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Volumn 201, Issue , 1999, Pages 769-772

Ohmic versus rectifying contacts through interfacial dipoles: Al/InxGa1-xAs

(10) Marinelli, C a Sorba, L a Muller B H a Kumar, D a Orani, D a Rubini, S a Franciosi, A a De Franceschi, S b Lazzarino, M b Beltram, F b

a LABORATORIO TASC (Italy)

b SCUOLA NORMALE SUPERIORE (Italy)

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ALUMINUM; CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; OHMIC CONTACTS; SCHOTTKY BARRIER DIODES; SEMICONDUCTING INDIUM GALLIUM ARSENIDE; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

BARRIER TUNABILITY;

SEMICONDUCTOR METAL BOUNDARIES;

EID: 0032676489 PISSN: 00220248 EISSN: None Source Type: Journal
DOI: 10.1016/S0022-0248(98)01468-7 Document Type: Article

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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.