Cobalt metallorganic chemical vapor deposition and formation of epitaxial CoSi2 layer on Si(100) substrate

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 146, Issue 7, 1999, Pages 2720-2724

  Rhee, Hwa Sung ^a   Ahn, Byung Tae ^a  

^a Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST)   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; COBALT; COBALT ALLOYS; COBALT COMPOUNDS; DIFFUSION IN SOLIDS; FILM GROWTH; INTERFACES (MATERIALS); METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; METALLORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY; SILICON WAFERS; ULSI CIRCUITS;

COBALT DISILICIDE;

CONDUCTIVE FILMS;

EID: 0032662027     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.1391999     Document Type: Article

References (22)

1. K. Maex, Mater. Sci. Eng., R, 11, 53 (1993).
2. E. C. Jones, N. W. Cheung, and D. B. Fraser, J. Electron. Mater., 24, 863 (1995).
3. S. M. Yalisove, R. T. Tung, and D. Loretto, J. Vac. Sci. Technol., A7, 1472 (1989).
4. J. R. Jimenez, L. J. Schowalter, L. M. Hsiung, K. Rajan, S. Hashimoto, R. D. Thomson, and S. S. Lyer, J. Vac. Sci. Technol., A8, 3014 (1990).
5. R. Pretorius and J. W. Mayer, J. Appl. Phys., 81, 2448 (1997).
6. M. L. A. Dass, D. B. Fraser, and C. S. Wei, Appl. Phys. Lett., 58, 1308 (1991).
7. R. T. Tung, Appl. Phys. Lett., 68, 3461 (1996).
8. S. L. Hsia, T. Y. Tan, P. Smith, and G. E. McGuire, J. Appl. Phys., 70, 7579 (1991).
9. A. H. Reader, J. P. W. B. Duchateau, J. E. Crombeen, and E. P. Naburgh, Appl. Surf. Sci., 53, 92 (1991).
10. S. Q. Wang and J. W. Mayer, J. Appl. Phys., 65, 1957 (1989).
11. K. Prabhakaran, K. Sumitomo, and T. Ogino, Appl. Surf. Sci., 117/118, 280 (1997).
12. S. L. Zhang and J. Cardenas, Appl. Phys. Lett., 66, 258 (1995).
13. G. J. M. Dormans, J. Cryst. Growth, 108, 806 (1991).
14. G. J. M. Dormans, G. J. B. M. Meekes, and E. G. J. Staring, J. Cryst. Growth, 114, 364 (1991).
15. M. E. Gross, K. Schnoeskranz, D. Brasen, and H. Luftman, J. Vac. Sci. Technol., B6, 1548 (1988).
16. G. A. West and K. W. Beeson, Appl. Phys. Lett., 53, 740 (1988).
17. R. Kaplan and N. Bottka, Appl. Phys. Lett., 41, 972 (1982).
18. R. T. Tung and F. Schrey, Appl. Phys. Lett., 67, 2164 (1995).
19. E. F. Knights and H. C. Brown, J. Am. Chem. Soc., 11, 5284 (1968).
20. K. Saito and Y. Arita, J. Electrochem. Soc., 143, 3778 (1996).
21. R. A. Donaton, K. Maex, A. Vantomme, G. Langouche, Y. Morciaux, A. St. Amour, and J. C. Sturm, Appl. Phys. Lett., 70, 1266 (1997).
22. H. S. Rhee, T. W. Jang, and B. T. Ahn, Appl. Phys. Lett., 74, 1003 (1999).