Reduction of band-gap energy in GaNAs and AlGaNAs synthesized by N+ implantation

Applied Physics Letters

Volumn 75, Issue 10, 1999, Pages 1410-1412

  Shan, W ^a   Yu, K M ^a   Walukiewicz, W ^a   Ager III, J W ^a   Haller, E E ^b   Ridgway, M C ^c  

^a LAWRENCE BERKELEY NATIONAL LABORATORY   (United States)

^b UNIVERSITY OF CALIFORNIA   (United States)

^c AUSTRALIAN NATIONAL UNIVERSITY   (Australia)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; ION IMPLANTATION; LIGHT MODULATION; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MOLECULAR BEAM EPITAXY; NITROGEN; SEMICONDUCTING ALUMINUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR GROWTH; SPECTROSCOPIC ANALYSIS; SYNTHESIS (CHEMICAL);

PHOTOMODULATION SPECTROSCOPY;

ENERGY GAP;

EID: 0032606273     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.124951     Document Type: Article

References (23)

1. S. Sakai, Y. Ueta, and Y. Terauchi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 32, 4413 (1993).
2. M. Weyers, M. Sato, and H. Ando, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 31, L853 (1992).
3. M. Kondow, K. Uomi, K. Hosomi, and T. Mozume, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 33, L1056 (1994).
4. J. N. Baillargeon, K. Y. Cheng, G. E. Hofler, P. J. Pearah, and K. C. Hsieh, Appl. Phys. Lett. 60, 2540 (1992).
5. W. G. Bi and C. W. Tu, J. Appl. Phys. 80, 1934 (1996).
6. M. Kondow, T. Kitatani, S. Nakatsuka, M. C. Larson, K. Nakahara, Y. Yazawa, M. Okai, and K. Uomi, IEEE J. Sel. Areas Commun. 3, 719 (1997).
7. M. Kondow, T. Kitatani, M. C. Larson, K. Nakahara, K. Uomi, and H. Inoue, J. Cryst. Growth 188, 255 (1998).
8. W. G. Bi and C. W. Tu, Appl. Phys. Lett. 72, 1161 (1998).
9. H. P. Xin and C. W. Tu, Appl. Phys. Lett. 72, 2442 (1998).
10. G. Pozina, I. Ivanov, B. Monemar, J. V. Thordson, and T. G. Andersson, J. Appl. Phys. 84, 3830 (1998).
11. D. J. Friedman, J. F. Geisz, S. R. Kurtz, D. Myers, and J. M. Olson, J. Cryst. Growth 195, 409 (1998).
12. S. R. Kurtz, A. A. Allerman, E. D. Jones, J. M. Gee, J. J. Banas, and B. E. Hammons, Appl. Phys. Lett. 74, 729 (1999).
13. P. Perlin, S. G. Subramanya, D. E. Mars, J. Kruger, N. A. Shapiro, H. Siegle, and E. R. Weber, Appl. Phys. Lett. 73, 3703 (1998).
14. R. Kuroiwa, H. Asahi, K. Asami, S. J. Kim, K. Iwata, and S. Gonda, Appl. Phys. Lett. 73, 2630 (1998).
15. K. Uesugi, N. Morooka, and I. Suemune, Appl. Phys. Lett. 74, 1254 (1999).
16. W. Shan, W. Walukiewicz, J. W. Ager III, E. E. Haller, J. F. Geisz, D. J. Friedman, J. M. Olson, and S. R. Kurtz, Phys. Rev. Lett. 82, 1221 (1999).
17. A. White, K. T. Short, R. C. Dynes, R. Hull, and S. M. Vandenberg, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 39, 253 (1989).
18. T. L. Alford and J. C. Barbour, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 157, 137 (1990).
19. J. Wurfl, J. Miao, D. Ruck, and H. L. Hartnagel, J. Appl. Phys. 72, 2700 (1992).
20. F. Fricke, J. Wurfl, J. Miao, A. Dehe, D. Ruck, and H. L. Hartnagel, J. Micromech. Microeng. 3, 131 (1993).
21. J. Miao, I. M. Tiginyanu, H. L. Hartnagel, G. Irmer, J. Monecke, and B. L. Weiss, Appl. Phys. Lett. 70, 847 (1997).
22. T. Shima, Y. Makita, S. Kimura, H. Sanpei, and A. Sandhu, Mater. Sci. Eng., A 253, 301 (1998).
23. PROFILE, Ion Beam Profile Code, version 3.19, Implant Science Corp., Wakefield, MA. 1992.