Using the tensile stress field to control quantum dot arrangements

Surface Science

Volumn 423, Issue 1, 1999, Pages

  Jin, Zhi ^a   Wang, Benzhong ^b   Peng, Yuheng ^a   Zhao, Fanghai ^a   Chen, Weiyou ^a   Liu, Shiyong ^a   Gao, Chunxiao ^c  

^a J ^*  (China)

^b NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE   (Singapore)

^c JILIN UNIVERSITY   (China)

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ATOMIC FORCE MICROSCOPY; CRYSTAL ORIENTATION; DENSITY (SPECIFIC GRAVITY); HETEROJUNCTIONS; METALLORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY; MONOLAYERS; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE; SEMICONDUCTING INDIUM PHOSPHIDE; SEMICONDUCTOR GROWTH; STRAIN; TENSILE STRESS;

INDIUM ARSENIDE;

SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS;

EID: 0033099868     PISSN: 00396028     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/S0039-6028(98)00934-0     Document Type: Article

References (20)

1. Bennett B.R., Magno R., Shanabrook B.V. Appl. Phys. Lett. 68:1996;505.
2. Moison J.M., Houzay F., Barthe F., Leprince L. Appl. Phys. Lett. 64:1994;196.
3. Kobayahsi N.P., Ramachandran T.R., Chen P., Madhukar A. Appl. Phys. Lett. 68:1996;3299.
4. Madhukar A., Xie Q., Chen P., Konkar A. Appl. Phys. Lett. 64:1994;2727.
5. Fafard S., Wasilewski Z., McCaffrey J., Raymond S., Charbonneau S. Appl. Phys. Lett. 68:1996;991.
6. Wang B., Jin Z., Peng Y., Li Z., Liu S. Opt. Quantum Electron. 30:1998;187.
7. Wang B., Zhao F., Peng H., Jin Z., Li Y., Liu S. Appl. Phys. Lett. 72:1998;2433.
8. Moritz A., Wirth R., Hangleiter A. Appl. Phys. Lett. 69:1996;212.
9. Kurtenbach A., Eberl K., Shitara T. Appl. Phys. Lett. 66:1995;361.
10. Qiang H., Pollak F.H. Appl. Phys. Lett. 64:1994;2830.
11. Hatami F., Ledentsov N.N., Grundmann M., Bohrer J., Heinrichsdorff F., Beer M., Bimberg D. Appl. Phys. Lett. 67:1995;656.
12. Sun C.K., Wang G., Bowers J.E., Brar B., Blank H.R., Kroemer H., Pilkuhn M.H. Appl. Phys. Lett. 68:1996;1543.
13. Seifert W., Carlsson N., Petersson A., Wernersson L.E., Samuelson L. Appl. Phys. Lett. 68:1996;1684.
14. Kitamura M., Nishioka M., Oshiniwo J., Arakawa Y. Appl. Phys. Lett. 66:1995;3663.
15. Ponchet A., Le Corre A., Godefroy A., Salaun S., Poudoulec A. J. Cryst. Growth. 153:1995;71.
16. Ponchet A., Rocher A., Ougazzaden A., Mircea A. J. Appl. Phys. 75:1994;7881.
17. Grilhe J. Acta Metall. Mater. 41:1993;909.
18. Srolovitz D.J. Acta Metall. 37:1989;621.
19. Spencer B.J., Voorhees P.W., Davis S.H. Phys. Rev. Lett. 67:1991;3696.
20. Mullins W.W. J. Appl. Phys. 28:1957;333.