Structural properties of thin Zn0.62Cu0.19In0.19S alloy films grown on Si(111) substrates by pulsed laser deposition

Thin Solid Films

Volumn 358, Issue 1, 2000, Pages 80-85

  Wagner, G ^a   Lange, U ^b   Bente, K ^b   Lenzner, J ^c   Lorenz, M ^c  

^a LEIBNIZ INSTITUTE OF SURFACE ENGINEERING IOM   (Germany)

^b UNIVERSITY OF LEIPZIG   (Germany)

^c Inst fur Experimentelle Physik I   (Germany)

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AMORPHIZATION; CRYSTAL ORIENTATION; DEPOSITION; DISLOCATIONS (CRYSTALS); EPITAXIAL GROWTH; GRAIN BOUNDARIES; PULSED LASER APPLICATIONS; SEMICONDUCTING ZINC COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR GROWTH; SILICON WAFERS; THIN FILMS; TWINNING;

PULSED LASER DEPOSITION (PLD);

SEMICONDUCTING FILMS;

EID: 0033901007     PISSN: 00406090     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/S0040-6090(99)00663-X     Document Type: Article

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