, K Y ^a  

^a Chonbuk National University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0002074950     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (15)

1. S. Oorowski, J. Jun, P. Perlin, I. Grzegory, H. Teissere and T. Suski, Inst. Phys. Conf. Ser. 137, 369 (1994).
2. S. Najamura, M. Senoh, N. Iwasa and S. Nagahma, Jpn. J. Appl. Phys. 34, L797 (1995)
3. T. Sasaki and T. Matsuoka, J. Appl. Phys. 64, 4531 (1988)
4. J. H. Edgar, J. Mater. Res. 7, 235 (1992).
5. J. Devrajan, A. J. Steckl, C. Tran and R. A. Stall, Mat. Sci. Forum 264-268, 1149 (1998).
6. S. Nishino, H. Suhara, H. Ono and H. Matsunami, J. Appl. Phys. 61, 4889 (1987).
7. Y. H. Seo, K. C. Kim, H. W. Shim, K. S. Nahm, E.-K. Suh and H. J. Lee, J. Korean Phys. Soc. 33, S324 (1998).
8. K. C. Kim, H. W. Shim. E.-K. Suh, H. J. Lee and K. S. Nahm, J. Korean Phys. Soc. 32, 588 (1998).
9. Y. H. Seo, K. C. Kim, H. W. Shim, K. S. Nahm, E.-K. Suh, H. J. Lee, D. K. Kim and B. T. Lee, J. Electrochem. Soc. 145, 292 (1998).
10. S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. 304L, 1705 (1991).
11. H. Amano, T. Takeuchi, H. Sakai, S. Y amaguchi, C. Wetzel and I. Akasaki, Materials Science Forum 264-268, 1115 (1998).
12. A. J. Steckl, J. Devrajan, C. Tran and R. A. Stall, J. Electronic Materials 26, 217 (1997)
13. T. Hashimoto, O. Imafuji, M. Ishida, Y. Terakoshi, T. Sugino, A. Yoshikawa, K. Itoh and J. Shirafuji, J. Cryst. Growth 169, 185 (1996)
14. C. Noguetz, R. Esquivel-Sirvent, D. R. Alfonso, S. E. Ulloa and D. A. Drabold, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 911 (1997)
15. J. Wu, H. Yaguchi, H. Nagasawa, Y. Yamaguchi, K. Onabe, Y. Shiraki and R. Ito, Jpn. J. Appl. Phys. 36, 4241 (1997).