Role of oxygen in ion-enhanced etching of poly-Si and WSix with chlorine

Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films

Volumn 16, Issue 4, 1998, Pages 2215-2221

  Kota, Gowri P ^a   Coburn, J W ^a   Graves, David B ^a  

^a University of California   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0032336854     PISSN: 07342101     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.581330     Document Type: Article

References (34)

1. B. L. Crowder and S. Zirinsky, IEEE Trans. Electron Devices ED-26, 369 (1979).
2. B. L. Crowder and S. Zirinsky, IEEE J. Solid-State Circuits SC-14, 291 (1979).
3. S. Zirinsky and B. L. Crowder, J. Electrochem. Soc. 124, 338C (1977).
4. M. Y. Tsai, H. H. Chao, L. M. Ephrath, B. L. Crowder, A. Cramer, R. S. Bennett, C. J. Lucchese, and M. R. Wordeman, J. Electrochem. Soc. 128, 2207 (1981).
5. S. P. Murarka, J. Vac. Sci. Technol. 17, 775 (1980).
6. M. Y. Tsai, F. M. d'Heurle, C. S. Petersson, and R. W. Johnson, J. Appl. Phys. 52, 5350 (1981).
7. S. Dash and M. Y. Tsai, IBM Tech. Discl. Bull. 23, 2577 (1980).
8. A. K. Sinha, J. Vac. Sci. Technol. 19, 778 (1981).
9. C. W. Koburger, M. H. Ishaq, and H. J. Geipel, J. Electrochem. Soc. 129, 1307 (1982).
10. H. J. Geipel, Jr., Ning Hsieh, M. H. Ishaq, C. W. Koburger, and F. R. White, IEEE Trans. Electron Devices ED-27, 1417 (1980).
11. K. Nojiri, K. Tsunokuni, and K. Yamazaki, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 1791 (1996).
12. R. S. Bennett, L. M. Ephrath, and M. Y. Tsai, IBM Tech. Discl. Bull. 24, 4486 (1982).
13. J. M. Parks, R. J. Jaccodine, J. G. Langan, and M. A. George, in Proceedings of the Eighth Symposium on Plasma Processing, edited by G. S. Mathad and D. W. Hess, 90-14, 701 (1990).
14. F. R. White, C. W. Koburger, D. L. Harmon, and H. J. Geipel, J. Electrochem. Soc. 129, 1330 (1982).
15. F. H. Bell, O. Joubert, and L. Vallier, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 96 (1996).
16. T. P. Chow and A. J. Steckl, J. Electrochem. Soc. 131, 2326 (1984).
17. N. Ozawa, T. Matsui, and J. Kanamori, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 34, 6815 (1995).
18. X. Y. Qian, D. J. Hemker, and G. W. Hills, in Proceedings of the Ninth Symposium on Plasma Processing, edited by G. S. Mathad and D. W. Hess, 92-18, 431 (1992).
19. G. P. Kota, J. W. Coburn, and D. B. Graves, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 270 (1998).
20. W. L. Fite and R. T. Brackmann, Phys. Rev. 113, 815 (1959).
21. D. Rapp and P. Englander-Golden, J. Chem. Phys. 43, 1464 (1965).
22. H. F. Winters and J. W. Coburn, Surf. Sci. Rep. 14, 161 (1992).
23. J. C. Greaves and S. W. Linnett, Trans. Faraday Soc. 54, 1323 (1958).
24. J. P. Chang, J. C. Arnold, G. C. H. Zau, H.-S. Shin, and H. H. Sawin, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 1853 (1997).
25. J. W. Coburn, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 1384 (1994).
26. M. Balooch, M. Moalem, W.-E. Wang, and A. V. Hamza, J. Vac. Sci. Technol. A 14, 229 (1996).
27. R. A. Barker, T. M. Mayer, and W. C. Pearson, J. Vac. Sci. Technol. B 1, 37 (1983).
28. W. Sesselmann, E. Hudeczek, and F. Bachmann, J. Vac. Sci. Technol. B 7, 1284 (1989).
29. N. Layadi, V. M. Donnelly, and J. T. C. Lee, J. Appl. Phys. 81, 6738 (1997).
30. R. A. Rossen and H. H. Sawin, J. Vac. Sci. Technol. A 3, 881 (1985).
31. R. A. Rossen and H. H. Sawin, J. Vac. Sci. Technol. A 5, 1595 (1987).
32. S. C. McNevin and G. E. Becker, J. Vac. Sci. Technol. B 3, 485 (1985).
33. J. P. Chang and H. H. Sawin, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 610 (1997).
34. G. C. H. Zau and H. H. Sawin, J. Electrochem. Soc. 139, 250 (1992).